邏輯芯片產(chǎn)業(yè)正朝著晶體管結(jié)構(gòu)的根本性變革邁進(jìn)。本月早些時(shí)候，在IEEE國際固態(tài)電路會議（IEEE International Solid-State Circuits Conference）上，三星工程師分享了即將推出的 3nm GAE MBCFET 芯片的制造細(xì)節(jié)，并介紹了該產(chǎn)品的靈活性是如何使片上存儲單元的寫入電壓降低數(shù)百毫伏，從而有可能在未來的芯片上節(jié)省電力。

盡管臺灣半導(dǎo)體制造公司（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.，TSMC）計(jì)劃在下一代工藝（3納米節(jié)點(diǎn)）中繼續(xù)使用FinFETs，但三星還是選擇了推出其版本的納米片，即multibridge channel MOSFETs（MBCFET）。在場效應(yīng)晶體管（FinFETs）中，晶體管中電流流過的部分是一個從周圍硅中凸出的垂直翅片。閘門覆蓋在翅片上，覆蓋在翅片的三個側(cè)面，以控制流經(jīng)通道的電流。納米片用一堆水平的硅片代替了翅片。

三星電子副總裁Taejoong Song在虛擬會議上對與會者說：“我們使用FinFET晶體管已經(jīng)有十年了，但是在3nm的情況下，我們使用的是一種全柵晶體管。新型晶體管“提供高速、低功耗和小面積的特性?！?/p>

但是，正如早期納米片開發(fā)人員在IEEE Spectrum中解釋的那樣，這種新的器件結(jié)構(gòu)增加了FinFETs所缺乏的設(shè)計(jì)靈活性。這里的關(guān)鍵是晶體管通道的“有效寬度”，即Weff。一般來說，對于給定的電壓，較寬的通道可以驅(qū)動更多的電流通過，從而有效地降低其電阻。因?yàn)樵贔inFET中不能改變翅片的高度，所以用現(xiàn)在的晶體管來提高Weff的唯一方法就是在每個晶體管上增加更多的翅片。所以用FinFET你可以將Weff增加兩倍或三倍，但不能增加25%或減少20%。但是，可以改變納米片設(shè)備中片的寬度，因此使用它們的電路可以由具有各種特性的晶體管組成。

“近期，設(shè)計(jì)師們在（實(shí)現(xiàn)最高設(shè)備頻率）和低功耗方面面臨許多挑戰(zhàn)，”Song說，“由于這種設(shè)計(jì)靈活性，SRAM…可以得到更大的改進(jìn)?！?/p>

Song和他的團(tuán)隊(duì)利用這種靈活性改進(jìn)了潛在的下一代SRAM的性能。SRAM是一種六晶體管存儲器單元，主要用作處理器上的高速緩存，也是邏輯芯片中最密集的部分之一。三星測試了兩種方案來提高SRAM的寫入裕量，這是切換電池狀態(tài)所需的最低電壓。隨著芯片互連的縮小和電阻的增加，該值一直處于壓力之下。

SRAM的六個晶體管可分為三對：the pass gates， the pull ups， 以及the pull downs。在FinFET設(shè)計(jì)中，所有三種類型的Weff均相等。但是使用納米片設(shè)備，三星團(tuán)隊(duì)可以自由進(jìn)行更改。他們合而為一，使pass gates和pull downs變得更寬。在另一種情況下，他們使pass gates變寬，而pull downs變窄。這樣做的目的是降低寫入SRAM單元所需的電壓，而又不會使該單元變得如此不穩(wěn)定，以至于其讀取會意外翻轉(zhuǎn)。

三星預(yù)計(jì)將在2022年推出采用3nm工藝的MBCFET。

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