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陶瓷電容壓力傳感器的特點(diǎn)及應(yīng)用淺析

電子設(shè)計(jì) ? 來(lái)源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2020-12-26 00:37 ? 次閱讀
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壓力傳感器是傳感器中較大門(mén)類(lèi),廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,陶瓷電容作為壓力傳感器中一種主要技術(shù)路線(xiàn),具有耐腐蝕、抗沖擊、介質(zhì)兼容性好的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹陶瓷電容原理及典型應(yīng)用,以供壓力傳感器工程人員參考。

常用壓力傳感器技術(shù)類(lèi)型

壓力傳感器一般用于對(duì)傳感器敏感器件所處氣體或液體氛圍的壓力測(cè)量,一般用于反饋給系統(tǒng)主控單元,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)精確控制。壓力傳感器作為傳感器中的一大門(mén)類(lèi),在汽車(chē)、工業(yè)、家電、消費(fèi)電子等不同行業(yè)均有廣泛的應(yīng)用。常用壓力傳感器從感測(cè)原理來(lái)區(qū)分,主要包括如下幾大類(lèi):- 硅壓阻技術(shù)- 陶瓷電阻技術(shù)- 玻璃微熔技術(shù)- 陶瓷電容技術(shù)

硅壓阻技術(shù)由半導(dǎo)體的壓阻特性來(lái)實(shí)現(xiàn),半導(dǎo)體材料的壓阻特性取決于材料種類(lèi)、摻雜濃度和晶體的晶向等因素。該技術(shù)可以采用半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn),具有尺寸小,產(chǎn)量高、成本低、信號(hào)輸出靈敏度高等優(yōu)勢(shì)。不足之處主要體現(xiàn)在介質(zhì)耐受程度低,溫度特性差和長(zhǎng)期穩(wěn)定性較差等方面。常見(jiàn)于中低壓量程范圍,如5kPa~700kPa。業(yè)界也有通過(guò)特殊封裝工藝提高硅壓阻技術(shù)的介質(zhì)耐受程度的方案,如充油、背壓等技術(shù),但也會(huì)帶來(lái)成本大幅增加等問(wèn)題。

陶瓷電阻技術(shù)采用厚膜印刷工藝將惠斯通電橋印刷在陶瓷結(jié)構(gòu)的表面,利用壓敏電阻效應(yīng),實(shí)現(xiàn)將介質(zhì)的壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。陶瓷電阻技術(shù)具有成本適中,工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì),目前國(guó)內(nèi)有較多廠(chǎng)家提供陶瓷電阻壓力傳感器芯體。但該技術(shù)信號(hào)輸出靈敏度低,量程一般限定在500kPa~10MPa,且常規(guī)中空結(jié)構(gòu),僅靠膜片承壓,抗過(guò)載能力差,當(dāng)待測(cè)介質(zhì)壓力過(guò)載時(shí),陶瓷電阻傳感器會(huì)存在膜片破裂,介質(zhì)泄露的風(fēng)險(xiǎn)。

玻璃微熔技術(shù)采用高溫?zé)Y(jié)工藝,將硅應(yīng)變計(jì)與不銹鋼結(jié)構(gòu)結(jié)合。硅應(yīng)變計(jì)等效的四個(gè)電阻組成惠斯通電橋,當(dāng)不銹鋼膜片的另一側(cè)有介質(zhì)壓力時(shí),不銹鋼膜片產(chǎn)生微小形變引起電橋變化,形成正比于壓力變化的電壓信號(hào)。玻璃微熔工藝實(shí)現(xiàn)難度較大,成本高。主要優(yōu)勢(shì)是介質(zhì)耐受性好,抗過(guò)載能力強(qiáng),一般適用于高壓和超高壓量程,如10MPa~200MPa,應(yīng)用較為受限。

陶瓷電容技術(shù)采用固定式陶瓷基座和可動(dòng)陶瓷膜片結(jié)構(gòu),可動(dòng)膜片通過(guò)玻璃漿料等方式與基座密封固定在一起。兩者之間內(nèi)側(cè)印刷電極圖形,從而形成一個(gè)可變電容,當(dāng)膜片上所承受的介質(zhì)壓力變化時(shí)兩者之間的電容量隨之發(fā)生變化,通過(guò)調(diào)理芯片將該信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換調(diào)理后輸出給后級(jí)使用。陶瓷電容技術(shù)具有成本適中,量程范圍寬,溫度特性好、一致性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性好等優(yōu)勢(shì)。國(guó)際上來(lái)看廣泛應(yīng)用于汽車(chē)與工業(yè)過(guò)程控制等領(lǐng)域,分別以美國(guó)森薩塔和瑞士E+H為代表。由于電容信號(hào)不同于電阻信號(hào),對(duì)信號(hào)處理電路要求較高,傳感器設(shè)計(jì)時(shí)需要將電容和信號(hào)調(diào)理芯片ASIC協(xié)同考慮,國(guó)內(nèi)目前僅蘇州納芯微電子股份有限公司能夠同時(shí)提供兩者整合的完整解決方案。

