電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）2月22日，有國外媒體在網(wǎng)上披露了高通正處于開發(fā)階段的兩款可穿戴處理器芯片相關信息。據(jù)悉，這兩款芯片將會被命名為Snapdragon Wear 5100和5100+。

目前該系列處理器芯片已經采用5nm工藝進行試生產，報道中明確地指出，該系列芯片到收尾階段將會以4nm工藝呈現(xiàn)，預計將會交由三星代工。與前代產品Wear 4100的12nm工藝相比，Wear 5100系列在生產工藝方面有著顯著的提升，芯片的性能和功耗有望得到新的突破。并且這兩款芯片將同時支持Android和Wear OS兩個操作系統(tǒng)。

Wear 5100系列芯片均采用了4顆基于ARM架構的Cortex-A53內核，峰值頻率可達1.7GHz的CPU，與前代產品Wear 4100使用的處理器內核一致。不過在圖形處理能力方面，Wear 5100系列采用了1顆峰值頻率可達700MHz的Adreno 702 GPU，與Wear 4100的320MHz Adreno 504相比，這將會是高通在可穿戴處理器芯片圖形處理方面邁出的一大步。并且該系列芯片
并沒有保留延用了兩代產品的LPDDR3內存技術，而是采用了讀寫速率更快的LPDDR4X RAM和eMMC 5.1閃存，其中LPDDR4X RAM最高支持4Gb內存擴展，內存將會以堆疊的形式集成在芯片上。

由于該系列芯片是面向可穿戴設備應用開發(fā)的處理器芯片，為滿足在智能手表的應用中，視頻錄像或圖片拍攝的功能需求，高通在這兩款芯片中內置了一個集成式的ISP，該ISP最高支持兩個圖像傳感器的信號輸入，每個圖像傳感器的最大分辨率為1300萬和1600萬像素。在啟用單攝像頭的情況下支持1080P的視頻錄制，在雙攝像頭同時啟用的情況下，支持最高分辨率為720P每秒30幀的視頻錄制。

以上是Wear 5100與Wear 5100+的相同之處，不同之處在于二者所采用的封裝工藝。Wear 5100采用的是模塑激光封裝（MLP），SoC和PMIC分別位于載體材料上，而Wear 5100+采用的是模塑嵌入式封裝（MEP），將SoC與PMIC集成在同一封裝內，設計更為緊湊。

并且Wear 5100+繼續(xù)沿用了主SoC+協(xié)處理器的系統(tǒng)架構，協(xié)處理器采用的是此前發(fā)布的QCC5100，其具有藍牙和Wi-Fi連接功能，可在單芯片運行情況下進行數(shù)據(jù)的處理。該處理器采用的是22nm的生產工藝，以及基于ARM的Cortex-M55超低功耗內核。

在該設計架構中，協(xié)處理器將會保持著始終在線的狀態(tài)，當主處理器處于工作狀態(tài)時，協(xié)處理器可以輔助完成一些輕量級的數(shù)據(jù)處理，當主處理器處于深度睡眠模式時，QCC5100將會保持藍牙與WiFi的穩(wěn)定連接，實現(xiàn)在非交互的狀態(tài)下保證信息的實時更新。同時協(xié)處理器還具備獨立的GPU和屏幕驅動功能，即使主處理器在深度睡眠狀態(tài)下依舊能實現(xiàn)屏幕喚醒的操作?；赒CC5100內置的ARM Ethos機器學習內核，可以做到無需主處理機即可實現(xiàn)睡眠關注和全天候心率監(jiān)測等功能，并降低電池電量的消耗。

總的來說，Wear 5100+的“+”就是采用的封裝工藝不同，同時還多了一個協(xié)處理器增強芯片的整體性能，能夠實現(xiàn)更低功耗的數(shù)據(jù)傳輸功能，以及延長設備的續(xù)航能力和電池使用壽命。

在芯片設計方面，Wear 5100系列沿用了很多歷代產品的設計架構，并且歷代產品的推出時間間隔也大多為兩年，盡管可穿戴設備芯片并不像手機SoC迭代節(jié)奏那么快，但也是時候要更新了。據(jù)爆料稱，Wear 5100系列有望在今年推出市場，但具體時間尚未確定，畢竟該系列芯片目前還處于研發(fā)階段。

結語

通過各項參數(shù)與歷代產品對比發(fā)現(xiàn)，高通新一代的可穿戴處理器在性能和功耗方面均有不小的提升，尤其是采用了4nm的生產工藝和超低功耗的協(xié)處理器內核，這可能將會是高通在可穿戴處理器方面對電池最為友好的一款產品了，也符合了可穿戴芯片低功耗的發(fā)展需求。畢竟作為一個產業(yè)鏈上游的芯片設計廠商，為延長可穿戴設備的電池續(xù)航能力，無法控制終端設備的電池容量，那就只能從降低芯片功耗入手了。