91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

+關(guān)注 0人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

文章: 2007
視頻: 73
瀏覽: 95102
帖子: 52

功率器件簡介

  功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。功率器件有:如大功率晶體管,晶閘管,雙向晶閘管,GTO,MOSFET,IGBT.  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

功率器件百科

  功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。功率器件有:如大功率晶體管,晶閘管,雙向晶閘管,GTO,MOSFET,IGBT.  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

  做半導(dǎo)體功率器件的公司有哪些?

  中大功率IGBT:

  ABB

  Infineon

  Mitsubishi

  Semikron

  Hitachi

  Fuji

  南車株洲(收購的Dynex)

  常見的功率器件

  隨著半導(dǎo)體功率開關(guān)器件的發(fā)展與改進,降低了對電壓、電流、功率以及頻率進行控制的成本。同時,隨著集成電路、微處理器及超大規(guī)模集成電路(VLSI)在控制電路里的使用,大大提高了其控制的精度。一些常見的功率器件,如電力二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)及它們的符號和容量描述如下。本文暫不涉及它們的物理和工作特性等細(xì)節(jié)問題,有興趣的朋友可以參考其他資料。

  電力二極管

  電力二極管是具有兩個端子的PN結(jié)器件。當(dāng)陽極電勢與陰極電勢之差大于器件通態(tài)壓降時,即器件處于正向偏置時,器件導(dǎo)通并傳導(dǎo)電流。器件的通態(tài)壓降一般為0.7V。當(dāng)器件反向偏置時,如陽極電勢小于陰極電勢的情況,器件關(guān)斷并進入阻態(tài)。在關(guān)斷模式下,流經(jīng)二極管的電流波形如圖1所示,電流先降為零并且繼續(xù)下降,隨后上升回到零值。

  

  反向電流的存在是因為反向偏置導(dǎo)致器件中出現(xiàn)了反向恢復(fù)電荷。器件恢復(fù)阻斷能力的最小時間為;二極管的反向恢復(fù)電荷為,即圖示存在反向電流流動的區(qū)域。二極管自身除正向?qū)▔航低?,并不存在正向電壓阻斷能力。使?dǎo)通二極管關(guān)斷的唯一方式是施加反向偏置,如在陽極和陰極兩端加負(fù)電壓。需要注意的是,與其它器件不同,二極管不受低電壓信號控制。

  反向恢復(fù)時間在幾微秒到十幾微秒之間的二極管被歸為低開關(guān)頻率器件。它們主要應(yīng)用在開關(guān)時間同通態(tài)時間相比可以忽略的場合,其中開關(guān)時間包括導(dǎo)通時間和關(guān)斷時間兩部分。因此,這類二極管通常作為整流器用以將交流電整流為直流電,這樣的二極管被稱為電力二極管。電力二極管可以承受上千安培的電流和幾千伏的電壓,并且它們的開關(guān)頻率通常限制為市電的工頻頻率。

  對于需要快速開關(guān)的應(yīng)用場合,首選快恢復(fù)二極管。這類二極管的反向恢復(fù)時間僅需幾納秒,可承受幾百安培電流和幾百伏電壓,但其通態(tài)壓降為2-3V。快恢復(fù)二極管常見于電壓超過60-100V的快速開關(guān)整流器及逆變器中。而在低于60-100V的低電壓開關(guān)應(yīng)用中,可以使用肖特基二極管,其通態(tài)壓降為0.3V,因此,同電力二極管和快恢復(fù)二極管相比,肖特基二極管在電能轉(zhuǎn)換上的效率更高。