陶瓷電容壓力傳感器的產(chǎn)品設(shè)計(jì)

陶瓷電容壓力傳感器芯體測(cè)壓原理

典型陶瓷電容壓力傳感器芯體為密封表壓結(jié)構(gòu),由陶瓷基座和可變形膜片及中空密封腔體三部分組成,承壓面為可變形膜片,當(dāng)芯體承壓發(fā)生變化時(shí),變形膜承壓后發(fā)生彎曲,導(dǎo)致基板間距發(fā)生變化,引起極板間電容的變化,電容變化通過(guò)調(diào)理芯片轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn)輸出(如0~5V電壓輸出、4~20mA電流輸出、I2C、SPI數(shù)字輸出等)。

圖1:陶瓷電容壓力傳感器承壓前截面圖

圖2:陶瓷電容壓力傳感器承壓后截面圖

典型陶瓷電容壓力傳感器密封結(jié)構(gòu)

為保證氣密性,在陶瓷電容壓力傳感器的產(chǎn)品設(shè)計(jì)種,選用O型圈或者墊片作為密封的關(guān)鍵部件,其中O型圈更為常見(jiàn)。因?yàn)镺型圈具備優(yōu)良的線(xiàn)性密封特性,承壓范圍寬于墊片(墊片一般推薦用于2MPa以?xún)?nèi)的密封)等優(yōu)點(diǎn)。

O型圈的尺寸、材質(zhì)、硬度等參數(shù)選擇將直接影響最終壓力傳感器的產(chǎn)品性能,需要結(jié)合總成尺寸、待測(cè)介質(zhì)類(lèi)型、工作溫度范圍等因素綜合考慮后選型。

壓力傳感器中常見(jiàn)的O型圈材料有三元乙丙橡膠(EPDM),氫化丁腈橡膠(HNBR),硅橡膠(QM),氯丁橡膠(CR)、氟橡膠(FKM)、氟硅橡膠(MFQ)等。

圖3:典型O型圈材料的使用溫度范圍(source:Parker)

一般來(lái)說(shuō),汽車(chē)空調(diào)壓力傳感器,采用HNBR或CR材料的O型圈,機(jī)油壓力傳感器采用氟橡膠等。汽車(chē)氣剎壓力傳感器可采用硅橡膠材料的O型圈;即便是同一種類(lèi)材料,各生產(chǎn)廠(chǎng)家通過(guò)特殊的摻雜或者聚合處理,可擴(kuò)展其使用溫度范圍。同一種傳感器應(yīng)用,可能存在多種可選的材料進(jìn)行匹配,在具體使用時(shí),應(yīng)與O型圈廠(chǎng)家進(jìn)行咨詢(xún)確認(rèn)后,選擇合適的O型圈材料及牌號(hào)進(jìn)行傳感器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

陶瓷電容壓力傳感器的一般密封結(jié)構(gòu)如下圖所示:

圖4:陶瓷電容典型密封結(jié)構(gòu)示意圖

壓力傳感器裝配完成后,陶瓷電容底部需要與金屬外殼保持一定的距離(上圖中間隙)。一般陶瓷電容壓力傳感器承受正壓,因此僅保留O型圈槽外圈,以降低加工難度。

通過(guò)控制上圖中臺(tái)階一與O型圈槽底的高度差,對(duì)O型圈壓縮量進(jìn)行控制。

臺(tái)階二與O型圈槽底構(gòu)成O型圈槽,對(duì)O型圈裝配位置進(jìn)行限定,另需要O型圈槽的槽頂進(jìn)行倒圓角以防止O型圈承壓后被殼體切割,對(duì)O型圈槽底倒圓角以降低裝配應(yīng)力。

陶瓷電容壓力傳感器的典型應(yīng)用

陶瓷電容壓力傳感器因其耐腐蝕、抗沖擊、無(wú)遲滯、介質(zhì)兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)可以廣泛應(yīng)用在水、氣、液多種介質(zhì)的壓力檢測(cè),尤其適合于汽車(chē)系統(tǒng)的惡劣環(huán)境下工作。針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)及家電等壓力傳感器的新興應(yīng)用市場(chǎng),陶瓷電容抗沖擊優(yōu)勢(shì)可以應(yīng)用于供水管網(wǎng)的水壓測(cè)量,完美應(yīng)對(duì)水錘效應(yīng);針對(duì)可變壓力的壓力煲應(yīng)用,陶瓷電容平膜結(jié)構(gòu)可以避免堵塞。

汽車(chē)領(lǐng)域陶瓷電容壓力傳感器典型應(yīng)用如下表所示:

表1:汽車(chē)領(lǐng)域陶瓷電容壓力傳感器典型應(yīng)用

物聯(lián)網(wǎng)及家電領(lǐng)域陶瓷電容壓力傳感器典型應(yīng)用如下表所示:

表2:汽車(chē)領(lǐng)域陶瓷電容壓力傳感器典型應(yīng)用

審核編輯:符乾江
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