翻譯自——EEtimes

5G讓射頻技術(shù)發(fā)生了全新的變化，近日，Qorvo最近發(fā)布的QPA2309 c頻段功率放大器（PA）專為國防和航空航天應用而設計，能為5 – 6 GHz射頻設計提供高功率密度和附加功率效率。它采用了Qorvo自研的QGaN25HV晶圓工藝，即GaN-on-SiC。

在過去一年左右的時間里，許多技術(shù)正滲透到消費領(lǐng)域。Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達，以及電子戰(zhàn)應用”而設計。

不久以前GaN在電力方面的應用還局限于一個小眾市場。即使在許多工業(yè)應用中，如汽車或太陽能電池逆變器，更常見的是SiC。而GaN具有很長的光電子史，它使藍色激光二極管和led的生產(chǎn)成為可能。

但現(xiàn)在，在功率市場GaN開始出現(xiàn)了爆炸式增長。蘋果決定推出最后一款不帶充電裝置的iPhone，這將推動這一轉(zhuǎn)變。由于它不再是蘋果標配，消費者現(xiàn)在可能會同時被多個充電電源所吸引，這是蘋果從未在其手機或平板電腦中附帶的。GaN在電力電子方面的獨特優(yōu)勢眾多，這里不再贅述。

讓我們回到射頻應用。

當前的技術(shù)趨勢需要增加射頻能力和驅(qū)動組件，這無疑是一大挑戰(zhàn)。

我們正處在5G系統(tǒng)快速部署的風口上。這意味著在連接的移動設備以及無數(shù)固定和移動物聯(lián)網(wǎng)設備中又多了一個系統(tǒng)和另一個無線電。

新無線電系統(tǒng)的頻帶要求今天的5G以及仍在定義中的系統(tǒng)需要創(chuàng)造一個理想的環(huán)境，以便快速過渡到GaN射頻設備上。作為一種寬帶隙半導體，GaN比傳統(tǒng)材料的優(yōu)勢將會為這一特殊要求提供強大動力。

以上圖表有力地說明了GaN的尖端性能。Qorvo的功放適用于5GHz至6GHz的工作頻段，因此該產(chǎn)品在“少數(shù)競爭技術(shù)”領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。然而，在功率方面，GaN沒有對手。100W功率規(guī)格使Qorvo的PA只有GaN材料才能做到。

Yole development詳細介紹了GaN的突破潛力。在一篇《RF GaN： The Stranglehold of 5G？》中預測了GaN的市場：

• 到2025年，GaN RF設備市場將超過20億美元
• 年增長率達到20%
• 軍事用途迅速增加

GaN的性能優(yōu)勢將推動5G基礎設施的采用。

分析師Ezgi Dogmus博士預測，5G基礎設施將推動“GaN優(yōu)勢”?！邦A計軍事和5G基礎設施是增長大頭。嚴格地說，5G建設是一個工業(yè)應用，而不是消費應用，但這項技術(shù)仍然是解決消費者移動帶寬需求的核心。

GaN RF設備市場正處于高速增長邊緣，尤其在在國防領(lǐng)域。

Qorvo QPA2309選擇以GaN作為材料是一個正確的選擇，它被封裝在一個7×7毫米QFN配置中，內(nèi)部匹配不需要外部組件。對于QFN，它是一個四軸，平面無引線套件，它正在悄悄擴大其覆蓋范圍。因為它提供了一個很好的折衷方案，低成本和減少了對pin計數(shù)的板空間要求。而且，這個主要用途的套件——從電源管理到音頻放大器再到微控制器——正在繼續(xù)增加它的高功率和高頻應用。

新的Qorvo功率放大器引起了人們對新興技術(shù)和擴展成熟封裝設計的關(guān)注。從平凡到奇異，它們都值得我們近距離觀察，預計它們會在2021年涌現(xiàn)在人們眼前。
編輯：hfy