Vishay Siliconix n 溝道MOSFET

超級(jí)結(jié)器件降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗

提高通信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用能效

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET 低 27 %，為通信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用提供了高效解決方案，同時(shí)實(shí)現(xiàn)柵極電荷下降 60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，該參數(shù)是 600 V MOSFET 在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo)(FOM)。

Vishay 豐富的 MOSFET 技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種新型電子系統(tǒng)。隨著 SiHK045N60E 的推出以及即將發(fā)布的第四代 600 V E 系列產(chǎn)品，公司可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿足提高能效和功率密度的要求——包括功率因數(shù)校正和硬切換 AC/DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiHK045N60E 采用 Vishay 最新高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，10 V 下典型導(dǎo)通電阻僅為 0.043 Ω，超低柵極電荷下降到 65 nC。器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC，比同類接近的 MOSFET 競(jìng)品器件低 3.4 %。SiHK045N60E 有效輸出電容 Co(er) 為117 pF，有助于改善開(kāi)關(guān)性能。這些性能參數(shù)意味著降低了傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，從而達(dá)到節(jié)能效果。SiHK045N60E 結(jié)殼熱阻 RthJC 為 0.45 C/W，比接近的競(jìng)品器件低 11.8 %，具有更加出色的熱性能。該器件采用 PowerPAK 10x12 封裝，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，可承受雪崩模式下過(guò)壓瞬變，并保證極限值 100 % 通過(guò) UIS 測(cè)試。

SiHK045N60E 現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨信息可與當(dāng)?shù)?Vishay 銷售代表聯(lián)系或發(fā)送電子郵件至 hvm@vishay.com。

原文標(biāo)題：FOM 僅 2.8 Ω*nC!第四代 600V E 系列 MOSFET，傳導(dǎo)損耗更低

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審核編輯：湯梓紅