  MOSFET

  該器件是一類只需低電壓即可控制開通、關(guān)斷的場效應(yīng)晶體管,并具有30kHz到1MHz范圍的更高開關(guān)頻率。器件的容量多設(shè)計為100-200V時,可承受100A的電流;在1000V時,可承受10A的電流。這類器件在通態(tài)時的行為類似于電阻,因此可用作電流傳感器,從而在驅(qū)動系統(tǒng)中減少一個分立的電流傳感器,比如霍爾效應(yīng)電流傳感器,進而節(jié)省了成本并增強了電子封裝的緊湊性。MOSFET總是伴隨著一個反并聯(lián)的體二極管,該二極管有時也被稱作寄生二極管。體二極管并非超快速開關(guān)器件并且具有更高的電壓降。由于體二極管的緣故,MOSFET并沒有反向電壓阻斷能力。圖2為N溝道MOSFET器件的符號及其在不同柵源電壓下,漏電流與漏源電壓之間的特性曲線,通常柵源電壓值不會超過20V。為了減少開關(guān)噪聲的影響,在實際情況下,一般傾向于在柵源極間施加一個-5V左右的反向偏置電壓,這樣,為保證使器件導(dǎo)通,噪聲電壓必須大于閥值門控電壓和負(fù)偏置電壓之和。在低成本的驅(qū)動控制中,沒有條件為反向偏置門電路增加一路負(fù)邏輯電源,但許多工業(yè)驅(qū)動器卻需要這樣的保護電路。

  

  門控電壓信號以源極作為參考電位。該信號由微處理器或者數(shù)字信號處理器產(chǎn)生。一般來說,處理器不太可能具備直接驅(qū)動門極所需的電壓和電流容量。因此,在處理器的輸出及門極輸入之間需要加入電平轉(zhuǎn)換電路,使控制信號在器件導(dǎo)通瞬間具有5-15V的輸出電壓,同時具有大電流驅(qū)動能力(長達(dá)幾毫秒,根據(jù)不同應(yīng)用有所不同),這也被稱為門極驅(qū)動放大電路。由于各輸入邏輯電平信號由共同的電源供電,而各門極驅(qū)動電路連接著不同的MOSFET源極,各源極電平可能處于不同狀態(tài),所以,門極驅(qū)動放大電路同輸入邏輯電平信號之間是相互隔離的。為了產(chǎn)生隔離作用,在低電壓(《300V)時,采用單芯片光耦隔離;在小于1000V時,采用帶有高頻變壓器連接的DC-DC變換電路隔離;或者在高壓(》1000V)時;采用光纖連接進行隔離。針對不同電壓等級的各種隔離方法在實際應(yīng)用中或有體現(xiàn)。

  在門極驅(qū)動電路中,通常集成了過流、過壓及低壓保護電路。通過檢測MOSFET的漏源壓降可以獲知電流,而通過檢測變換器電路的直流輸入電壓可以提供電壓保護。這些都可以通過成本便宜的電阻進行檢測。典型的門極驅(qū)動電路如圖3所示。在很多門極驅(qū)動電路中,通過在門極信號放大電路前加入與電路,可將電流和電壓保護信號整合到門極輸入信號中。在這種情況下,需要更加注意保證的是,與電路和放大電路之間信號的延時必須非常小,以使得延時不會影響瞬間保護。目前已有單芯片封裝形式的門極驅(qū)動電路,這些芯片經(jīng)常在低電壓(《350V)變換器電路場合中使用。對于其它電壓等級,門極驅(qū)動電路幾乎都是針對某種電路特性的特殊應(yīng)用定制開發(fā)的。

  

  圖3 柵控驅(qū)動電路原理圖

  絕緣柵雙極型晶體管

  這是一類三端器件。該器件具有同MOSFET一樣理想的門控特性,并具有類似晶體管的反向電壓阻斷能力和導(dǎo)通特性,其符號如圖4。在5V的通態(tài)壓降下,目前這類器件的容量在電壓為3.3kV時,電流可以達(dá)到1.2kA;而在6.6kV時為0.6kA。并且在更小的電壓時獲得更大的電流及更小的導(dǎo)通壓降也是可行的。預(yù)測在不遠(yuǎn)的將來,將研制出最大電流(1kA)和電壓(15kV)等級的增強型商用器件。該器件的開關(guān)頻率往往集中在20kHz。但在大功率應(yīng)用場合,出于減少開關(guān)損耗及電磁干擾等方面的考慮,往往降低其開關(guān)頻率使用。

  

查看詳情

功率器件知識

展開查看更多

功率器件技術(shù)

儲能系統(tǒng)中功率器件的應(yīng)用要點及輸出能力分析

儲能系統(tǒng)中功率器件的應(yīng)用要點及輸出能力分析

作者簡介趙陽(1991),男,工學(xué)碩士,英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部門應(yīng)用工程師,主要從事電力電子技術(shù)方面的研究工作。候增全(1997),男,工學(xué)碩士,英...

