繼SK海力士日前宣布在M14和建設(shè)中的M16工廠均引入EUV光刻機(jī)后,三星也坐不住了。
按照三星的說(shuō)法,自2014年以來(lái),EUV光刻參與的晶圓超過(guò)了400萬(wàn)片,公司積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),也比其它廠商掌握更多訣竅,領(lǐng)先對(duì)手1到2年。
據(jù)悉,三星的1z nm DRAM第三代內(nèi)存已經(jīng)用上了一層EUV,第四代1a nm將增加到4層。EUV光刻機(jī)的參與可以減少多重曝光工藝,提供工藝精度,從而可以減少生產(chǎn)時(shí)間、降低成本,并提高性能。
盡管SK海力士、美光等也在嘗試EUV,但層數(shù)過(guò)少對(duì)效率提升并不明顯,也就是單位成本高,畢竟EUV光刻機(jī)買一臺(tái)要10億元。三星這方面倒是有優(yōu)勢(shì),因?yàn)樽约哼€有晶圓廠,“東方不亮西方亮”光刻機(jī)的利用率很高。
責(zé)任編輯:PSY
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15894瀏覽量
183122 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
1007瀏覽量
41637 -
EUV光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
129瀏覽量
15849
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
中國(guó)打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例,這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代,不僅需要EUV光刻機(jī)
貼片晶振超高頻光刻工藝基本原理
【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究
一、引言
玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ??偤穸绕睿═TV)是衡量玻璃晶圓質(zhì)量的重要指標(biāo),其厚度
白光干涉儀在EUV光刻后的3D輪廓測(cè)量
EUV(極紫外)光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng),成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝,其光刻后形成的三維圖形(如鰭片、柵極、
EUV光刻膠材料取得重要進(jìn)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 隨著集成電路工藝的不斷突破, 當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)持續(xù)向7nm及以下邁進(jìn),傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已難以滿足高精度、高密度的制造需求,此時(shí),波長(zhǎng)13.5nm的極紫外(EUV)光刻技術(shù)
3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
Cadence擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作
楷登電子(美國(guó) Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作,包括簽署一項(xiàng)新的多年期 IP 協(xié)議,在三星晶圓代工廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)
MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念
在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻
光刻工藝中的顯影技術(shù)
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過(guò)光刻膠在特殊波長(zhǎng)光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過(guò)曝光、顯影、刻蝕等工藝過(guò)程,將設(shè)計(jì)在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購(gòu)三星指紋排線,全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線,專業(yè)求購(gòu)指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
今日看點(diǎn)丨美國(guó)宣布:征收高達(dá)3403%關(guān)稅??;傳三星停產(chǎn)DDR4
改進(jìn)EUV光刻制造技術(shù)。與此同時(shí),三星還獲得了High-NA EUV光刻設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)。 ? 據(jù)外媒報(bào)道,ASML現(xiàn)在似乎放棄了與
發(fā)表于 04-22 11:06
?1514次閱讀
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發(fā)表于 04-18 10:52
光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升,光刻技術(shù)也將不斷演化,
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè),三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè),三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
三星擴(kuò)大部署EUV光刻工藝
評(píng)論