IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價(jià)比在業(yè)界被廣泛應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制領(lǐng)域幾乎隨處可見(jiàn)IGBT的身影。作為功率半導(dǎo)體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，還進(jìn)一步提升了控制速度和精度，同時(shí)具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。而今天要給大家介紹的是由東芝半導(dǎo)體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產(chǎn)品能耗進(jìn)一步降低。

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基本電氣屬性綜述

首先GT30N135SRA擁有小而簡(jiǎn)的T0-247封裝結(jié)構(gòu)，是基于RC-IGBT功率半導(dǎo)體系列更新迭代的第6.5代產(chǎn)品，此款產(chǎn)品內(nèi)置了一顆續(xù)流二極管芯片（FWD），進(jìn)一步保證了IGBT對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性。當(dāng)TC＝100℃，Ta＝25℃時(shí)，其集電極電流額定值為30A，此時(shí)對(duì)應(yīng)的低集電極-發(fā)射極飽和電壓VCE為1.65V，低二極管正向電壓VF為1.75V，通過(guò)降低傳導(dǎo)損耗來(lái)降低設(shè)備的功耗，在有限電源供給的系統(tǒng)電路上能夠發(fā)揮出傳奇的特色。

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動(dòng)態(tài)特性分析

IGBT的快速響應(yīng)時(shí)間是衡量是否具備實(shí)時(shí)特性的一個(gè)重要的指標(biāo)，為了更好的說(shuō)明GT30N135SRA擁有高速的開(kāi)關(guān)特性，設(shè)計(jì)了GT30N135SRA分別在阻性電路和容性電路、感性電路中的開(kāi)關(guān)時(shí)間及其開(kāi)關(guān)損耗來(lái)進(jìn)一步分析說(shuō)明。

測(cè)試結(jié)果表明當(dāng)輸入VCE＝25V，VGE＝0V時(shí)，此時(shí)電路處于截止?fàn)顟B(tài)，IC＝0A。當(dāng)VCE＝25V，VGE＝15V時(shí)，此時(shí)電路處于導(dǎo)通狀態(tài)，IC從0A突變到飽和狀態(tài)效率為90%，其開(kāi)關(guān)頻率達(dá)到了f＝100kHZ。

在容感性電路中可以看到，由于電容電感需要充放電的特性，因此電壓和電流在整個(gè)突變過(guò)程中并不是呈現(xiàn)出線性特性，其損耗計(jì)算公式為Eoff＝

。即總功耗＝通態(tài)損耗（與飽和電壓VCEsat有關(guān)）+開(kāi)關(guān)損耗（EoffEon）。同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾，互為消長(zhǎng)。

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引領(lǐng)家電消費(fèi)市場(chǎng)

隨著IGBT的聲名鵲起在整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)掀起了一波新浪潮。因其前身是MOS與BJT技術(shù)集成的產(chǎn)物，因此絕大多數(shù)應(yīng)用在工業(yè)產(chǎn)品上，但隨著節(jié)能減排的指導(dǎo)方針興起，大多數(shù)家電產(chǎn)品也迎來(lái)了革新，新穎的低功耗功率半導(dǎo)體器件也會(huì)給整個(gè)家電市場(chǎng)帶來(lái)新的前景。所以GT30N135SRA在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，電磁爐、微波爐（家電產(chǎn)品），電壓諧振變頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能夠展現(xiàn)出奇的效果。

東芝半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)計(jì)制造公司，多年來(lái)持續(xù)耕耘在功率半導(dǎo)體研發(fā)上，經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室及優(yōu)異的研發(fā)團(tuán)隊(duì)也一直致力于研發(fā)創(chuàng)新、提升芯片的功能屬性和穩(wěn)定特性。