當前，最先進的芯片已經(jīng)采用了5nm工藝（蘋果A14），這在另一方面也意味著，晶圓代工廠商們需要更加馬不停蹄地推進制程技術的迭代。

來自Digitimes的最新報道稱，臺積電2nm GAA工藝研發(fā)進度提前，目前已經(jīng)結束了路徑探索階段。

GAA即環(huán)繞柵極晶體管，旨在取代走到盡頭的FinFET（鰭式場效應晶體管）。FinFET由華人科學家胡正明團隊研制，首發(fā)于45nm，目前已經(jīng)推進到5nm。

不過，據(jù)說臺積電的3nm依然延續(xù)FinFET，但三星則會提前于3nm導入GAA技術。

基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），與現(xiàn)在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

當然，落后其實并不可怕，最主要看進度。三星7nm也是想“一口吃個胖子”，直接導入EUV極紫外光刻，結果起個大早趕個晚集，被臺積電用7nm DUV搶先，自己實際并未攬獲多少有價值的訂單。

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