碳化硅（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點。而比亞迪已經開始布局。

據(jù)國內媒體報道，比亞迪半導體產品總監(jiān)楊欽耀日前表示，比亞迪車規(guī)級的IGBT已經走到5代，碳化硅MOSFET已經走到3代，第4代正在開發(fā)當中。目前在規(guī)劃自建SiC產線，預計到明年有自己的產線。

提到SiC大家可能有些陌生，碳化硅（SiC）其實是一種廣泛使用的老牌工業(yè)材料，1893年開始大規(guī)模生產，至今一直在使用。不過自然界中很難找到碳化硅。

而在新能源汽車領域，碳化硅主要用于動力控制單元。目前主流車廠仍然使用IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片），但特斯拉、比亞迪已經在 Model 3、漢EV車型上開始使用Sic MOSFET（碳化硅功率場效應晶體管）。

值得一提的是，漢EV也是國內首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。

相比于IGBT，碳化硅（SiC）是一個更先進的做控制器的電力電子芯片，頻率、效率可以做到很高，體積可以非常小。

研究顯示，SiC的功率損耗較IGBT下降了87%。結合功率半導體在整車中的能量損耗占比數(shù)據(jù)可以得出，僅僅是將IGBT替換為SiC，就可提高整車續(xù)航里程10%左右，這對于極其在意續(xù)航能力的電動車來說受益匪淺。

比亞迪在半導體行業(yè)布局較早，早在2005年就成立了IGBT團隊，并于2009年推出首款自主研發(fā)IGBT芯片，打破國外企業(yè)的技術壟斷。

目前，比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。按照計劃比亞迪公布的計劃，預計到2023年，其旗下電動車將實現(xiàn)碳化硅功率半導體IGBT的全面替代，整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10％。

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