來源：羅姆半導體社區(qū)

MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。

目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產品。排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器等產品。第三的就屬網絡通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設備領域。這些產品對于MOS管的需求都很大。下面是關于MOS管失效的五大原因。

雪崩失效（電壓失效）

雪崩失效也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。

雪崩失效的預防措施：
雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
1：合理降額使用，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。
2：合理的變壓器反射電壓。
3：合理的RCD及TVS吸收電路設計。
4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構，盡量減少布線寄生電感。
5：選擇合理的柵極電阻Rg。
6：在大功率電源中，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極管進行吸收。

二、柵極電壓失效

造成柵極電壓異常高的主要原因有三：生產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統(tǒng)運行中設備和電路寄生參數引起的高壓諧振；在高壓沖擊過程中，高壓通過Ggd傳輸到電網(在雷擊試驗中，這種原因引起的故障更常見)。

柵極電壓失效的預防措施：

柵極和源極之間的過電壓保護：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導致非常高的UGS電壓超調，從而導致柵極超調。氧化物層永久性損壞。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設備也可能導通錯誤。為此，應適當降低柵極驅動電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯一個阻尼電阻或一個穩(wěn)壓約20V的調壓器。必須特別注意防止開門操作。

三、SOA失效（電流失效）

SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式。

1：受限于最大額定電流及脈沖電流
2：受限于最大節(jié)溫下的RDSON。
3：受限于器件最大的耗散功率。
4：受限于最大單個脈沖電流。
5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)
我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導致的電源失效問題的產生。

SOA失效的預防措施：
1：確保在最差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內。
2：將OCP功能一定要做精確細致。
在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電阻。有些有經驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。但是此時有個更值得關注的參數，那就是MOSFET的Td（off）。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖。

電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流信號執(zhí)行關斷后，MOSFET本身也開始執(zhí)行關斷，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規(guī)格的一個失效。

3：合理的熱設計余量，這個就不多說了，各個企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。

四、靜電失效

靜電的基本物理特性是：有吸引力或斥力；有電場，與地球有電位差；產生放電電流。這三種情況對電子元件有以下影響：

1、該元件吸收灰塵，改變線路之間的阻抗，影響元件的功能和壽命。

2、由于電場或電流的作用，元件的絕緣層和導體損壞，使元件不能工作(完全損壞)。

3、由于電場的瞬時軟擊穿或電流過熱，元件受到損壞。雖然它還能工作，但它的生命受到了損害。

靜電失效預防措施：

MOS電路輸入端的保護二極管在通電時的電流容限為1毫安。當可能出現過大的瞬時輸入電流(大于10mA)時，輸入保護電阻應串聯。同時，由于保護電路吸收的瞬時能量有限，過大的瞬時信號和過高的靜電電壓會使保護電路失效。因此，在焊接過程中，烙鐵必須可靠接地，以防止設備輸入端子泄漏。一般使用時，斷電后，可利用烙鐵的余熱進行焊接，其接地腳應先焊好。

五、體二極管故障

在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。在不同的拓撲和電路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結合自身電路來分析。

審核編輯 黃昊宇