91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備等知識點集合

芯片工藝技術(shù) ? 來源:芯片工藝技術(shù) ? 作者:芯片工藝技術(shù) ? 2021-10-13 10:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

最近光博會上看到一本關(guān)于光刻的小冊子,里面有一點內(nèi)容,分享給大家。

關(guān)于光刻的原理、光刻設(shè)備、光刻膠的種類和選擇等。

開篇 光刻的原理

037496e8-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

04a2e6e6-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

表面處理:一般的晶圓光刻前都需要清潔干凈,特別是有有機物的、顆粒的、會影響光刻膠的厚度。

涂膠:根據(jù)工藝要求,目前常用的兩種涂膠工藝,一個就是旋轉(zhuǎn)涂覆、一個就是噴涂。根據(jù)工藝要求和光刻膠的性能、可以有不同厚度的光刻膠。

前烘:就比較講究了,因為這東西肉眼看不見變化。只有最后出來光刻了才知道好壞,有時候還不明顯。

0522a7d2-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

0626f002-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

上圖是曝光機的汞燈光源光譜圖。

關(guān)于曝光劑量的問題:

通常我們監(jiān)控曝光機的光強,主要針對單一波長測量。比如常用的UV探測器測試的波段一般是365nm和436nm,有的光刻機帶有濾波片,可以選擇其中一個波段使用。比如有的光刻膠給的曝光量是針對365nm的,也有光刻膠給的是436nm的,因此再沒有加濾光片的前提下,計算曝光時間時是不能直接用曝光劑量除以光強的,但是也不是上文中的再除以2.5~3的樣子,在2~3的樣子,還要看具體的設(shè)備和汞燈的壽命使用情況。

06e9b1b4-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

其他的曝光機根據(jù)曝光波段不同,分了很多種類型的曝光。

075c9a9e-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

常用工藝和光刻膠選擇

092c9c7a-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

0a984a64-1fba-11ec-82a8-dac502259ad0.png

編輯:jq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 探測器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    15

    文章

    2763

    瀏覽量

    75920
  • 光刻
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    364

    瀏覽量

    31346
  • 光刻膠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    354

    瀏覽量

    31795

原文標題:光刻知識點集合

文章出處:【微信號:dingg6602,微信公眾號:芯片工藝技術(shù)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    光刻膠剝離工藝

    (N-甲基吡咯烷酮)、乳酸乙酯強極性溶劑溶脹并溶解光刻膠分子鏈,適用于傳統(tǒng)g線/i線正膠體系。例如,NMP因低蒸氣壓可加熱至80℃以增強對交聯(lián)型光刻膠的去除能力
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?1945次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離工藝

    改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    的應(yīng)用。 改善光刻圖形線寬變化的方法 優(yōu)化曝光工藝參數(shù) 曝光是決定光刻圖形線寬的關(guān)鍵步驟。精確控制曝光劑量,可避免因曝光過度導(dǎo)致光刻膠過度反應(yīng),使線寬變寬;或曝光不足造成線寬變窄。采用先進的曝光
    的頭像 發(fā)表于 06-30 15:24 ?976次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b>圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    改善光刻圖形垂直度的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻圖形的垂直度對器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準控制光刻圖形垂直度是保障先進制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法,并
    的頭像 發(fā)表于 06-30 09:59 ?681次閱讀
    改善<b class='flag-5'>光刻</b>圖形垂直度的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    ASML杯光刻「芯 」勢力知識挑戰(zhàn)賽正式啟動

    ASML光刻「芯」勢力知識挑戰(zhàn)賽由全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商ASML發(fā)起,是一項面向中國半導(dǎo)體人才與科技愛好者的科普賽事。依托ASML在光刻領(lǐng)域的技術(shù)積累與行業(yè)洞察,賽事致力于為參賽者打造一個深度探索
    的頭像 發(fā)表于 06-23 17:04 ?1276次閱讀
    ASML杯<b class='flag-5'>光刻</b>「芯 」勢力<b class='flag-5'>知識</b>挑戰(zhàn)賽正式啟動

    MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

    在 MEMS(微機電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機將不同層設(shè)計圖案對準精度的關(guān)鍵指標。光刻
    的頭像 發(fā)表于 06-18 11:30 ?1919次閱讀
    MEMS制造領(lǐng)域中<b class='flag-5'>光刻</b>Overlay的概念

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保問題備受關(guān)注。同時,光刻
    的頭像 發(fā)表于 06-17 10:01 ?827次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    為什么光刻要用黃光?

    進入過無塵間光刻區(qū)的朋友,應(yīng)該都知道光刻區(qū)里用的都是黃燈,這個看似很簡單的問題的背后卻蘊含了很多鮮為人知的道理,那為什么實驗室光刻要用黃光呢? 光刻是微流控芯片制造中的重要工藝之一。簡
    的頭像 發(fā)表于 06-16 14:36 ?1278次閱讀

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
    的頭像 發(fā)表于 06-14 09:42 ?905次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻工藝中的顯影技術(shù)

    一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕工藝過程,將設(shè)計在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
    的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?2840次閱讀

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量

    。 光刻膠剝離液及其制備方法 常見光刻膠剝離液類型 有機溶劑型剝離液 有機溶劑型剝離液以丙酮、N - 甲基吡咯烷酮(NMP)有機溶劑為主體成分。丙酮對普通光刻膠的溶解能力強,能夠快速
    的頭像 發(fā)表于 05-29 09:38 ?1359次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在<b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極

    電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極 隨著科技進步,對電子顯微鏡的精度要求越來越高。電子直寫光刻機的精度與電子波長和電子束聚焦后的焦點直徑有關(guān),電子波長可通過增加加速電極電壓來減小波長,而電子束聚焦后
    發(fā)表于 05-07 06:03

    光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費試用

    光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進行掩模版加工制造,在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺,在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
    發(fā)表于 05-02 12:42

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9552次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>膠的類型及特性

    成都匯陽投資關(guān)于光刻機概念大漲,后市迎來機會

    【2025年光刻機市場的規(guī)模預(yù)計為252億美元】 光刻機作為半導(dǎo)體制造過程中價值量和技術(shù)壁壘最高的設(shè)備之一,其在半導(dǎo)體制造中的重要性不言而喻。 目前,全球市場對光刻機的需求持續(xù)增長,尤
    的頭像 發(fā)表于 04-07 09:24 ?1430次閱讀