紐約 Chestnut Ridge– 力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 （HDO） 結(jié)合使用時，可提供最準確的氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 功率半導體器件的電氣特性表征。

三十多年來，工程師們一直在使用硅 （Si） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 和絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 功率半導體器件來生產(chǎn)電源和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。然而，消費者需要體積更小、重量更輕的電源和系統(tǒng)，而政府要求更高的效率。寬禁帶 （WBG） 材料，例如GaN 和 SiC，開關速度比 Si 快十倍以上，并且在提高效率的同時減小了尺寸和重量。工程師采用寬禁帶半導體設計系統(tǒng)時，需要更大的測量帶寬，以對半導體器件進行更準確和詳細的分析。

力科新型DL-ISO高壓光隔離探頭為設計工程師提供了最可靠的 GaN 和SiC 功率半導體器件測量。新探頭配合力科業(yè)界領先的12 位分辨率HDO示波器具有最佳的信號保真度、最低的過沖和最佳的準確度1.5%，幾乎是競爭對手的兩倍。

1 GHz 帶寬滿足測量 GaN 器件1 ns 上升時間的要求。 HDO示波器還在12 位分辨率下提供高達20 GS/s 的采樣率，以捕獲和顯示最真實的高速 GaN 和 SiC 器件信號。這種最佳信號保真度、低過沖、高精度、高帶寬和高采樣率的組合對于在新設計中成功實施 GaN 和SiC 技術至關重要。

力科新的功率器件軟件包自動執(zhí)行JEDEC開關損耗和其他測量，以顏色編碼突出顯示相關的測量區(qū)域，進一步簡化了 GaN 和SiC 器件的分析。