在上篇中，我們探討了三星以NAND閃存技術為基礎，推動了存儲介質(zhì)從HDD到SSD模式的轉變。

今天，我們就來了解一下，三星SSD核心部件的技術自主化研發(fā)歷程，以及三星SSD產(chǎn)品的迭代與創(chuàng)新。

憑借SSD技術的自主化和創(chuàng)新

三星深受SSD市場青睞！

SSD 由 NAND 閃存、DRAM、控制器硬件和驅(qū)動該設備的固件（Firmware）組成。如果說，NAND閃存是存放書籍的“圖書館”，那么控制器就是整理書籍的“圖書管理員”。

換句話說，NAND閃存通過提高數(shù)據(jù)集成度來增加SSD的容量，而控制器則是利用控制接口和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸，并決定讀取和寫入順序，以此提高SSD性能。 通過不斷創(chuàng)新，三星實現(xiàn)了NAND閃存、控制器、固件等SSD核心部件的技術自主化。

在三星SSD商用化進程中，NAND 閃存的創(chuàng)新發(fā)揮了重要作用。2006年，三星研發(fā)出了可以突破浮柵（Floating Gate）技術局限的CTF（電荷擷取閃存，Charge Trap Flash） NAND技術，為SSD的發(fā)展帶來重大成功?；谶@項技術，三星將40nm 32Gb NAND閃存應用于SSD，并實現(xiàn)了產(chǎn)品的商用化。

在NAND閃存發(fā)展早期，三星就已經(jīng)開始關注并堅信其即將打開新的應用領域。三星還曾預測，在2010年以后，SSD將超越GB（千兆字節(jié)，Gigabyte）時代，TB（太字節(jié)，Terabyte）的超容量半導體技術將成為可能。 現(xiàn)在，這種預測已經(jīng)成為了現(xiàn)實。2010年，三星正式啟動了消費級SSD業(yè)務。

2011年，推出了20納米級高速NAND閃存，以及搭載了專用控制器的SSD 830系列產(chǎn)品。并于2012年推出了采用3bit MLC（TLC，TripleLevel Cell）NAND閃存的SSD 840系列產(chǎn)品，打破了過去認為“采用3bit MLC NAND閃存的SSD無法實現(xiàn)高性能、高可靠性運行”的觀念。 2013年，三星開始量產(chǎn)3D V-NAND閃存，再一次突破了微技術的瓶頸。且實現(xiàn)了三維集成技術商用化?；谶@項技術，三星開始不斷拓展大容量SSD市場，并于2014年推出了搭載3D V-NAND的SSD 850系列產(chǎn)品，從此消費級市場也開始轉向以V-NAND為基礎的產(chǎn)品。

2013年，三星開始量產(chǎn)企業(yè)數(shù)據(jù)中心級1TB SSD，2016年推出15.36TB SSD，并于2018年推出企業(yè)數(shù)據(jù)中心級30.72TB SSD。自2006年32GB SSD亮相以來，僅僅經(jīng)過12年時間，三星就將其存儲容量增加了1000倍，開啟了超高容量半導體時代。 目前，三星依然在閃存技術領域和SSD市場上進行創(chuàng)新，不斷制造更多新驚喜，讓我們一起繼續(xù)期待吧。

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