Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8mΩ*nC

Vishay 推出多功能新型 30 V n 溝道 TrenchFET第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。

Vishay SiliconixSiSS52DN采用熱增強(qiáng)型 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK1212-8S 封裝，10 V 條件下導(dǎo)通電阻僅為 0.95 mΩ，比上一代產(chǎn)品低 5 %。此外， 4.5 V 條件下器件導(dǎo)通電阻為 1.5 mΩ，而 4.5 V 條件下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即 MOSFET 開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為 29.8 mΩ*nC，是市場(chǎng)上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。

SiSS52DN的 FOM 比上一代器件低 29%，從而降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、OR-ring FET 低邊開關(guān)，以及服務(wù)器、通信和 RF 設(shè)備電源的負(fù)載切換。MOSFET 可提高隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的性能，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)人員兩種電路的器件選擇。 器件經(jīng)過(guò) 100 % RG和 UIS 測(cè)試，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

原文標(biāo)題：新型 30V N溝道 MOSFET 提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效

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