2026-02-25 標(biāo)簽:功率器件儲能系統(tǒng)電芯 5.1k 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)—— 結(jié)溫計算完整流程與工程實用方法

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)—— 結(jié)溫計算完整流程與工程實用方法

承接前兩講:(一)穩(wěn)態(tài)熱阻Rth(二)熱容、瞬態(tài)熱阻Zth(t)、脈沖溫升這一講進入真正工程化內(nèi)容:從器件datasheet→熱阻網(wǎng)絡(luò)→結(jié)溫計算→裕量判...

2026-03-01 標(biāo)簽:芯片功率器件熱設(shè)計 35 0

安森美T2PAK封裝功率器件換流回路設(shè)計建議

安森美T2PAK封裝功率器件換流回路設(shè)計建議

T2PAK應(yīng)用筆記重點介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面:T2PAK封裝詳解:全面說明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù);焊接注意事項:...

2026-02-10 標(biāo)簽:安森美封裝功率器件 836 0

安森美T2PAK封裝功率器件貼裝方法

安森美T2PAK封裝功率器件貼裝方法

T2PAK應(yīng)用筆記重點介紹T2PAK封裝的貼裝及其熱性能的高效利用。內(nèi)容涵蓋以下方面:T2PAK封裝詳解:全面說明封裝結(jié)構(gòu)與關(guān)鍵規(guī)格參數(shù);焊接注意事項:...

2026-02-05 標(biāo)簽:封裝功率器件回流焊 1.1萬 0

IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)的應(yīng)用實踐指南 v3.0

IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)的應(yīng)用實踐指南 v3.0

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南,第三次更新-「SysPro|動力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容,全文155...

2026-01-05 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率器件 4.1k 0

一文搞懂焊點金脆性問題的成因與破解方案

一文搞懂焊點金脆性問題的成因與破解方案

焊點金脆性是指過量金元素進入焊點后,與錫等形成脆性金屬間化合物,導(dǎo)致焊點韌性下降、易開裂的現(xiàn)象,嚴(yán)重影響電子器件在溫循、振動場景下的可靠性。其核心成因是...

2025-12-30 標(biāo)簽:功率器件錫膏回流焊 503 0

使用鐵氧體磁珠解決EMC噪聲和功率器件柵極振蕩

使用鐵氧體磁珠解決EMC噪聲和功率器件柵極振蕩

整機應(yīng)用中,EMC測試是現(xiàn)在必不可少的一個測試環(huán)節(jié),其中EMC產(chǎn)生的原因和功率器件的振蕩、電源紋波率等息息相關(guān)。隨著生活需求的發(fā)展,電器設(shè)備的小型化、高...

2025-12-30 標(biāo)簽:磁珠emc功率器件 9.3k 0

采用先進碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性

采用先進碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性

眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動著對高性能功率器件的需求不斷增長,應(yīng)用場景日益多樣,這也給電源設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料,如碳化硅 (SiC) 和氮化...

2025-12-22 標(biāo)簽:封裝技術(shù)功率器件碳化硅 5.1k 0

一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當(dāng)導(dǎo)致的焊接不良?

一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當(dāng)導(dǎo)致的焊接不良?

助焊劑是電子封裝焊接的關(guān)鍵輔料,使用不當(dāng)易引發(fā)虛焊、橋連、殘留腐蝕、空洞等不良,嚴(yán)重影響器件可靠性。其選用需精準(zhǔn)匹配場景:汽車電子需車規(guī)級無鹵助焊劑,耐...

2025-12-20 標(biāo)簽:汽車電子BGA功率器件 1.7k 0

瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗證試驗

瞻芯電子G2 650V SiC MOSFET的魯棒性驗證試驗

瞻芯電子(IVCT)基于經(jīng)典壽命模型,對大樣本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 進行了魯棒性驗證試驗(Robustness-Valida...

2025-12-18 標(biāo)簽:MOSFET功率器件瞻芯電子 6.5k 0

查看更多>>

功率器件資訊

功率循環(huán)基礎(chǔ)篇(一) —— 功率器件的熱疲勞與壽命考驗

功率循環(huán)基礎(chǔ)篇(一) —— 功率器件的熱疲勞與壽命考驗

一、功率循環(huán)的基本原理 功率循環(huán)測試(Power Cycling, PC)是評估功率器件長期可靠性的重要方法。測試通過周期性地通斷電流,使芯片自身反復(fù)產(chǎn)...

