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集微網(wǎng)消息，9月18日，有投資者在互動平臺提問：目前公司14納米已經(jīng)量產(chǎn)，N+1 代芯片進入客戶導(dǎo)入階段，可望于 2021年進入量產(chǎn)，以上新聞報道的信息是否屬實？對此，中芯國際表示，公司第一代FinFET 14納米已于2019年四季度量產(chǎn)；第二代FinFET N+1已進入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。

據(jù)集微網(wǎng)2月報道，在中芯國際2019第四季度財報會議上，梁孟松博士透露了中芯國際下一代“N+1”工藝的詳細數(shù)據(jù)。

梁孟松博士透露，中芯國際的下一代N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。所以在功率和穩(wěn)定性方面，N+1和7nm工藝非常相似，唯一區(qū)別在于性能方面，N+1工藝的提升較小，市場基準的性能提升應(yīng)該是35%。所以，中芯國際的N+1工藝是面向低功耗應(yīng)用領(lǐng)域的。

據(jù)了解，2019年第四季度，中芯國際的14nm首次貢獻營收。趙海軍博士則表示，來自14nm的營收將在今年繼續(xù)穩(wěn)步上升，14nm產(chǎn)能也將隨著中芯南方12英寸廠的產(chǎn)能爬坡而增長。14nm的應(yīng)用領(lǐng)域包括高端消費電子、高性能計算、媒體應(yīng)用、人工智能和汽車電子等領(lǐng)域。

原文標題：中芯國際：第二代FinFET N+1已進入客戶導(dǎo)入階段，年底有望小批量試產(chǎn)

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