MOS替換方法及流程之零點(diǎn)tempoc
在傳遞特性曲線Id = f （Vgs）上定義了tempco零點(diǎn)，其中ID 電流與溫度無(wú)關(guān)。熱穩(wěn)定性好D 電流值（交點(diǎn)）很低。
? NXP:BUK7510-55AL：
圖4：傳輸特性（BUK7510-55AL）
? IRF 3305：
圖5：傳輸特性（IRF 3305）
? 英飛凌：IPP 80 n06s2-05
圖6：傳遞特性（IPP 80N06S2-05）
結(jié)論：
根據(jù)MOSFET傳輸特性，新的MOSFET （IRF和INFINEON）的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET，因?yàn)镹XP的熱穩(wěn)定性（曲線相交）在37，5A，相比之下，IRF為80A， INFINEO為150A。
責(zé)任編輯：haq
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發(fā)表于 07-30 15:51
零極點(diǎn)仿真分析簡(jiǎn)介
零極點(diǎn)分析是用于確定電路頻率響應(yīng)特性的關(guān)鍵方法，通過(guò)找到傳遞函數(shù)的零點(diǎn)和極點(diǎn)來(lái)分析電路的穩(wěn)定性和頻率響應(yīng)。
工商網(wǎng)監(jiān)
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