?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”。這是東芝首款具有此類電壓等級的產(chǎn)品,與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件的陣容。
新模塊在安裝方式上與廣泛使用的硅(Si) IGBT模塊兼容。它們的低能量損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對更高效率和更小尺寸的需求,如軌道車輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器,以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
應(yīng)用
軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
電機控制設(shè)備
高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
特點
安裝方式兼容Si IGBT模塊
損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25°C
Eon=25mJ(典型值), Eoff=28mJ(典型值) @VDS=600V,ID=600A,Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A, Tch=150°C
內(nèi)置NTC熱敏電阻
主要規(guī)格
|
(除非另有規(guī)定,否則@Tc=25°C) |
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|
部件編號 |
MG600Q2YMS3 |
MG400V2YMS3 |
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|
封裝 |
2-153A1A |
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|
絕對
最大
額定值 |
漏-源電壓VDSS(V) |
1200 |
1700 |
|
|
柵-源電壓VGSS(V) |
+25/-10 |
+25/-10 |
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|
漏極電流 (DC) ID(A) |
600 |
400 |
||
|
漏極電流(脈沖)IDP(A) |
1200 |
800 |
||
|
溝道溫度Tch(°C) |
150 |
150 |
||
|
隔離電壓Visol(Vrms) |
4000 |
4000 |
||
|
特性 |
漏-源導(dǎo)通電壓(感應(yīng))
VDS(on)sense典型值(V) |
@VGS=+20V,
Tch=25°C |
0.9
@ID=600A |
0.8
@ID=400A |
|
源-漏導(dǎo)通電壓(感應(yīng))
VSD(on)sense典型值(V) |
@VGS=+20V,
Tch=25°C |
0.8
@IS=600A |
0.8
@IS=400A |
|
|
源-漏關(guān)斷電壓(感應(yīng))
VSD(off)sense典型值(V) |
@VGS=-6V,
Tch=25°C |
1.6
@IS=600A |
1.6
@IS=400A |
|
|
開通損耗Eontyp. (mJ)
Eon典型值(mJ) |
@Tch=150°C |
25
@ VDS=600V,
ID=600A |
28
@VDS=900V,
ID=400A |
|
|
關(guān)斷損耗Eofftyp. (mJ)
Eoff典型值(mJ) |
@Tch=150°C |
28
@ VDS=600V,
ID=600A |
27
@VDS=900V,
ID=400A |
|
|
熱敏電阻特性 |
額定NTC電阻R典型值(kΩ) |
5.0 |
5.0 |
|
|
NTC B值 B典型值(K) |
@TNTC=25 - 150°C |
3375 |
3375 |
|
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