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兆易創(chuàng)新:明年自研LPDDR4X量產(chǎn),規(guī)劃小容量LPDDR5X

晶芯觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃晶晶 ? 2025-11-26 11:58 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,11月24日,兆易創(chuàng)新高管在2025年第三季度業(yè)績說明會上表示,公司利基型DRAM產(chǎn)品量價齊升,公司今年新量產(chǎn)的DDR4 8Gb較快搶占份額,進(jìn)入第三季度銷量已經(jīng)與DDR4 4Gb基本相當(dāng)。明年公司將實現(xiàn)自研LPDDR4X系列產(chǎn)品的量產(chǎn),并著手規(guī)劃LPDDR5X小容量產(chǎn)品的研發(fā)。

公司利基型DRAM產(chǎn)品今年一季度末價格回暖,下半年利基型DRAM收入有明顯增長。2025年公司利基型DRAM業(yè)務(wù)營收有望超預(yù)期達(dá)成本年初計劃同比增長50%的目標(biāo),本年下半年利基型DRAM收入有明顯增長,有望超越MCU業(yè)務(wù)成為公司第二大產(chǎn)品線。

Flash同樣受益于存儲周期的改善,源于在AI基建中,對NAND Flash有源源不斷的需求。NAND Flash主要用于存儲溫數(shù)據(jù)及冷數(shù)據(jù),存儲數(shù)據(jù)量巨大,同時擦寫次數(shù)相對有限,對NAND Flash的需求量在不斷加大。海外大廠都在將重心從2DNAND向3D NAND遷移,從而帶來2D NAND相對明顯的短缺。在此背景下,公司的SLC NAND產(chǎn)品開始漲價。

NOR Flash已經(jīng)處于相對成熟發(fā)展階段,行業(yè)的增長主要來源于代碼量的提升,當(dāng)前端側(cè)AI的發(fā)展進(jìn)一步推動NOR Flash容量需求的提升,近期三方咨詢機(jī)構(gòu)已經(jīng)把行業(yè)CAGR從5~7%上調(diào)至8%。NOR Flash也處于為溫和漲價周期中,源于產(chǎn)能端的緊缺,公司順應(yīng)市場需求變化對價格做出適當(dāng)調(diào)整,9月開始陸續(xù)落地。本年初預(yù)計NOR Flash收入同比增長10%,目前看有信心實現(xiàn)目標(biāo)。

定制化存儲解決方案進(jìn)展順利,進(jìn)入年末,陸續(xù)有部分項目進(jìn)入客戶送樣、小批量試產(chǎn)階段,明年有望在汽車座艙、AIPC、機(jī)器人等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)芯片量產(chǎn)。長期來看,我們堅信這一技術(shù)路線在端側(cè)AI會得到廣泛應(yīng)用,在AI大發(fā)展的時代,定制化存儲的市場空間潛力非常大。在這一領(lǐng)域,公司憑借自身的研發(fā)實力和先發(fā)優(yōu)勢,有望占據(jù)重要地位。

兆易創(chuàng)新高管表示,目前我們對存儲周期的看法相較今年上半年更加樂觀。美國科技巨頭推動AI基建,算力增長對存儲的需求量進(jìn)一步顯著提升,且科技巨頭所宣布的產(chǎn)能需求相較于主要存儲廠商實際計劃增加的量還要大。

展望明年,預(yù)計NOR Flash和SLC NAND Flash毛利率溫和提升。利基型DRAM市場呈現(xiàn)明顯的供不應(yīng)求現(xiàn)象,初步預(yù)計漲價趨勢在未來的兩個季度有望得以延續(xù),并在明年后續(xù)幾個季度維持相對較高的價格水平。另外,公司將結(jié)合實際經(jīng)營需求與DRAM核心供應(yīng)商積極協(xié)商,爭取得到產(chǎn)能支持。此外,MCU毛利率保持平穩(wěn)。

兆易創(chuàng)新高管表示,多年來,公司共對長鑫科技累計總投資金額23億元。公司與長鑫科技開展業(yè)務(wù)合作,長鑫科技的良好發(fā)展,為公司利基DRAM產(chǎn)品提供較好的產(chǎn)能支持。公司利基型DRAM產(chǎn)品量價齊升,公司今年新量產(chǎn)的DDR4 8Gb較快搶占份額,進(jìn)入第三季度銷量已經(jīng)與DDR4 4Gb基本相當(dāng)。明年公司將實現(xiàn)自研LPDDR4X系列產(chǎn)品的量產(chǎn),并著手規(guī)劃LPDDR5X小容量產(chǎn)品的研發(fā)。

公司NAND Flash產(chǎn)品屬于SLC NAND,在消費(fèi)電子、工業(yè)、汽車電子、通訊等領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)了全品類的產(chǎn)品覆蓋。未來公司將積極把握行業(yè)供給格局變化的機(jī)遇,在2D NAND領(lǐng)域研發(fā)更高存儲密度的產(chǎn)品,但公司并無3D NAND的產(chǎn)品規(guī)劃。
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