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東芝半導(dǎo)體DTMOSVI系列MOSFET的應(yīng)用及特性

東芝半導(dǎo)體 ? 來源:東芝半導(dǎo)體 ? 作者:東芝半導(dǎo)體 ? 2022-04-26 14:11 ? 次閱讀
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如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z產(chǎn)品,它們適用于數(shù)據(jù)中心、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源。這四款產(chǎn)品進(jìn)一步完善了上一代產(chǎn)品在封裝、漏源導(dǎo)通電阻和柵漏電荷方面的設(shè)計。

與上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷”的品質(zhì)因數(shù)降低約40%[1],開關(guān)電源效率提高約0.36%[2]。未來,順應(yīng)市場需求,東芝將繼續(xù)拓展新一代超級結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線,為提高電源效率增添“芯”助力。

應(yīng)用:

工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源:

數(shù)據(jù)中心(服務(wù)器電源等)

光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器

不間斷電源系統(tǒng)

特性:

“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷”的值降低約40%[1],有助于提高開關(guān)電源的效率

直插式TO-220封裝

主要規(guī)格:

(@Ta=25℃)

3fbec8d4-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

內(nèi)部電路

3fd0cce6-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

應(yīng)用電路示例

3fe4a996-c3ad-11ec-bce3-dac502259ad0.png

注:

[1]與上一代DTMOSIV-H系列相比

[2]截至2022年2月,東芝測量的數(shù)值(采用輸出功率為2500W的PFC電路時,TO-247封裝的新系列TK040N65Z與上一代TK62N60X相比)

[3]DTMOSIV系列

關(guān)于東芝電子元件及存儲裝置株式會社

東芝電子元件及存儲裝置株式會社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司累積了半個多世紀(jì)的經(jīng)驗和創(chuàng)新,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。

公司23,100名員工遍布世界各地,致力于實現(xiàn)產(chǎn)品價值的最大化,東芝電子元件及存儲裝置株式會社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價值共創(chuàng),共同開拓新市場,公司現(xiàn)已擁有超過7,110億日元(62億美元)的年銷售額,期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻(xiàn)。

原文標(biāo)題:東芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高電源效率

文章出處:【微信公眾號:東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:東芝DTMOSVI系列MOSFET,有效提高電源效率

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