繼今年3月首次公開之后，美光今天宣布，全新的“uMCP5”已經(jīng)做好了大規(guī)模量產(chǎn)的準備。美光uMCP5在全球首次通過MCP多芯片封裝的方式，將LPDDR5內(nèi)存、UFS閃存整合在一顆芯片內(nèi)，可大大提升智能手機的存儲密度，節(jié)省內(nèi)部空間、成本、功耗。

據(jù)悉，美光在單顆芯片內(nèi)，集成了自家的LPDDR5內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片、UFS 3.1控制器，TFBGA封裝格式，電壓1.8V，工作溫度從-25℃到+85℃。

美光 uMCP5 的主要特性包括：

續(xù)航時間大幅延長：在 uMCP4 的成功基礎上，美光將 LPDDR5 內(nèi)存用于 uMCP5，實現(xiàn)了 5G 網(wǎng)絡的完全利用;與 LPDDR4 相比，功耗降低了近 20%。此外，美光的 UFS 3.1 功耗比其前代產(chǎn)品 UFS 2.1 減少 40%。對于智能手機用戶而言，即使在使用耗電的多媒體應用程序或數(shù)據(jù)密集型功能(如 AI、AR、圖像識別、游戲、沉浸式娛樂等)時，也能有更長的續(xù)航時間。

下載速度快：與美光此前基于 UFS 2.1 的解決方案相比，美光 uMCP5 釋放了 5G 性能的全部潛力，持續(xù)下載速度可以加快 20%。

耐用度提升：美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了約 66%，可以允許 5,000 次擦寫，成倍增加了設備的可擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)量，而不會降低設備性能。即使對于重度手機用戶而言，也能有效延長智能手機的使用壽命。

業(yè)界領(lǐng)先的帶寬：采用 uMCP5 的設備最高將支持6,400 Mb/s 的 DRAM 帶寬，與上一代 LPDDR4x 的4,266 Mb/s 帶寬相比，增加了 50%。這使移動用戶可以同時運行多個應用程序而不會影響體驗。增加的帶寬也使智能手機中的 AI計算攝影獲得了更高質(zhì)量的圖像處理，為用戶帶來專業(yè)的攝影能力。美光是業(yè)界首家支持全速 LPDDR5 的供應商。

最新閃存性能：美光 uMCP5 還采用了最快的 UFS 3.1 存儲接口，與其上一代 UFS 2.1 產(chǎn)品相比，順序讀取性能提高了一倍，寫入速度加快了 20%。

節(jié)省空間的緊湊設計：美光利用其多芯片封裝專業(yè)知識以及所掌握的制造和封裝技術(shù)，以最緊湊的尺寸設計 uMCP5，從而實現(xiàn)了更纖薄、更靈活的智能手機設計。與獨立版本的 LPDDR5 和 UFS 解決方案相比，美光 uMCP5 多芯片封裝可節(jié)約 55% 的印刷電路板空間。節(jié)省的空間使手機制造商能夠最大限度地提升電池容量或增加其他功能，例如攝像頭、手勢元件或傳感器。美光可提供高達 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多個容量配置選擇。

美光uMCP5提供四種容量組合，分別為8GB+128GB、8GB+256GB、12GB+128GB、12GB+256GB。

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