電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線最新產(chǎn)品。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的DDR5產(chǎn)品是中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達(dá)8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模組及新型產(chǎn)品，覆蓋服務(wù)器、工作站及個(gè)人電腦等全場(chǎng)景領(lǐng)域，滿足各領(lǐng)域的高端市場(chǎng)需求。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X產(chǎn)品是中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的LPDDR5X。其最高速率10667Mbps，最高顆粒容量16Gb，并涵蓋12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多種封裝解決方案。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)通過DDR與LPDDR雙線創(chuàng)新突破，將進(jìn)一步豐富全球存儲(chǔ)芯片的供給，為下游客戶創(chuàng)造多元價(jià)值選擇。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將持續(xù)深耕技術(shù)迭代，精準(zhǔn)響應(yīng)市場(chǎng)需求，以自主實(shí)力引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)生態(tài)協(xié)同升級(jí)。

2025年10月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在IEEE 2025 ASICON會(huì)議上分享了LPDDR5X產(chǎn)品的最新進(jìn)展。目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5X的產(chǎn)品陣容包括顆粒、芯片及模組等形態(tài)。其中顆粒包括12Gb和16Gb兩個(gè)容量點(diǎn)。芯片形態(tài)提供了覆蓋12GB、16GB、24GB等多個(gè)容量點(diǎn)的解決方案。模組形態(tài)的LPCAMM產(chǎn)品容量為16GB和32GB。LPDDR5X產(chǎn)品的速率覆蓋了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同時(shí)兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X產(chǎn)品已于今年5月量產(chǎn)，10667Mbps速率的產(chǎn)品已經(jīng)啟動(dòng)客戶送樣。

AI 大模型參數(shù)規(guī)模龐大，GPU 等計(jì)算單元常需等待數(shù)據(jù)傳輸，DDR5 高帶寬特性可快速為計(jì)算單元提供數(shù)據(jù)，縮短AI訓(xùn)練和推理時(shí)間。AI 數(shù)據(jù)中心需要處理海量數(shù)據(jù)，單臺(tái) AI 服務(wù)器的存儲(chǔ)需求是普通服務(wù)器的 8-10 倍。

而LPDDR5X 通過 SOCAMM 等模塊形式引入數(shù)據(jù)中心，SOCAMM技術(shù)定位為面向AI服務(wù)器的新型高帶寬、低功耗內(nèi)存解決方案，其設(shè)計(jì)目標(biāo)是在提供與HBM（高帶寬內(nèi)存）相近性能的同時(shí)，有效降低成本。通過將LPDRAM與壓縮連接內(nèi)存模塊 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比傳統(tǒng)的DDR5 RDIMM 配置更節(jié)省空間，且功耗低三分之一。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已陸續(xù)推出 DDR4、LPDDR4X、LPDDR5 和 DDR5 等產(chǎn)品，形成了完整的產(chǎn)品系列，最新展出的DDR5和LPDD5X已躋身國(guó)際主流水平。隨著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等廠商的產(chǎn)能擴(kuò)張以及持續(xù)的技術(shù)突破，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈正在逐步成熟，具備了和國(guó)際主流存儲(chǔ)廠商競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。

此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司長(zhǎng)鑫科技已于10月10日完成A股IPO輔導(dǎo)驗(yàn)收，預(yù)計(jì)將于2025年底至2026年初提交上市申請(qǐng)。