2021年開年，資本市場依然是國內(nèi)半導體市場最重要的話題之一，上周，CPU廠商海光信息、IGBT廠商比亞迪半導體、FPGA廠商安路科技、EDA廠商概倫電子、芯片測試廠商偉測半導體等均披露了IPO輔導進展，而這周，又有一批集成電路企業(yè)的科創(chuàng)板上市進展被披露。

01普冉半導體成功闖關

1月26日，科創(chuàng)板上市委2021年第10次審議會議結果顯示，普冉半導體（上海）股份有限公司（下稱“普冉半導體”）（首發(fā)）符合發(fā)行條件、上市條件和信息披露要求。這意味著，存儲器芯片廠商普冉半導體成功闖關科創(chuàng)板，即將登陸資本市場的舞臺。

資料顯示，普冉半導體成立于2016年，主營業(yè)務是非易失性存儲器芯片的設計與銷售，主要產(chǎn)品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片，這兩大類芯片可廣泛應用于手機、計算機、網(wǎng)絡通信、家電、工業(yè)控制、汽車電子、可穿戴設備和物聯(lián)網(wǎng)等領域。

據(jù)悉，在NOR Flash業(yè)務方面，普冉半導體已經(jīng)和匯頂科技、恒玄科技、杰理科技、中科藍訊等主控原廠，深天馬、合力泰、華星光電等手機屏幕廠商建立了穩(wěn)定的業(yè)務合作關系，產(chǎn)品應用于三星、OPPO、vivo、華為、小米、聯(lián)想、惠普等品牌廠商。

在EEPROM業(yè)務方面，普冉半導體已經(jīng)和舜宇、歐菲光、丘鈦、信利、合力泰、三星電機、三贏興、盛泰等行業(yè)內(nèi)領先的手機攝像頭模組廠商以及聞泰科技、華勤通訊、龍旗科技等ODM廠商形成了穩(wěn)定的合作關系，產(chǎn)品廣泛應用于OPPO、vivo、華為、小米、美的等知名廠商的終端產(chǎn)品中。

本次普冉半導體科創(chuàng)板上市擬募資3.45億元，扣除發(fā)行費用后將主要用于閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、總部基地及前沿技術研發(fā)項目三大項目的建設。

02東微半導體確定科創(chuàng)板

1月25日，江蘇證監(jiān)局披露了蘇州東微半導體股份有限公司（下稱“東微半導體”）的輔導中期備案報告，報告顯示，東微半導體的輔導備案日期為2020年12月18日，公司自此進入首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的輔導期，輔導機構為中金公司。

資料顯示，東微半導體成立于2008年，是一家國產(chǎn)功率半導體廠商，在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累，專注半導體器件技術創(chuàng)新，擁有多項半導體器件核心專利。其產(chǎn)品包括高壓GreenMOS系列、中低壓SGTMOS系列以及IGBT，應用領域涵蓋快速充電器、充電樁應用、開關電源、直流電機驅(qū)動、光伏逆變器等。

2016年東微半導體自主研發(fā)的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產(chǎn)，打破國外廠商壟斷。作為國內(nèi)高性能功率半導體領域的重要廠商，東微半導體不僅獲得了華為的青睞，同時大基金和中芯國際亦通過旗下上海聚源聚芯間接投資了該公司。

2020年7月，東微半導體獲得華為旗下投資機構哈勃科技投資入股，企查查信息顯示，目前，哈勃科技持有東微半導體7%的股份，是該公司第六大股東。而上海聚源聚芯早在2017年便已入股東微半導體，目前是第四大股東，持股10.5682%。據(jù)悉，國家大基金是上海聚源聚芯的第一大股東，持股45.091%，而中芯國際又通過中芯晶圓（上海）間接持有上海聚源聚芯第二大股東中芯晶圓（寧波）股份。

03博藍特半導體、中車電氣已問詢

上交所信息顯示，浙江博藍特半導體科技股份有限公司（以下簡稱“博藍特半導體”）和株洲中車時代電氣股份有限公司（以下簡稱“中車時代”）的IPO信息分別與1月25日和1月26日更新為已問詢狀態(tài)。

資料顯示，博藍特半導體成立于2012年，深耕半導體材料領域多年，主要從事新型半導體材料、器件及相關設備的研發(fā)和應用，著重于圖形化藍寶石、碳化硅等半導體襯底、器件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，以及半導體制程設備的升級改造和銷售，目前主要產(chǎn)品包括PSS、碳化硅襯底以及光刻機改造設備。

博藍特半導體此次擬募集資金5.05億元，扣除發(fā)行費用后，用于主營業(yè)務相關項目的投入，包括年產(chǎn)300萬片Mini/Micro-LED芯片專用圖形化藍寶石襯底項目、年產(chǎn)540萬片藍寶石襯底項目、以及第三代半導體研發(fā)中心建設項目。

博藍特半導體表示，公司成立以來，致力于半導體襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。第三代半導體研發(fā)中心建設項目，將為公司主營業(yè)務發(fā)展提供新產(chǎn)品研發(fā)的技術支撐，具體包括第三代半導體產(chǎn)品碳化硅、GaN襯底、外延制備、研發(fā)為代表的寬禁帶半導體材料，以及深紫外LED芯片；高亮度藍、綠光LED芯片設計及研發(fā)，通過提升公司研發(fā)水平，延伸研發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈相關產(chǎn)品。

中車電氣2005年9月，并于2006年在香港聯(lián)交所上市，主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設計、制造、銷售并提供相關服務，同時積極布局功率半導體器件等領域。在功率半導體器件業(yè)務方面，中車電氣一直以來致力于功率半導體技術的自主研究，目前已成長為我國功率半導體領域集器件開發(fā)、生產(chǎn)與應用于一體的代表企業(yè)，主要產(chǎn)品覆蓋雙極器件、IGBT和SiC等。

據(jù)了解，中車電氣建有6英寸雙極器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的產(chǎn)業(yè)化基地，擁有芯片、模塊、組件及應用的全套自主技術。該公司生產(chǎn)的全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品打破了軌道交通核心器件和特高壓輸電工程關鍵器件由國外企業(yè)壟斷的局面，目前正在解決我國新能源汽車核心器件自主化問題。

此外，中車電氣的“高性能 SiC SBD、MOSFET電力電子器件產(chǎn)品研制與應用驗證”項目已通過科技成果鑒定，實現(xiàn)了高性能SiC SBD五個代表品種和SiC MOSFET三個代表品種，部分產(chǎn)品已得到應用。

中車電氣時代此次擬募集資金77.67億元，擬將本次發(fā)行所募集資金扣除發(fā)行費用后投資于新型傳感器研發(fā)應用項目、新產(chǎn)業(yè)先進技術研發(fā)應用項目等項目。
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