下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)--環(huán)氧灌封技術(shù)
目前國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)IGBT模塊廠家采用傳統(tǒng)硅膠灌封方式；
隨著國(guó)內(nèi)客戶在新能源車(chē)用電網(wǎng)電力風(fēng)電方面（1200V以上領(lǐng)域）對(duì)IGBT模塊要求越來(lái)越高；硅膠灌封有不足之處；連續(xù)在高溫200度環(huán)境下工作；性能變差；底部會(huì)產(chǎn)生VOLD；鋁線形變；器件容易擊穿燒毀
代表世界最新技術(shù)的日本超級(jí)IGBT模塊大廠（M社/F社）已逐步采用高耐熱；低熱膨脹低收縮性液態(tài)環(huán)氧來(lái)代替硅膠灌封，國(guó)內(nèi)已有電力方面IGBT模組大公司在進(jìn)行環(huán)氧灌封技術(shù)試驗(yàn)（1200V以上領(lǐng)域）
審核編輯：符乾江
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