2026-03-02 標(biāo)簽:功率器件 42 0

電位的本質(zhì)與碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用研究報告

電位的本質(zhì)與碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用研究報告

電位的本質(zhì)與碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用研究報告 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級代理商傾佳電子(C...

2026-02-18 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 6.2k 0

位移電流物理本質(zhì)與碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用解析

位移電流物理本質(zhì)與碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用解析

位移電流物理本質(zhì)與碳化硅(SiC)功率器件應(yīng)用解析報告 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級代理商傾佳電...

2026-02-18 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 5.9k 0

具備內(nèi)生安全的網(wǎng)絡(luò)化變流器架構(gòu)演進與SiC碳化硅功率器件的戰(zhàn)略價值

具備內(nèi)生安全的網(wǎng)絡(luò)化變流器架構(gòu)演進與SiC碳化硅功率器件的戰(zhàn)略價值

隨著全球能源轉(zhuǎn)型的深入,電力系統(tǒng)正經(jīng)歷著從單向傳輸?shù)膫鹘y(tǒng)電網(wǎng)向雙向互動、高度智能化的能源互聯(lián)網(wǎng)(Internet of Energy)的根本性變革。

2026-02-14 標(biāo)簽:功率器件SiC變流器 8.3k 0

安森美公布2025年第四季度及全年財務(wù)業(yè)績

安森美公布2025年第四季度及全年財務(wù)業(yè)績

安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON)公布其2025年第四季度及全年財務(wù)業(yè)績。

2026-02-11 標(biāo)簽:安森美AI功率器件 914 0

SiC碳化硅功率器件頂部散熱封裝:TOLT與QDPAK的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢、熱電動力學(xué)分析及工程安裝指南

SiC碳化硅功率器件頂部散熱封裝:TOLT與QDPAK的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢、熱電動力學(xué)分析及工程安裝指南

SiC碳化硅功率器件頂部散熱封裝:TOLT與QDPAK的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢、熱電動力學(xué)分析及工程安裝指南 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理...

2026-02-08 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 539 0

隔離DC-DC:DAB和LLC技術(shù)特點及發(fā)展趨勢

隔離DC-DC:DAB和LLC技術(shù)特點及發(fā)展趨勢

在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、電氣化轉(zhuǎn)型的宏大背景下,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷著一場深刻的架構(gòu)性變革。隨著電動汽車(EV)滲透率的指數(shù)級增長以及新型電力系統(tǒng)對儲能(...

2026-02-01 標(biāo)簽:DC-DC功率器件碳化硅 731 0

瞻芯電子測試實驗室榮獲CNAS認(rèn)可

瞻芯電子測試實驗室榮獲CNAS認(rèn)可

上海瞻芯電子科技股份有限公司 (簡稱 "瞻芯電子") 正式獲得中國合格評定國家認(rèn)可委員會(CNAS)頒發(fā)的實驗室認(rèn)可證書(注冊號:C...

2026-01-28 標(biāo)簽:功率器件CNAS瞻芯電子 225 0

派恩杰深度解讀SiC MOSFET柵氧可靠性問題

派恩杰深度解讀SiC MOSFET柵氧可靠性問題

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的核心材料,正在電動汽車(EV)、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)一場深刻的革命。其卓越的高電壓、高頻率和高溫性能,使得功率...

2026-01-28 標(biāo)簽:功率器件碳化硅派恩杰 409 0

聯(lián)想moto X70 Air Pro應(yīng)用芯導(dǎo)科技40V雙向GaN產(chǎn)品

聯(lián)想moto X70 Air Pro應(yīng)用芯導(dǎo)科技40V雙向GaN產(chǎn)品

近日,聯(lián)想正式發(fā)布了旗下當(dāng)前周期內(nèi)規(guī)格最高的直板機型聯(lián)想 moto X70 Air Pro,堪稱一款“輕薄機身下的六邊形戰(zhàn)士”。這款產(chǎn)品選用芯導(dǎo)科技40...

