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長江存儲推出兩款致鈦系列消費(fèi)級SSD產(chǎn)品,滿足高階用戶的需求

牽手一起夢 ? 來源:Ai芯天下 ? 作者:佚名 ? 2020-09-27 16:17 ? 次閱讀
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致鈦品牌的成立,就是長江存儲實(shí)現(xiàn)了Xtacking架構(gòu)芯片量產(chǎn)的最好證明。如今,新品SSD硬盤的推出,則標(biāo)志著長江存儲正式從幕后走到臺前。

類品推進(jìn):推消費(fèi)級固態(tài)硬盤

9月10日,紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式推出致鈦系列兩款消費(fèi)級固態(tài)硬盤(SSD)新品,分別為PCIe接口PC005Active和SATA接口SC001Active。

·PC005Active采用PCIeGen3x4接口,NVMe協(xié)議,搭配512MB至1GBDRAM緩存,致力于滿足高階用戶的需求。

能夠承載電競、設(shè)計(jì)類高性能應(yīng)用,使得設(shè)計(jì)源文件的打開速度和游戲加載的速度明顯提升。

·SC001Active采用SATA3.0接口,是兼具速度與超長壽命的固態(tài)硬盤,讓所有消費(fèi)者都能享受它所帶來的速度美學(xué)。

可以大幅提升系統(tǒng)的開機(jī)、程序加載、文件保存、文件傳輸?shù)人俣?,適用于日常存儲使用,尤其適合辦公電腦、筆記本電腦等場景使用。

長江存儲此次全新發(fā)布的致鈦SC001Active和致鈦PC005Active均搭載創(chuàng)新Xtacking架構(gòu)3D NAND高品質(zhì)原廠顆粒。

致鈦產(chǎn)品的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在對傳統(tǒng)閃存技術(shù)的創(chuàng)新,釋放3DNAND閃存潛能?;陂L江存儲Xtacking創(chuàng)新架構(gòu)打造的致鈦系列SSD兼具強(qiáng)勁的性能和可靠的品質(zhì),從而為消費(fèi)者帶來優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品體驗(yàn)。

長江存儲SSD產(chǎn)品的研發(fā)用了幾近2年的時(shí)間,而之所以花費(fèi)這么長時(shí)間,是因?yàn)殚L江存儲從零開始建立了一套檢測檢驗(yàn)系統(tǒng)。

在這套系統(tǒng)的幫助下,長江存儲的SSD產(chǎn)品能夠在提升性能的前提下,保證硬盤使用壽命。

而本次長江存儲憑借這兩款消費(fèi)級SSD產(chǎn)品,可以拉進(jìn)他們與客戶端之間的距離,進(jìn)一步向業(yè)界展示其創(chuàng)新存儲技術(shù)的實(shí)力。

SSD產(chǎn)品不僅需要高品質(zhì)的閃存做支撐,還需要主控芯片等產(chǎn)品的配合。在長江存儲推出SSD以后,也會為這個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上的其他企業(yè)帶來了新的發(fā)展機(jī)會。

架構(gòu)推進(jìn):Xtacking架構(gòu)是提升關(guān)鍵

在長江存儲64層、128層3D NAND取得成績的背后,Xtacking架構(gòu)是發(fā)力關(guān)鍵,與其他架構(gòu)相比,Xtacking架構(gòu)的最大不同便是CMOS邏輯控制單元與存儲單元的“去耦合”式分離研發(fā)和制造。

當(dāng)兩片晶圓各自完工后,Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可將二者鍵合接通電路,且成本增加有限。

從本次發(fā)布的PC005Active和SC001Active中,能夠更清晰地看到長江存儲對于拓展SSD產(chǎn)品的態(tài)度。

從閃存市場進(jìn)軍到SSD市場并不是一個(gè)意料之外的事情。在國際市場當(dāng)中,有很多閃存巨頭都參與到了SSD市場競爭中,并占據(jù)著重要的地位。

如此來看,長江存儲推出SSD品牌也是在萬事俱備下,走出了那必要的一步。

技術(shù)推進(jìn):今年Q4 SSD市場即將爆發(fā)

SSD是用于數(shù)據(jù)存儲并由半導(dǎo)體制成的固態(tài)磁盤或電子磁盤。它使用與HDD相同的I/O接口設(shè)計(jì),并將數(shù)據(jù)存儲在固態(tài)存儲器中。

與HDD相比,采用電性能來讀取數(shù)據(jù)的方式,使得SSD規(guī)避了機(jī)械故障的風(fēng)險(xiǎn),從而可以實(shí)現(xiàn)更高速度的數(shù)據(jù)傳輸。

但在2018年以前,SSD在價(jià)格方面并不占據(jù)優(yōu)勢,這也使得很多用戶對SSD望而卻步。2018年以后,伴隨著相關(guān)技術(shù)的成熟,SSD開始被市場所青睞。

