從多個廠商和研究機構(gòu)的成果我們可以看到，接下來的幾個高級過程節(jié)點的設(shè)備路線圖似乎相對清晰。FinFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)隨后將被“gate-all-around”器件取代，通常使用多個堆疊的溝道，然后金屬柵完全被“納米片”圍繞。盡管鰭片由于在鰭片的高度和厚度上的遍歷而表現(xiàn)出改善的柵極至溝道靜電，但堆疊的納米片卻進一步改善了這種靜電控制——優(yōu)化了亞閾值泄漏電流。

提議的對納米片拓?fù)涞臄U展是“forksheet”，如下圖所示。

forksheet研發(fā)的目標(biāo)是消除nFET到pFET器件的間距規(guī)則（用于公共柵極輸入連接），用薄氧化物隔離兩組納米片。晶體管密度獲得這種引人注目的增益的代價是——柵極再次在三個側(cè)面上包圍了溝道體積–“ FinFET側(cè)面翻轉(zhuǎn)”是forksheet的一個常見的相似之處。

盡管后FinFET節(jié)點的大批量制造（HVM）的日期有些不確定，但是可以預(yù)料，這些不斷發(fā)展的納米片/forksheet拓?fù)鋵⒃?024-25年間出現(xiàn)。

現(xiàn)在，也有很多納米片的替代品正在進行積極的工藝開發(fā)和設(shè)備研究。假設(shè)“納米”設(shè)備拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)將至少用于兩個制程節(jié)點，那么，如果有任何新設(shè)備想要在2028-30年間達(dá)到HVM，則現(xiàn)在需要積極進行研究。

在最近的IEDM會議上，Synopsys展示了他們在此時間范圍內(nèi)針對“ 1nm”節(jié)點的領(lǐng)先器件替代產(chǎn)品之一的預(yù)測和設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO）評估結(jié)果。本文總結(jié)了他們演講的重點。

“1nm”節(jié)點

下圖描述了最近幾個工藝節(jié)點上晶體管密度的直線趨勢。（此圖是Synopsys與IC Knowledge，Inc.合作的一部分。）

關(guān)于此圖需要注意的幾件事：

X軸上的節(jié)點名稱表示從14nm節(jié)點的簡單過渡，每個連續(xù)的數(shù)據(jù)點由0.7X的摩爾定律線性乘數(shù)定義

毫無疑問，SemiWiki的頻繁閱讀者無疑知道，代工廠分配給后續(xù)節(jié)點的實際術(shù)語已經(jīng)增加了一些“營銷投入”。為了便于討論，如果DTCO流程開發(fā)的目標(biāo)確實要保留在該曲線上，則使用0.7X名稱是合適的。

每個節(jié)點上的密度數(shù)據(jù)點代表來自多個晶圓廠的指標(biāo)

數(shù)據(jù)點包括用于邏輯和SRAM實現(xiàn)的單獨措施

邏輯密度通常與制造技術(shù)通常使用的基礎(chǔ)庫單元實現(xiàn)相關(guān)。例如，一個2輸入NAND單元的面積使用以下方式反映了該單元中的4個器件：

the contacted poly pitch（CPP）

cell中水平金屬走線的數(shù)量（用于信號和電源）

cell鄰接隔離間隔（“擴散中斷”與單元之間的虛設(shè)柵極捆綁在一起）

另一個關(guān)鍵單元尺寸是（可掃描的）數(shù)據(jù)觸發(fā)器的面積。上面的晶體管密度計算針對每個邏輯數(shù)據(jù)點使用NAND和FF單元的邏輯混合。

需要特別注意的是，對于1nm節(jié)點，在Synopsys投影中使用的設(shè)備拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的假設(shè)。積極的研究正在進行中，以在與該節(jié)點一致的時間范圍內(nèi)評估幾種非硅場效應(yīng)器件類型，例如2D半導(dǎo)體材料（MoS2）和1D碳納米管。為了保持在晶體管密度曲線上的目標(biāo)，Synopsys TCAD團隊采用了DTCO工藝定義來實現(xiàn)3D“互補FET”（CFET）。下圖說明了CFET的橫截面。

CFET技術(shù)的一個吸引人的特征是與納米片拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的相似性，后者將在1nm節(jié)點的時間范圍內(nèi)具有多年的制造經(jīng)驗。CFET方法的新穎之處在于pFET和nFET納米片的垂直放置。

CFET拓?fù)淅昧说湫偷腃MOS邏輯應(yīng)用，其中將公共輸入信號施加到nFET和pFET器件的柵極。（稍后將討論具有僅nFET字線傳輸門的6T SRAM位單元的獨特情況。）

