美光全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片
美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存的工藝節(jié)點都不使用明確的數(shù)字，而是1x、1y、1z、1α等等，越往后越先進，或者說1xnm比較接近20nm，1αnm則更接近10nm。
美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40％，同時還能讓功耗降低15％，能讓5G手機性能更好、機身更輕薄、續(xù)航更持久。
DDR4、LPDDR4甚至是未來的DDR5，同樣都能使用這種新工藝，并支持智能手機、筆記本、臺式機、服務(wù)器、嵌入式等各種應(yīng)用設(shè)備。
美光臺灣晶圓廠已經(jīng)開始量產(chǎn)并出貨1αnm DRAM內(nèi)存芯片，首批是DDR4內(nèi)存條，隸屬于Crucial英睿達品牌，還在試產(chǎn)和評估LPDDR4，后續(xù)會用于更多內(nèi)存類型。
責編AJX
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