加之目前閃存技術(shù)已經(jīng)從2D走向了3D,相較于傳統(tǒng)的2DNAND技術(shù),3DNAND能夠顯著提升單位閃存內(nèi)部的存儲空間,從而降低固態(tài)硬盤的單位容量成本,進(jìn)而推動(dòng)整體固態(tài)硬盤產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

全球形勢:國產(chǎn)SSD追趕但占比劣勢大

全球SSD市場在2019年的總出貨量為1.2億塊,而金士頓一家就占了18.3%(2200萬塊)。分列二三名的是西部數(shù)據(jù)(16.5%)和三星(15.1%)。

如果將行業(yè)和OEM領(lǐng)域算在內(nèi),全球2019年SSD出貨總量為2.76億塊,較2018年大幅提升了36%,而金士頓在這個(gè)排行中依然以10.4%的比重排名第三,位列三星和西部數(shù)據(jù)之后。

在2月份的SSD出貨量排行中,金士頓穩(wěn)居榜首,西數(shù)、臺積電、金泰克和七彩虹分列前五,而三星、影馳等品牌的出貨量也都比1月份有所提升。

在2020年第一季度,全球經(jīng)濟(jì)都遭受了影響。在2020第一季度PC市場,全球出貨量較去年同期下跌了8%,幾乎所有企業(yè)的出貨量均有不同程度的下降。

其中希捷作為一季度出貨量最多的廠商大約共出貨2790—2870萬塊,份額占到了42%左右,但依舊有最多接近15%的跌幅。

出貨量第二的是西部數(shù)據(jù),一季度出貨2460—2520萬塊,占市場份額37%,環(huán)比跌幅最大在16%左右。

出貨量第三名東芝在第一季度出貨400—1520萬塊,占領(lǐng)了21%左右的市場份額,而Trendfocus預(yù)估其年跌幅可能高達(dá)24%。

市場推進(jìn):SSD直接影響NAND需求

目前NAND Flash主要應(yīng)用在手機(jī)和SSD上,其占比分別為48%和43%,因此該兩類產(chǎn)品的出貨量則會直接影響NAND Flash的需求。

目前市場上的主流3DNAND產(chǎn)品為64層,但國際領(lǐng)先的廠商目前都已擁有100層以上的技術(shù)。

全球SSD市場規(guī)模將從去年的231億美元增長到今年的326億美元,增長41%;預(yù)計(jì)NAND閃存將成為今年最大的增長,全球半導(dǎo)體市場將比上一年略有增長。

在SSD消費(fèi)類市場和智能手機(jī)的容量進(jìn)一步增大,將消耗大量閃存芯片,隨著閃存芯片需求量的逐步擴(kuò)大,中國閃存芯片廠商也在努力進(jìn)行升級研發(fā),滿足閃存需求。

總的來講,隨著NAND Flash進(jìn)入3D制程并且層數(shù)快速增加,國產(chǎn)SSD主控設(shè)計(jì)難度設(shè)計(jì)愈加復(fù)雜、門檻也越來越高,SSD主控研發(fā)技術(shù)難度的增加。

而且不同廠商的NAND閃存顆粒特性差異較大,同一廠商N(yùn)AND顆粒制程不同,產(chǎn)品差異性也非常大,SSD主控與不同廠商的NAND閃存顆粒進(jìn)行搭配的能力也有待加強(qiáng)。

壓力推進(jìn):芯片等核心要素掌控成本

幾年前,三星、美光、海力士等閃存芯片大廠旗下的生產(chǎn)工廠,動(dòng)不動(dòng)就發(fā)生洪水、火災(zāi)、停電等事故,然后以事故為借口對內(nèi)存、SSD產(chǎn)品進(jìn)行漲價(jià)。

長期的創(chuàng)新和研發(fā)投入,帶給了美國和日本廠商以技術(shù)優(yōu)勢,這也是他們的產(chǎn)品目前成為主流,并且很難被取代的原因。

眾所周知,全球最牛的存儲芯片廠商是三星,DRAM內(nèi)存全球第一,份額高達(dá)40%,而在NAND閃存領(lǐng)域,三星也是全球前三強(qiáng)。

而中國是全球最大的芯片消耗國,每年進(jìn)口芯片金額超過3000億美元,其中三分之一是存儲芯片,所以這些年為了存儲產(chǎn)品,國內(nèi)可是花了大價(jià)錢的。

對于存儲芯片產(chǎn)業(yè)而言,所謂的國產(chǎn)替代真的是任重道遠(yuǎn),并不是生產(chǎn)出國產(chǎn)的芯片就行了,需要建立一個(gè)中國體系,從上游材料、設(shè)備,再到下游的技術(shù)、產(chǎn)品才行。

結(jié)尾:

目前長江存儲的產(chǎn)能非常有限,還不足以撐起中國龐大的市場需求,但至少已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了0到1的突破。突破之后的風(fēng)景,自然比之前看上去更美。

責(zé)任編輯:gt

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