上圖顯示了pFET納米片如何直接位于nFET納米片下方。在圖中，存在兩個nFET納米片，比pFET窄，這主要是由于需要空間來接觸pFET源極和漏極節(jié)點，因此nFET的寬度減小了。并聯(lián)的兩個nFET將提供與pFET相當(dāng)?shù)尿?qū)動強度。（CFET中的SRAM位單元設(shè)計采用了不同的策略。）還顯示了有源柵極上的M0接觸（COAG）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，擴展了這種最新的工藝增強功能。

CFET器件的處理需要特別注意pFET和nFET的形成。用于pFET源/漏節(jié)點的SiGe的外延生長用于在溝道中引入壓縮應(yīng)變，以提高空穴遷移率。然后執(zhí)行pFET柵極氧化物和金屬柵極沉積。隨后，nFET源極/漏極節(jié)點的外延Si生長，隨后的柵極氧化物和金屬柵極沉積必須遵守現(xiàn)有pFET器件施加的材料化學(xué)約束。

埋入式電源導(dǎo)軌（Power rails）

請注意，對于1nm節(jié)點的假設(shè)是，本地VDD和GND分布將由“埋入電源軌”（BPR）提供，它們位于基板中的納米片下方。結(jié)果，既需要“淺”（器件）通孔，又需要“深”（BPR）通孔。因此，BPR和過孔的金屬成分是關(guān)鍵的工藝優(yōu)化，以降低寄生接觸電阻。（主要）金屬必須具有低電阻率，并以極薄的勢壘和襯里材料沉積在溝槽中。

說到寄生，下面的（簡化）布局圖突出了CFET拓?fù)涞莫毺貎?yōu)勢。

CFET器件的三維方向消除了單獨的nFET和pFET區(qū)域之間的柵極穿越。而且，與FinFET器件布局相比，柵極到源極/漏極局部金屬化層的并行運行長度顯著減少。（圖中顯示了經(jīng)過納米片的較小的柵極長度擴展。）結(jié)果，使用CFET極大地改善了器件的寄生Rgate電阻和Cgs / Cgd電容。

CFET SRAM設(shè)計

在CFET工藝中實現(xiàn)6T SRAM位單元會帶來一些折衷。Synopsys DTCO團隊選擇了獨特的設(shè)計特征，如下圖所示。

nFET下拉：pFET上拉比很容易達(dá)到2：1

前面所示的兩個較小的nFET納米片，其邏輯驅(qū)動強度比為1：1，與SRAM位單元中的pFET的寬度相同，驅(qū)動力為2：1。（請注意，這可以與FinFET位單元相媲美，其中nFET鰭片的數(shù)量為2而pFET鰭片的數(shù)量為1。）

實現(xiàn)了一對修改的nFET傳輸門器件

用于傳輸門（pass gates）的兩個nFET納米片（略）比下拉電阻弱；柵極僅存在于納米片的三個側(cè)面上。這種“三柵極”配置提供了更密集的位單元，并優(yōu)化了傳輸門：下拉nFET器件的相對強度，以實現(xiàn)可靠的單元讀取容限。

通過門器件下的pFET納米片現(xiàn)在變成無效的“虛擬”門

內(nèi)部6T電池互連使用唯一的“交叉耦合”層（在M0通孔水平）

流程開發(fā)早期的DTCO分析利用TCAD仿真工具來表示材料光刻圖案，材料沉積和（選擇性）蝕刻輪廓。這項早期的優(yōu)化工作可洞悉所需的工藝窗口以及預(yù)期的材料尺寸和電性能，包括可優(yōu)化自由載流子遷移率的溝道應(yīng)變。

隨后的寄生提取與器件模型合并，可以為新工藝進行初步的功率/性能測量，并結(jié)合器件布局區(qū)域進行完整的PPA評估。下圖（比較忙）提供了上述SRAM位單元的DTCO分析的可視化。

總結(jié)

在IEDM上，Synopsys TCAD團隊基于CFET器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)窺視了“ 1nm”節(jié)點的特性，其中一個pFET納米片低于兩個nFET納米片。還假定有埋入式電源軌。光刻假設(shè)基于（高數(shù)值孔徑）EUV的利用，例如39nm CPP（帶有COAG）和19nm M0金屬間距。相對于PU：PD：PG的相對驅(qū)動強度以及內(nèi)部交叉耦合互連層，均采用了獨特的SRAM位單元設(shè)計方法。

DTCO分析的結(jié)果表明，1nm CFET節(jié)點確實可以保持較高的晶體管密度，接近10 ** 9晶體管/ mm ** 2?？吹酱祟A(yù)測如何演變將非常有趣。

原文標(biāo)題：1nm節(jié)點的猜想

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