91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Microchip宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合

AMDRadeon顯卡中國 ? 來源:Microchip微芯 ? 作者:Microchip微芯 ? 2021-08-12 11:14 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

如今為商用車輛推進(jìn)系統(tǒng)提供動(dòng)力的節(jié)能充電系統(tǒng),以及輔助電源系統(tǒng)、太陽能逆變器、固態(tài)變壓器和其他交通和工業(yè)應(yīng)用都依賴于高壓開關(guān)電源設(shè)備。為了滿足這些需求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布擴(kuò)大其碳化硅產(chǎn)品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。

Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率,之前的技術(shù)要求設(shè)計(jì)人員在性能上做出妥協(xié)并使用復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。此外,電力電子系統(tǒng)的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫,只有通過提高開關(guān)頻率才能減小尺寸。

新推出的碳化硅系列產(chǎn)品使工程師能夠舍棄IGBT,轉(zhuǎn)而使用零件數(shù)量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。在沒有開關(guān)限制的情況下,功率轉(zhuǎn)換單元的尺寸和重量可以大大減少,從而騰出空間來建立更多充電站,提供更多空間搭載付費(fèi)乘客和貨物,或者延長重型車輛、電動(dòng)巴士和其他電池驅(qū)動(dòng)商業(yè)車輛的續(xù)航能力和運(yùn)行時(shí)間,所有這些都可以降低整體系統(tǒng)成本。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示:“交通運(yùn)輸領(lǐng)域的系統(tǒng)開發(fā)人員不斷被要求在無法變大的車輛中容納更多的人和貨物。幫助實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的最佳方式之一,是通過利用高壓碳化硅功率器件,大幅降低電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的尺寸和重量,同時(shí)提高效率。在交通運(yùn)輸行業(yè)的應(yīng)用也可為許多其他行業(yè)應(yīng)用帶來類似的好處。”

新產(chǎn)品特點(diǎn)包括柵極氧化物穩(wěn)定性,Microchip在重復(fù)非鉗位感應(yīng)開關(guān)(R-UIS)測試中觀察到,即使延長到10萬個(gè)脈沖之后,閾值電壓也沒有發(fā)生漂移。R-UIS測試還顯示了出色的雪崩耐固性和參數(shù)穩(wěn)定性,以及柵極氧化物的穩(wěn)定性,實(shí)現(xiàn)了在系統(tǒng)使用壽命內(nèi)的可靠運(yùn)行??雇嘶w二極管利用碳化硅MOSFET可以消除對(duì)外部二極管的需要。與IGBT相當(dāng)?shù)亩搪纺褪苣芰山?jīng)受有害的電瞬變。在結(jié)溫0至175攝氏度范圍內(nèi),相比對(duì)溫度更敏感的碳化硅MOSFET,較平坦的RDS(on)曲線使電力系統(tǒng)能夠更穩(wěn)定地運(yùn)行。

Microchip通過AgileSwitch數(shù)字可編程驅(qū)動(dòng)器系列和各種分立和功率模塊,以標(biāo)準(zhǔn)和可定制的形式簡化了技術(shù)的采用。這些柵極驅(qū)動(dòng)器有助于加快碳化硅從實(shí)驗(yàn)到生產(chǎn)的開發(fā)速度。

Microchip的其他碳化硅產(chǎn)品包括700V和1200V的MOSFET和肖特基勢壘二極管系列,提供裸片和各種分立和功率模塊封裝。Microchip將內(nèi)部碳化硅裸片生產(chǎn)與低電感功率封裝和數(shù)字可編程門驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合,使設(shè)計(jì)人員能夠制造出最高效、緊湊和可靠的最終產(chǎn)品。

Microchip整體系統(tǒng)解決方案還包括單片機(jī)MCU)、模擬和外設(shè)以及通信、無線和安全技術(shù)產(chǎn)品。

開發(fā)工具

與Microchip的MPLAB Mindi模擬仿真器兼容的碳化硅SPICE仿真模型為系統(tǒng)開發(fā)人員提供了在投入硬件設(shè)計(jì)之前模擬開關(guān)特性的資源。智能配置工具(ICT)使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)镸icrochip的AgileSwitch系列數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器的高效碳化硅柵極驅(qū)動(dòng)器建模。

責(zé)任編輯:haq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18841

    瀏覽量

    263508
  • microchip
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    1640

    瀏覽量

    120903
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    262994

原文標(biāo)題:Microchip推出業(yè)界耐固性最強(qiáng)的碳化硅功率解決方案

文章出處:【微信號(hào):amd-super-pc,微信公眾號(hào):AMDRadeon顯卡中國】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓

    碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項(xiàng)重大行業(yè)里程碑:成功制造出單晶 300 mm(12英寸)碳化硅晶圓。憑借著業(yè)內(nèi)最為龐大
    的頭像 發(fā)表于 01-16 09:21 ?1932次閱讀

    簡單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

    博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級(jí)供應(yīng)商以及
    的頭像 發(fā)表于 12-12 14:14 ?797次閱讀

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析

    傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體(BASiC Semiconductor)提供的碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 10-21 10:12 ?562次閱讀
    傾佳代理的基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET分立器件<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>力及應(yīng)用深度分析

    傾佳電子賦能AI革命:AIDC電源架構(gòu)趨勢及基本半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品組合的戰(zhàn)略價(jià)值

    傾佳電子賦能AI革命:AIDC電源架構(gòu)趨勢及基本半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品組合的戰(zhàn)略價(jià)值 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力
    的頭像 發(fā)表于 10-15 09:19 ?1227次閱讀
    傾佳電子賦能AI革命:AIDC電源架構(gòu)趨勢及基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>產(chǎn)品組合</b>的戰(zhàn)略價(jià)值

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑,可滿足全球?qū)稍偕茉?、電?dòng)汽車 (EV
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1771次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用

    碳化硅 (SiC) 技術(shù)并非憑空而來,它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎(chǔ)之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術(shù)和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強(qiáng)化基礎(chǔ)專利。僅在過去的五年中,我們
    的頭像 發(fā)表于 09-22 09:31 ?833次閱讀

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料產(chǎn)品組合開啟大規(guī)模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產(chǎn)品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標(biāo)
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:12 ?1577次閱讀

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1639次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學(xué)性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1173次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術(shù)應(yīng)用打造
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

    在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下,國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代市場份額的重大機(jī)遇。
    的頭像 發(fā)表于 06-19 16:43 ?960次閱讀

    Diodes公司多款最新產(chǎn)品概述

    Diodes 公司擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FOM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。
    的頭像 發(fā)表于 06-06 16:09 ?1006次閱讀
    Diodes公司多款最新<b class='flag-5'>產(chǎn)品</b>概述

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子技術(shù)的重要組成部分。本文將詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?1258次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?1417次閱讀

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?

    電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅
    發(fā)表于 03-12 11:31 ?999次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?