英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200V SiC MOSFET SMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW。

也許您已選用測試，

或許還在選型觀望，

又或者正懵懂于“.XT”是個(gè)啥？

不妨讀完此文，撥云見日，

三站地鐵，十分鐘足矣。

一、“.XT”是個(gè)啥？

提到.XT，熟悉英飛凌的老司機(jī)們，早已會(huì)心一笑，腦海中不由浮現(xiàn)出叱咤風(fēng)電、一身土豪金的IGBT5模塊。

英飛凌應(yīng)用在大功率IGBT模塊中的“.XT”技術(shù)，覆蓋1200V、1700V和3300V電壓，主要用于高可靠性的風(fēng)電和牽引等場合，在芯片與DCB之間用了銀燒結(jié)技術(shù)（約20um），來提升可靠性，細(xì)節(jié)可參見往期文章這里就不再贅述了。

但是.XT并不是指某一種特定的封裝技術(shù)，而是英飛凌高可靠封裝與互連技術(shù)的統(tǒng)稱。所以并不是“.XT”技術(shù)就是特指Ag Sintering（銀燒結(jié)）。

今天的重點(diǎn)——在SiC表貼D2PAK-7L中的“.XT”技術(shù)。SiC單管中的“.XT”，采用了Diffusion Soldering（擴(kuò)散焊）技術(shù)。

簡而言之，就是在特定溫度和壓力條件下，使得SiC芯片的背面金屬，與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴(kuò)散，形成可靠的冶金連接，以釜底抽薪之勢，一舉省去中間焊料。所謂大道至簡、惟精惟一，惟英飛凌Know-how的特殊背金芯片與工藝才能實(shí)現(xiàn)。

當(dāng)“.XT”技術(shù)遇上SiC單管，

又會(huì)迸發(fā)出怎樣的火花？

二、“.XT”有啥用？

一言以蔽之：降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻，同時(shí)提高可靠性。

眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth（j-c）熱阻的主要是芯片、焊料和基板。

SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/（m*K），遠(yuǎn)高于IGBT的Si（124W/（m*K）），甚至超過金屬鋁（220W/（m*K）），與Lead Frame的銅（390 W/（m*K））非常接近。而一般焊料的導(dǎo)熱率才60 W/（m*K）左右，典型厚度在50~100um，所占整個(gè)器件內(nèi)部Rth（j-c）熱阻之權(quán)重，自不言而喻。

所以，單管封裝中引入擴(kuò)散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片與lead frame之間的焊料，優(yōu)化了器件熱阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET單管為例。

基于“.XT”技術(shù)的D2PAK-7L（TO-263-7），相比當(dāng)前焊接版的TO247-3/4L（不排除以后也更新到Diffusion版），可降低約25%的穩(wěn)態(tài)熱阻Rth（j-c），和約45%的瞬態(tài)熱阻Zth（j-c）。

“.XT”技術(shù)對器件穩(wěn)態(tài)熱阻Rth（j-c）的提升及其影響

同樣以1200V/30mOhm D2PAK-7L為例，假定TCase溫度100?C，芯片結(jié)溫Tvj不超過140?C。

當(dāng)采用“.XT”技術(shù)后，芯片允許的最大損耗從59W增加到79W，相應(yīng)地可以增加約14%的電流輸出，或者提高開關(guān)頻率fsw，或者降低芯片溫度以提升壽命可靠性。（PS：估算相對理想，在實(shí)際應(yīng)用中，在芯片最大損耗增加的同時(shí)，也要綜合考慮散熱器和器件Case溫度的升高。）

“.XT”技術(shù)對器件瞬態(tài)熱阻Zth（j-c）的提升及其影響

降低瞬態(tài)熱阻，除了在結(jié)溫波動(dòng)ΔTvj大的場合提升器件工作壽命和可靠性之外，還可以增強(qiáng)SiC MOSFET正向和反向的浪涌電流沖擊能力。以英飛凌1200V/30mOhm的SiC MOSFET體二極管的浪涌電流的實(shí)測為例，。

基于“.XT”技術(shù)，峰值電流可以從176A增加到278A，對應(yīng)的瞬態(tài)I2T值可以從157A2S到390A2S。此外，Zth（j-c）的提升，還能增加SiC MOSFET約15%的短路時(shí)間或者短路耐量，讓短路保護(hù)設(shè)計(jì)更加從容。

編輯：jq