寬禁帶材料使我們能夠跨越目前基于硅的技術(shù)。它們的帶隙大，導(dǎo)致介電擊穿更高，使導(dǎo)通電阻（RSP）更低。較高的電子飽和速度使高頻設(shè)計(jì)和工作成為可能。較低的漏電流和較好的熱導(dǎo)率有利于在高溫下的工作。

安森美半導(dǎo)體提供一個(gè)重點(diǎn)圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，從提高強(qiáng)固性和速度的SiC二極管、SiC MOSFET，一直到SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。除了硬件，我們還提供物理SPICE模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能而無需昂貴的測量周期。

我們的預(yù)測性離散建模支持系統(tǒng)級仿真，從而優(yōu)化器件的系統(tǒng)級品質(zhì)因數(shù)如能效，而不僅僅是器件級的品質(zhì)因數(shù)如RDS（ON）。此外，設(shè)計(jì)人員還可有信心仿真數(shù)據(jù)表中未涵蓋的工作條件，如開關(guān)應(yīng)用中的不同溫度、總線電壓、負(fù)載電流和輸入門極電阻等。

為實(shí)現(xiàn)這一切，模型必須是基于物理的、直觀的、預(yù)測的，最重要的是準(zhǔn)確的。

在IC行業(yè)，追溯至幾十年前，支持CAD設(shè)計(jì)的環(huán)境采用SPICE模型已對于IC設(shè)計(jì)人員準(zhǔn)確預(yù)測電路性能、縮短制造周期具有重要意義。直至今日，電力電子CAD環(huán)境遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于IC行業(yè)，部分原因是缺乏可靠的SPICE模型。電力電子器件模型基于簡單的子電路和復(fù)雜的非物理行為的模型，最終仿真的可靠性不高。

簡單的子電路太初級，無法充分捕獲所有器件的性能。在圖1中，我們展示了一個(gè)CRSS圖，將一個(gè)典型的簡單模型（藍(lán)色）與我們更先進(jìn)的物理模型（綠色）和測量數(shù)據(jù)（紅色）進(jìn)行比較。顯然，您可看到簡單的模型沒有捕獲到非線性電容效應(yīng)，最終導(dǎo)致了不準(zhǔn)確的動(dòng)態(tài)開關(guān)仿真。

眾所周知，更為精確、復(fù)雜行為的模型會導(dǎo)致收斂問題。此外，此類模型通常由專用的仿真器行為語言（如MAST?）編寫，因此不能跨多個(gè)仿真器平臺進(jìn)行移植。

一般而言，電力電子模型顯然不是基于工藝技術(shù)和布板的，也不是基于芯片布局的可擴(kuò)展性。

通過我們的物理可擴(kuò)展模型，我們開發(fā)了一個(gè)適用于整個(gè)技術(shù)平臺的模型。也就是說，它不是一個(gè)由經(jīng)驗(yàn)擬合參數(shù)填充的單個(gè)模型庫，最終的曲線適合每一產(chǎn)品。通過我們的芯片擴(kuò)展，我們可在一種技術(shù)內(nèi)快速衍生，只需輸入給定產(chǎn)品的芯片布局參數(shù)。

在下一個(gè)層次，模型中基于物理工藝的相關(guān)性使我們能夠預(yù)測新的虛擬技術(shù)變化的影響。顯然，早期設(shè)計(jì)有助于從應(yīng)用角度推動(dòng)技術(shù)需求，并加快上市時(shí)間。一方面，工藝和設(shè)備設(shè)計(jì)工程師使用快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境限定的元器件仿真，也稱之為TCAD。另一方面，應(yīng)用級和系統(tǒng)級設(shè)計(jì)人員使用基于SPICE的仿真環(huán)境?；诠に噮?shù)的SPICE模型有助于將這兩方面結(jié)合起來。

審核編輯：郭婷