來源：羅姆半導體社區(qū)

晶體管（transistor）是一種固體半導體器件（包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。

做模擬電路的工程師，都有過使用晶體管（場效應管也是晶體管中的一種）、運放的經驗和體會。尤其是在設計時，更會對晶體管的一些電參數(shù)進行測試和考量。在測試時，許多人對晶體管電參數(shù)的實測值與規(guī)格書所提供的規(guī)范值，為什么會有很大差異，感到不可思議。

有時，一些工程師會用實測值來要求供應商，也有一些工程師會把一些特殊參數(shù)作為常規(guī)參數(shù)進行處理。這樣的后果就是整機產品一致性、重復性差，嚴重時還會出現(xiàn)達不到設計指標，更有甚者是在生產中出現(xiàn)大量損壞電子元器件的異常。

此時，許多工程師都會把眼光釘住那些損壞的晶體管上，以為是晶體管的質量問題，導致的異常。殊不知晶體管的損壞，只是一個表面現(xiàn)象，而深層次的原因，往往是設計師自己造成的。引起這些問題的原因有很多，對工程師而言，在選用元器件時，對半導體器件電參數(shù)的片面理解，或許是個重要因素。說了晶體管中的一些參數(shù)的重要性，可能會有人非常好奇，這些晶體管器件內部究竟是如何工作的?

切莫操之過急，且看下文詳解。

半導體

材料取自于元素周期表中金屬與非金屬的交界處。常溫下半導體導電性能介于導體與絕緣體之間。

本征半導體

純凈的具有晶體結構的半導體稱為本征半導體。(由于不含雜質且為晶體結構，所以導電性比普通半導體差)

常溫下，少數(shù)價電子由于熱運動獲得足夠的能量掙脫共價鍵的束縛成為自由電子。此時，共價鍵留下一個空位置，即空穴。原子因失去電子而帶正電，或者說空穴帶正電。在本征半導體外加一個電場，自由電子將定向移動產生電流;同時，價電子會按一定方向去依次填補空穴，相當于空穴也在定向移動，而且是跟電子反向的運動。本征半導體的電流是這兩個電流之和。運載電荷的粒子稱之為載流子。

當有一個自由電子的產生，必然會有一個空穴產生，所以自由電子與空穴對是同生同滅。當自由電子在運動中填補了一個空穴，此時兩者同時消失，這種現(xiàn)象稱之為復合。在一定溫度下，兩種載流子濃度相同，達到一種動態(tài)平衡。當溫度升高，熱運動會加劇，會有更多的電子掙脫束縛，會導致載流子濃度上升，從而打破這個平衡，溫度一定后會再次建立平衡。

雜質半導體

通過擴散工藝，在本征半導體摻入某些元素，稱之為雜質半導體。且雜質半導體有以下兩種：

一 .N型半導體
在本征半導體加入+5價元素磷，由于加入了最外層為5個電子的元素，在形成共價鍵后會多出一個電子，這個電子就成了自由電子。因為這個半導體自由電子的個數(shù)多于空穴個數(shù)，而電子帶負電，所以稱之為N(negative，負)型半導體。

二 .P型半導體
在本征半導體加入+3價元素硼，由于加入了最外層為3個電子的元素，在形成共價鍵后會多出一個空位，硅原子的最外層電子會去填補這個空位，從而會多出一個空穴?？昭◣д?，所以稱之為P(positive，正)型半導體。在N型半導體中，自由電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子;在P型半導體中，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。

PN結的形成

采用某種工藝，可以將P型半導體和N型半導體制作在同一塊硅片上。由于濃度差，會產生擴散運動。同時，在P區(qū)N區(qū)交界處，多數(shù)載流子濃度降低，P區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)，內部會產生一個內電場。該電場會產生一個運動去阻止擴散運動，這個運動稱為漂移運動。參與擴散運動和漂移運動的載流子數(shù)目相同，達到動態(tài)平衡就形成了PN結。

PN結的單向導電性

PN結的電容效應

PN結存在著等效電容(勢壘電容和擴散電容，兩者之和稱為結電容，具體省略)，由于容抗跟頻率成反比，當加在PN結上的交流電頻率較高時，交流電就可以通過PN結的電容形成通路，PN結會失去單向導電的特性。

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審核編輯黃宇