蘋果A14及A14X處理器已在臺積電采用5nm制程量產(chǎn)，預(yù)期明年會推出新款桌面計(jì)算機(jī)A14T處理器及蘋果自行開發(fā)繪圖處理器（GPU），同樣采用臺積電5nm制程投片。據(jù)供應(yīng)鏈業(yè)者消息，蘋果已著手進(jìn)行新一代A15系列處理器開發(fā)，預(yù)期會采用臺積電5nm加強(qiáng)版（N5P）制程，明年第三季開始投片。

蘋果今年下半年推出新款iPad及iPhone 12產(chǎn)品線，采用自家設(shè)計(jì)的A14系列處理器，其中，iPad Air及iPhone 12全系列都采用A14應(yīng)用處理器，至于即將在11月發(fā)表的Arm架構(gòu)Macbook則會采用自行研發(fā)的A14X處理器。蘋果A14以及A14X均已在臺積電采用5nm制程量產(chǎn)。

蘋果已宣布將推出Apple Silicon的Arm架構(gòu)處理器以取代英特爾x86架構(gòu)中央處理器。事實(shí)上，蘋果自2010年開發(fā)出應(yīng)用在iPhone及iPad的首款A(yù)4應(yīng)用處理器至今，A系列芯片已經(jīng)歷10個(gè)世代的演進(jìn)，自有Arm架構(gòu)芯片研發(fā)及量產(chǎn)的學(xué)習(xí)曲線同樣走了10年，運(yùn)算效能及低功耗表現(xiàn)優(yōu)于預(yù)期，預(yù)計(jì)在二年之內(nèi)把Macbook及iMac處理器轉(zhuǎn)換自家設(shè)計(jì)的Apple Silicon。

除了應(yīng)用于Macbook的首款A(yù)pple Silicon處理器A14X已采用臺積電5nm量產(chǎn)，根據(jù)蘋果供應(yīng)鏈消息，蘋果明年將推出研發(fā)代號為Lifuka的首款自行研發(fā)GPU，以及研發(fā)代號為Mt.Jade的首款桌面計(jì)算機(jī)處理器A14T，兩款芯片都會在明年上半年采用臺積電5nm制程投片。

蘋果研發(fā)團(tuán)隊(duì)近期亦著手進(jìn)行新一代A15系列處理器的開發(fā)，其中，應(yīng)用在蘋果明年新款iPhone 13系列5G智能型手機(jī)的A15 Bionic應(yīng)用處理器，預(yù)期會采用臺積電明年推出的5nm加強(qiáng)版N5P制程，明年第三季開始投片，而后續(xù)包括A15X、A15T等第二代Apple Silicon亦會隨后推出，預(yù)估同樣采用臺積電N5P制程量產(chǎn)。

法人表示，蘋果iPhone、iPad、Macbook及iMac等產(chǎn)品線已開始進(jìn)入A14系列處理器的世代交替，而且新一代A15系列處理器研發(fā)符合預(yù)期，明年將會成為臺積電5nm最大客戶。由于包括高通、博通、邁威爾、超威、聯(lián)發(fā)科等明年也會推出5nm產(chǎn)品，樂觀看待臺積電明年5nm產(chǎn)能全年維持滿載。

臺積電強(qiáng)攻3nm，穩(wěn)坐全球EUV龍頭

臺積電及光刻設(shè)備大廠艾司摩爾（ASML）于上周法人說明會透露更多3nm細(xì)節(jié)。臺積電3nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)及極紫外光（EUV）微影技術(shù)，邏輯密度與5nm相較將大幅增加70％，且EUV光罩層數(shù)將倍增且超過20層。因此，臺積電積極采購EUV曝光機(jī)設(shè)備，未來三～五年仍將是擁有全球最大EUV產(chǎn)能的半導(dǎo)體廠，包括家登及崇越等供貨商可望受惠。

臺積電EUV光刻技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)且制程涵蓋7+nm、6nm、5nm。據(jù)設(shè)備業(yè)者消息，臺積電7+nm采用EUV光罩層最多達(dá)四層，超威新一代Zen 3架構(gòu)處理器預(yù)期是采用該制程量產(chǎn)。6nm已在第四季進(jìn)入量產(chǎn)，EUV光罩層數(shù)較7+nm增加一層，包括聯(lián)發(fā)科、輝達(dá)、英特爾等大廠都將采用6nm生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

臺積電下半年開始量產(chǎn)5nm制程，主要為蘋果量產(chǎn)A14及A14X處理器，包括超威、高通、輝達(dá)、英特爾、博通、邁威爾等都會在明年之后導(dǎo)入5nm制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。5nmEUV光罩層數(shù)最多可達(dá)14層，所以Fab 18廠第一期至第三期已建置龐大EUV曝光機(jī)臺設(shè)備因應(yīng)強(qiáng)勁需求，臺積電明年將推出5nm加強(qiáng)版N5P制程并導(dǎo)入量產(chǎn)，后年將推出5nm優(yōu)化后的4nm制程，設(shè)備業(yè)者預(yù)期N5P及4nm的EUV光罩層數(shù)會較5nm增加。

臺積電在日前的法說會中宣布，3nm研發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期且會是另一個(gè)重大制程節(jié)點(diǎn)，與5nm制程相較，3nm的邏輯密度可增加70％，在同一功耗下可提升15％的運(yùn)算效能，在同一運(yùn)算效能下可減少30％功耗。3nm制程采用的EUV光罩層數(shù)首度突破20層，業(yè)界預(yù)估最多可達(dá)24層。

ASML執(zhí)行長Peter Wennink在日前法說會中指出，5nm邏輯制程采用的EUV光罩層數(shù)將超過10層，3nm制程采用的EUV光罩層數(shù)會超過20層，隨著制程微縮EUV光罩層數(shù)會明顯增加，并取代深紫外光（DUV）多重曝光制程。

臺積電5nm及3nm的EUV光罩層數(shù)倍數(shù)增加，提供EUV光罩盒（EUV Pod）的家登受惠最大，今、明兩年產(chǎn)能均已被大客戶預(yù)訂一空。至于EUV產(chǎn)能大幅提高，代理EUV光阻液的崇越接單暢旺，訂單同樣排到明年下半年。
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