近期，加快芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國(guó)科技企業(yè)最重要的議題之一，中國(guó)存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)與制造公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速生產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量，以爭(zhēng)取更多的市場(chǎng)份額。據(jù)DRAMeXchange此前統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，今年二季度全球NAND閃存行業(yè)的收入環(huán)比增長(zhǎng)了6.5%至145億美元（約合1000億元人民幣），而加大存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，則有望從這個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)中收益。

近2年來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)陸續(xù)開始對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行量產(chǎn)。2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布對(duì)其64層3D NAND閃存芯片進(jìn)行量產(chǎn)，今年4月份發(fā)布全球首款128層QLC存儲(chǔ)芯片后，預(yù)計(jì)將于今年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

外媒是援引產(chǎn)業(yè)鏈的消息，報(bào)道長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存的出貨量的，不過(guò)是緩慢提高，不會(huì)是快速大幅提高，產(chǎn)業(yè)鏈方面也并未透露長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND閃存目前的出貨量和提升的幅度。

對(duì)于迅猛發(fā)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，美日韓存儲(chǔ)芯片制造商早已感到擔(dān)憂。去年5月，外媒報(bào)道指出，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)芯片量產(chǎn)，國(guó)際存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)將加劇，價(jià)格很可能受到?jīng)_擊，這對(duì)美日韓存儲(chǔ)芯片出口來(lái)說(shuō)，顯然是不利的。

如今，長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始提高NAND芯片產(chǎn)量，可能意味著外企此前的擔(dān)憂正在加速成為現(xiàn)實(shí)。值得一提的是，受到近期美國(guó)芯片出口規(guī)定調(diào)整的影響，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近期已經(jīng)制定了“加快自研”的機(jī)會(huì)，加緊測(cè)試“無(wú)美”設(shè)備的生產(chǎn)線。

據(jù)消息人士表示，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率約為30%，而在加速“去美化”的目標(biāo)下，該企業(yè)的目標(biāo)是將70%的設(shè)備都換成國(guó)產(chǎn)設(shè)備。對(duì)于美國(guó)來(lái)說(shuō)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)提升產(chǎn)量、加大與外企競(jìng)爭(zhēng)的同時(shí)，還在尋求“去美化”，長(zhǎng)期來(lái)看將不利于美國(guó)設(shè)備對(duì)華出口。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)全稱為長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，成立于2016年7月，總部位于武漢，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM（設(shè)計(jì)、制造及測(cè)試）集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案，致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)為合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

2017年10月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結(jié)合的方式，成功設(shè)計(jì)制造了國(guó)內(nèi)首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主創(chuàng)新Xtacking?架構(gòu)的64層TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。

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