摘要

提供了清潔覆蓋半導(dǎo)體襯底的金屬區(qū)域的方法。文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁從金屬區(qū)域去除材料的方法包括加熱金屬區(qū)域，由包含氫氣和二氧化碳的氣體形成等離子體，以及將金屬區(qū)域暴露于等離子體。

發(fā)明領(lǐng)域

本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體制造，更具體地涉及剝離光致抗蝕劑和/或清潔半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的金屬或金屬硅化物區(qū)域的方法。

發(fā)明背景

電互連技術(shù)通常需要金屬或其他導(dǎo)電層或區(qū)域之間的電連接，這些導(dǎo)電層或區(qū)域位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)或覆蓋在半導(dǎo)體襯底上的不同高度處。這種互連通常部分地通過(guò)蝕刻穿過(guò)絕緣材料到較低高度金屬層或金屬化區(qū)域的溝槽和/或接觸開(kāi)口來(lái)進(jìn)行。例如，通常制造接觸開(kāi)口以與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的金屬硅化物區(qū)域形成導(dǎo)電接觸。溝槽和接觸開(kāi)口也常規(guī)地制造到各種金屬層以最終將一個(gè)高度上的一個(gè)半導(dǎo)體器件元件連接到另一個(gè)高度上的另一個(gè)半導(dǎo)體器件元件。

審核編輯：符乾江