意法半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 （SMPS）。

首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS（on））都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻（RDS（on）max）都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43mΩ。由于柵極電荷 （Qg）非常低，在 400V 漏極電壓時通常為 80nC，兩款器件都具有目前市場上一流的RDS（on）max x Qg品質(zhì)因數(shù) （FoM）。

STP65N045M9 的柵極閾壓（VGS（th））典型值為 3.7V，STP60N043DM9 的典型值為 4.0V，與上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比，可極大程度地降低通斷開關(guān)損耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢復(fù)電荷（Qrr）和反向恢復(fù)時間（trr）也都非常低，這有助于進(jìn)一步提高能效和開關(guān)性能。

意法半導(dǎo)體最新的高壓 MDmesh 技術(shù)的另一個特點是增加了一道鉑擴(kuò)散工藝，確保本征體二極管開關(guān)速度快。該二極管恢復(fù)斜率（dv/dt） 峰值高于早期工藝。MDmesh DM9全系產(chǎn)品具有非常高的魯棒性，在 400V電壓時可耐受高達(dá) 120V/ns 的dv/dt斜率。