2026-01-26 標(biāo)簽:聯(lián)想功率器件GaN 942 0

查看更多>>

功率器件數(shù)據(jù)手冊

相關(guān)標(biāo)簽

相關(guān)話題

換一批
  • 深度學(xué)習(xí)
    深度學(xué)習(xí)
    +關(guān)注
  • 工業(yè)4.0
    工業(yè)4.0
    +關(guān)注
    工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
  • 英偉達(dá)
    英偉達(dá)
    +關(guān)注
    Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商,NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市,在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù),在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月,總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
  • BeagleBone
    BeagleBone
    +關(guān)注
  • mbed
    mbed
    +關(guān)注
  • 無人機技術(shù)
    無人機技術(shù)
    +關(guān)注
    以無人駕駛來說,城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng),只要拿出手機就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù);交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向,更有效地管理交通……
  • OpenWrt
    OpenWrt
    +關(guān)注
    OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。(主流路由器固件有 dd-wrt,tomato,openwrt,padavan四類)對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng),OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng),從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置,并允許您自定義的設(shè)備,以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
  • LD3320
    LD3320
    +關(guān)注
  • ARM架構(gòu)
    ARM架構(gòu)
    +關(guān)注
    ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器(Advanced RISC Machine,更早稱作:Acorn RISC Machine),是一個32位精簡指令集(RISC)處理器架構(gòu),其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
  • DragonBoard 410c
    DragonBoard 410c
    +關(guān)注
    Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c,是一枚功能極為強大,身材特別小巧的開發(fā)板,它集成了目前最流行的智能手機處理能力,幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
  • OpenCL
    OpenCL
    +關(guān)注
    OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架,此異構(gòu)平臺可由CPU,GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels (在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù))的語言(基于C99)和一組用于定義并控制平臺的API組成。
  • 嵌入式操作系統(tǒng)
    嵌入式操作系統(tǒng)
    +關(guān)注
    嵌入式操作系統(tǒng)(Embedded Operating System,簡稱:EOS)是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件,通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
  • Windows CE
    Windows CE
    +關(guān)注
     Windows Embedded Compact(即 Windows CE)是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ),它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng),是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
  • JDI
    JDI
    +關(guān)注
    JDI(Java Debug Interface)是 JPDA 三層模塊中最高層的接口,定義了調(diào)試器(Debugger)所需要的一些調(diào)試接口。基于這些接口,調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機的狀態(tài),例如查看目標(biāo)虛擬機上有哪些類和實例等。
  • NFS
    NFS
    +關(guān)注
      網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng),英文Network File System(NFS),是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議(presentation layer protocol),能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
  • 麒麟960
    麒麟960
    +關(guān)注
    麒麟960(kirin 960)是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片,麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心,小核心為A53,組成四大四小的big.LITTLE組合,GPU為Mali G71 MP8。
  • tizen
    tizen
    +關(guān)注
  • SiliconLabs
    SiliconLabs
    +關(guān)注
  • X86架構(gòu)
    X86架構(gòu)
    +關(guān)注
  • uCOS II
    uCOS II
    +關(guān)注
  • 米爾科技
    米爾科技
    +關(guān)注
    米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下,米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
  • ARM公司
    ARM公司
    +關(guān)注
    ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
  • 數(shù)字電子鐘
    數(shù)字電子鐘
    +關(guān)注
  • A6處理器
    A6處理器
    +關(guān)注
  • OpenStack
    OpenStack
    +關(guān)注
    OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目,是一系列軟件開源項目的組合。由NASA(美國國家航空航天局)和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起,以Apache許可證(Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證)授權(quán)的開源代碼項目。
  • 大聯(lián)大友尚
    大聯(lián)大友尚
    +關(guān)注
  • YunOS
    YunOS
    +關(guān)注
  • MMU
    MMU
    +關(guān)注
    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
  • 馬云
    馬云
    +關(guān)注
  • OMAPL138
    OMAPL138
    +關(guān)注
    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
換一批

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(43人)

jf_16990658 jf_65683686 jf_67121739 jf_04710643 q7q7124 xiaochi_dd 五星之光 jf_30061372 jf_71413164 sharex jf_16903376 jf_39221762

編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題