相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升

針對本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率，本文將會給出使用實際電源電路進(jìn)行評估的結(jié)果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時的結(jié)果進(jìn)行了比較。測試條件為輸入電壓in=390V、輸出電壓Vout=12V、輸出電流Iout=10A～50A、開關(guān)頻率fsw=100kHz。

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如圖所示，結(jié)果顯示R6020JNX（紅色實線）在整個負(fù)載范圍內(nèi)效率最高。R6020JNX是最新一代的PrestoMOS，具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)的高速trr和優(yōu)化的寄生電容。

此外，與比較對象R6020FNX（相當(dāng)于上一代產(chǎn)品）和其他MOSFET相比，柵極閾值電壓VGS（th）更高，這會使誤導(dǎo)通導(dǎo)致的直通電流難以流過。通常，當(dāng)VGS（th）高時，導(dǎo)通損耗會增加，但在PSFB電路中，可以在輕負(fù)載時調(diào)整Dead Time，在重負(fù)載時利用ZVS技術(shù)，來減少各自的導(dǎo)通損耗，因此，弱化了高VGS（th）帶來的劣勢。

從這些方面來看，可以說要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率，選擇trr盡可能小、開關(guān)特性優(yōu)異的SJ MOSFET很重要。

關(guān)鍵要點

?在SJ MOSFET的效率對比中，PrestoMOS是效率最好的。

?要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB電路的效率，重要的是要選擇trr盡可能小、開關(guān)特性優(yōu)異的SJ MOSFET。

編輯：jq