為提供卓越的效率和功率密度，意法半導(dǎo)體加快了氮化鎵（GaN）電源（PSU）的設(shè)計(jì)進(jìn)程，推出了基于MasterGaN1L系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的EVL250WMG1L諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。

意法半導(dǎo)體的MasterGaN-SiPs將GaN功率晶體管與經(jīng)特殊優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合，以確保開(kāi)關(guān)快速且受控。使用此類SiP代替分立器件的等效網(wǎng)絡(luò)有助于增強(qiáng)性能和可靠性，同時(shí)加速設(shè)計(jì)并節(jié)省PCB空間。

全新的參考設(shè)計(jì)針對(duì)的是空間有限但效率至關(guān)重要的工業(yè)應(yīng)用。結(jié)合MasterGaN1L（含兩個(gè)650V 150m GaN-FET，采用意法半導(dǎo)體的L6599A諧振控制器），PSU的峰值效率超過(guò)94%，且能在初級(jí)側(cè)無(wú)散熱器的情況下運(yùn)行。該裝置還利用了意法半導(dǎo)體的SRK2001A同步整流控制器，80mmx50mm的整體尺寸十分緊湊，功率密度高達(dá)34W/inch^3。

PSU可提供高達(dá)10A的輸出電流，相當(dāng)于24Vdc下的250W，同時(shí)待機(jī)電流消耗低于1μA，擁有出色的節(jié)能效果。L6599A和SRK2001A內(nèi)置的保護(hù)功能可確保對(duì)過(guò)電流、短路和過(guò)電壓的彈性保護(hù)，而輸入電壓監(jiān)測(cè)則可確保啟動(dòng)正確并提供欠壓鎖定功能。

關(guān)鍵特性

緊湊的高效率解決方案，面向使用

MasterGaN1L轉(zhuǎn)換

輸出電壓：24V

輸出功率：高達(dá)250W

標(biāo)稱輸入電壓：400V+/-10%

效率：>92%

輸出具有短路和過(guò)電流保護(hù)

輸入電壓監(jiān)控用于管理正確的D2D轉(zhuǎn)換器序列，并具有欠壓保護(hù)功能

板子尺寸：80x50（WxH）mm。最大組件高度：30mm

符合WEEE和RoHS標(biāo)準(zhǔn)

EVL250WMG1L現(xiàn)已上市，整套預(yù)裝系統(tǒng)可直接進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。產(chǎn)品頁(yè)面上發(fā)布了全面的相關(guān)文檔，以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者加快GaN電源項(xiàng)目。