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續(xù)流二極管相關(guān)參數(shù)測(cè)量與評(píng)估方法

佳恩半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:佳恩半導(dǎo)體 ? 作者:佳恩半導(dǎo)體 ? 2022-04-13 13:54 ? 次閱讀
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利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(即FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。

一、FRD工作時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估

IGBT模塊中的并聯(lián)FRD,是一個(gè)非常重要的元件,但往往容易被忽視。其工作時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面:

1、IGBT 出現(xiàn)短路或者故障時(shí),IGBT驅(qū)動(dòng)器可以幫忙保護(hù),但FRD芯片損壞時(shí),沒(méi)有其他的防護(hù)手段;

2、在IGBT 開(kāi)通的時(shí)刻,實(shí)際上是FRD關(guān)斷的時(shí)刻。所有的功率半導(dǎo)體,包括IGBT 芯片和FRD芯片,在關(guān)斷時(shí)刻面臨的風(fēng)險(xiǎn)遠(yuǎn)大于其開(kāi)通時(shí)面臨的風(fēng)險(xiǎn);

二、FRD參數(shù)測(cè)量方法

FRD參數(shù)測(cè)量電路中,測(cè)試電路與雙脈沖測(cè)試相同,具體探頭連接及計(jì)算如下:

1、將電流探頭加在上管IGBT的集電極;

2、將電壓探頭加在上管 IGBT的C-E極間;

3、將檢測(cè)電壓及電流的瞬時(shí)值的積做為一個(gè)函數(shù),即可計(jì)算得出二極管的瞬時(shí)功率;

4、FRD只有在IGBT第二次開(kāi)通的時(shí)候才會(huì)有反向恢復(fù)行為,用示波器捕捉波形時(shí)應(yīng)注意時(shí)間選擇。

三、FRD性能與外部參數(shù)的關(guān)系

在外部參數(shù)發(fā)生變化時(shí),二極管的風(fēng)險(xiǎn)也在發(fā)生變化,在此,我們舉幾個(gè)需要特別注意的參數(shù):

1、驅(qū)動(dòng)的柵阻大小。IGBT驅(qū)動(dòng)的柵阻大小直接影響FRD前沿的di/dt大小,柵阻越小,F(xiàn)RD的di/dt越大,F(xiàn)RD反向恢復(fù)過(guò)程越容易出現(xiàn)震蕩,器件越容易損壞;

2、結(jié)溫。由于FRD的導(dǎo)通電壓VF具有負(fù)的溫度系數(shù),結(jié)溫越低,二極管的開(kāi)關(guān)速度越快,其反向恢復(fù)電流后沿就越陡峭,產(chǎn)生的電壓尖峰也越高;

3、母線電壓的高低。母線電壓越高,F(xiàn)RD兩端的承壓更高。

以上就是小編要分享的所有內(nèi)容啦,大家有任何問(wèn)題可留言給我們哦~

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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