近日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM，頻率4800MHZ，電壓1.1V，時序40-40-40 1.1V ，容量16G（單面）/32G（雙面）。

嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆?，F(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準備DDR5量產(chǎn)；目前嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠完成量產(chǎn)下線。

嘉合勁威表示，如今DDR正在向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代。嘉合勁威作為全球排名前四的內(nèi)存模組廠商，為了迎接新一代DDR產(chǎn)品的到來也在不斷努力。未來將陸續(xù)生成更高頻率、更大容量的DDR5。

其他國產(chǎn)內(nèi)存廠商最新進展

今天，國產(chǎn)內(nèi)存廠商朗科也發(fā)布了DDR5最新進展表示，公司DDR5內(nèi)存已經(jīng)進入研發(fā)階段，正在與華碩、微星等主板廠商合作驗證兼容性測試，已成功開機并運行至操作系統(tǒng)。

朗科DDR5內(nèi)存模組單根/單面16GB容量，采用MicronDDR5顆粒，編號為Z9ZSB ES，搭配KO（先進）最新黑板PCB（板號：KO-8802A-5）。

朗科表示，繼2020年7月DDR5 SDRAM內(nèi)存標(biāo)準發(fā)布后，DDR5新技術(shù)應(yīng)用進程加快，2021年將是DDR5內(nèi)存技術(shù)升級換代的快速發(fā)展的重要階段。朗科將會緊跟存儲技術(shù)發(fā)展趨勢，全力研發(fā)推進DDR5內(nèi)存，為存儲行業(yè)的應(yīng)用提供更多可能性。

在今年3月，江波龍也正式發(fā)布了Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1），根據(jù)江波龍官方的資料，兩款原型內(nèi)存的容量分別是16GB和32GB，頻率達到了6400MHz，時序為40-40-40-77，工作電壓為1.1V，參數(shù)上來說比現(xiàn)在DDR4內(nèi)存要優(yōu)秀。

江波龍電子使用英特爾的Alder Lake-S ADP-S CRB開發(fā)板，搭配32GB的DDR5內(nèi)存模組，在Windows 10 Pro操作系統(tǒng)里通過AIDA64軟件展示DDR5的測試數(shù)據(jù)顯示，內(nèi)存的讀取速度為35844MB/s，寫入速度32613MB/s，相比DDR4內(nèi)存有大幅提升，大約在27-28%左右。

支持DDR5內(nèi)存的CPU平臺今年底首發(fā)

DDR5是一種計算機內(nèi)存規(guī)格，固態(tài)存儲協(xié)會2020年7月，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會協(xié)會正式公布了DDR5標(biāo)準，起步4800MHz，未來可以達到6400MHz。

美光、SK海力士等DRAM芯片廠商陸續(xù)推出DDR5DRAM顆粒，內(nèi)存模組廠商也積極跟進研發(fā)量產(chǎn)DDR5內(nèi)存模組。相對于DDR4來說，DDR5的功耗更低，穩(wěn)定性、安全性更高，容量、頻率的上限將實現(xiàn)數(shù)倍提升。

根據(jù)JEDEC，DDR5內(nèi)存的引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4.8Gbps（4800MHz）起跳，比末代DDR4的標(biāo)準頻率3200MHz增加了50%之多，總傳輸帶寬提升了38%，未來將最高摸到8400MHz左右。

不過至于支持的平臺，目前AMD及Intel尚未官宣支持DDR5的CPU，嘉合勁威旗下阿斯加特在今年早些時候指出，Intel的Sapphire Rapids-SP 服務(wù)器處理器、12 代酷睿 Alder Lake 系列桌面處理器和 Tiger Lake-U 系列（優(yōu)化版）移動處理器，以及AMD 的梵高 APU、AMD 的 “Rembrandt”系列（或6600U ）有望支持支持DDR5。

有消息稱，今年底Intel Alder Lake 12代酷睿平臺將會首發(fā)支持DDR5內(nèi)存，因此，2021年將成為DDR5內(nèi)存啟動的元年。這也是為什么今年來DDR5領(lǐng)域異?；钴S，從顆粒廠商到模組廠商都在積極備戰(zhàn)，加速研發(fā)新產(chǎn)品。

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