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東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

文傳商訊 ? 來源:文傳商訊 ? 作者:文傳商訊 ? 2022-02-01 20:22 ? 次閱讀
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?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”。這是東芝首款具有此類電壓等級的產(chǎn)品,與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件的陣容。

新模塊在安裝方式上與廣泛使用的硅(Si) IGBT模塊兼容。它們的低能量損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對更高效率和更小尺寸的需求,如軌道車輛的轉(zhuǎn)換器逆變器,以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。

應(yīng)用

軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器

可再生能源發(fā)電系統(tǒng)

電機控制設(shè)備

高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

特點

安裝方式兼容Si IGBT模塊

損耗低于Si IGBT模塊

MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25°C
Eon=25mJ(典型值), Eoff=28mJ(典型值) @VDS=600V,ID=600A,Tch=150°C

MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A, Tch=150°C

內(nèi)置NTC熱敏電阻

主要規(guī)格

(除非另有規(guī)定,否則@Tc=25°C)

部件編號

MG600Q2YMS3

MG400V2YMS3

封裝

2-153A1A

絕對

最大

額定值

漏-源電壓VDSS(V)

1200

1700

柵-源電壓VGSS(V)

+25/-10

+25/-10

漏極電流 (DC) ID(A)

600

400

漏極電流(脈沖)IDP(A)

1200

800

溝道溫度Tch(°C)

150

150

隔離電壓Visol(Vrms)

4000

4000

電氣

特性

漏-源導(dǎo)通電壓(感應(yīng))

VDS(on)sense典型值(V)

@VGS=+20V,

Tch=25°C

0.9

@ID=600A

0.8

@ID=400A

源-漏導(dǎo)通電壓(感應(yīng))

VSD(on)sense典型值(V)

@VGS=+20V,

Tch=25°C

0.8

@IS=600A

0.8

@IS=400A

源-漏關(guān)斷電壓(感應(yīng))

VSD(off)sense典型值(V)

@VGS=-6V,

Tch=25°C

1.6

@IS=600A

1.6

@IS=400A

開通損耗Eontyp. (mJ)

Eon典型值(mJ)

@Tch=150°C

25

@ VDS=600V,

ID=600A

28

@VDS=900V,

ID=400A

關(guān)斷損耗Eofftyp. (mJ)

Eoff典型值(mJ)

@Tch=150°C

28

@ VDS=600V,

ID=600A

27

@VDS=900V,

ID=400A

熱敏電阻特性

額定NTC電阻R典型值(kΩ)

5.0

5.0

NTC B值 B典型值(K)

@TNTC=25 - 150°C

3375

3375

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