12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報(bào)告，28nm 將在未來(lái) 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長(zhǎng)節(jié)點(diǎn)制程工藝。

在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的 70% 的步伐前進(jìn)。如 2007 年達(dá)到 45nm，2009 年達(dá)到 32nm，2011 年達(dá)到 22nm。28nm 工藝處于 32nm 和 22nm 之間，業(yè)界在更早的 45nm（HKMG）工藝，在 32nm 處引入了第二代 high-k 絕緣層 / 金屬柵工藝，這些為 28nm 的逐步成熟打下了基礎(chǔ)。

IT之家獲悉，2013 年是 28nm 制程的普及年，2015~2016 年間，28nm 工藝開始大規(guī)模用于手機(jī)應(yīng)用處理器和基帶。晶圓上平面設(shè)計(jì)的極限在 28nm 可以達(dá)到最優(yōu)化成本。相對(duì)于后續(xù)開始的 16/14nm 需要導(dǎo)入 FinFET 工藝，晶圓制造成本會(huì)上升至少 50% 以上，只有類似于手機(jī)這種有巨大體量的應(yīng)用領(lǐng)域可以分?jǐn)偝杀?。在許多非消費(fèi)類的相關(guān)應(yīng)用中，28nm 的工藝穩(wěn)定性，以及性能和成本的參數(shù)，都是非常具有性價(jià)比的。

隨著 28nm 工藝技術(shù)的成熟，28nm 工藝產(chǎn)品市場(chǎng)需求量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，并且這種高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)持續(xù)到 2017 年。2015 年至 2016 年，28nm 工藝主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然為手機(jī)處理器和基帶。2017 年之后，28nm 工藝雖然在手機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用有所下降，但在其他多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用迅速增加，如 OTT 盒子和智能電視等應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度較快。在全球的產(chǎn)能分布如下圖，巨大的產(chǎn)量?jī)?chǔ)備，也是為了未來(lái)更多新興應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展做儲(chǔ)備。

從全球純晶圓代工的營(yíng)收趨勢(shì)來(lái)看，除去臺(tái)積電引領(lǐng)的最先進(jìn)工藝的高毛利，其他全球的晶圓廠營(yíng)收主要來(lái)自于穩(wěn)定成熟的工藝。純晶圓代工的企業(yè)中，聯(lián)電、Globalfoundry、SMIC 等，在 28nm（以及相關(guān)衍生工藝）上都有穩(wěn)步的性能提升及各種新產(chǎn)品的導(dǎo)入來(lái)滿足客戶不同需求。

責(zé)任編輯：PSY