近日，珠海鎵未來科技有限公司披露其已完成近億元A+輪融資，由順為資本、高瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資，深啟投資擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問。至今，這家專注于高端第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、營銷和系統(tǒng)應(yīng)用的綜合解決方案提供商，成立一年半已累計(jì)融資過2億。本輪融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產(chǎn)品研發(fā)及應(yīng)用方案開發(fā)，此外還將用于供應(yīng)鏈建設(shè)。

據(jù)悉，鎵未來基于成熟技術(shù)平臺的產(chǎn)品已達(dá)到國際領(lǐng)先水平，多款650V氮化鎵產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)銷售,成功進(jìn)入低功率和大功率市場。目前，公司在核心創(chuàng)始人吳毅鋒博士的帶領(lǐng)下，正在擴(kuò)展產(chǎn)品線，實(shí)現(xiàn)封裝和配件芯片的國產(chǎn)化，并且已開啟了新一代技術(shù)平臺的研發(fā)，未來產(chǎn)品性能將進(jìn)一步提升，成本進(jìn)一步下降。與其他友商不同，鎵未來不但開發(fā)應(yīng)用于手機(jī)/筆記本PD快充上的產(chǎn)品，同時(shí)直接突破中大功率應(yīng)用場景。

（鎵未來珠?？偛哭k公室）

嶄露頭角，吸引一線機(jī)構(gòu)加注

在創(chuàng)辦后一年多的時(shí)間里，相較于所處賽道的熱度，鎵未來團(tuán)隊(duì)要低調(diào)得多，但實(shí)際上其一直在馬不停蹄地進(jìn)行著人才建設(shè)、產(chǎn)品研發(fā)、供應(yīng)鏈布局。

談及自己的創(chuàng)業(yè)初衷，吳毅鋒博士表示：“氮化鎵功率器件在消費(fèi)電子、通訊、數(shù)據(jù)中心、照明、家電、伺服電機(jī)、光伏、新能源汽車和電力系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，并且全球功率半導(dǎo)體的應(yīng)用和制造80%-90%都在中國，產(chǎn)業(yè)土壤非常好?！彼陨鲜兰o(jì)90年代開始對氮化鎵進(jìn)行研究，是112項(xiàng)原始專利的發(fā)明人，最終毅然回國創(chuàng)業(yè)的核心原因正是中國功率半導(dǎo)體的前景光明，且氮化鎵功率器件也得到了商用，市場逐步形成。

順為資本副總裁馬艷新認(rèn)為：“氮化鎵代表了功率器件的未來，我們看好其在消費(fèi)電子及通訊、工業(yè)、新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用。鎵未來是一家具備核心研發(fā)實(shí)力的創(chuàng)業(yè)企業(yè)，順為看好吳毅鋒博士及團(tuán)隊(duì)在氮化鎵領(lǐng)域的技術(shù)積累，未來將持續(xù)賦能鎵未來的發(fā)展?！?br />
盈富泰克副總經(jīng)理李旼表示：“盈富泰克多年來專注于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資，也一直希望能在氮化鎵領(lǐng)域進(jìn)行布局。吳毅鋒博士在氮化鎵發(fā)展初期就開始了相關(guān)研究，見證了整個(gè)賽道的發(fā)展，突破了多個(gè)技術(shù)難題，在他的帶領(lǐng)下，鎵未來站在了高起點(diǎn)上，盈富泰克也很高興能參與到項(xiàng)目的發(fā)展中?！?br />
鎵未來董事長叢遠(yuǎn)華表示：“有了本輪融資，公司的發(fā)展將邁上一個(gè)新臺階。鎵未來會充分利用相關(guān)資源，為股東創(chuàng)造更好的收益，為產(chǎn)業(yè)和社會做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)?！眳策h(yuǎn)華同時(shí)是境成資本創(chuàng)始合伙人，最早參與投資孵化了鎵未來，協(xié)助其落地到橫琴粵澳深度合作區(qū)，目前正幫助鎵未來進(jìn)行整合資源以及融資。

快充市場爆發(fā)，鎵未來快速導(dǎo)入產(chǎn)品和方案

在電力電子領(lǐng)域，氮化鎵功率器件具備效率上的絕對優(yōu)勢。由于氮化鎵材料臨界擊穿電場高，電子遷移率高，氮化鎵功率器件在同一個(gè)關(guān)態(tài)阻斷電壓等級具有更高工作頻率和更低導(dǎo)通電阻等特性，電轉(zhuǎn)換損耗更低，不但提高效率節(jié)約電能，而且可使電源體積更小，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

手機(jī)PD快充自2018年以來得到快速普及，低功率（以65W為代表）應(yīng)用場景需求不斷釋放，第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件賽道進(jìn)入快速成長期。每年超10億臺智能手機(jī)疊加超2億臺平板和筆記本等消費(fèi)電子產(chǎn)品的出貨量，吸引了主要玩家PI、Navitas、英諾賽科等都加入到了低功率氮化鎵功率器件市場的爭奪戰(zhàn)中。

鎵未來同樣由快充領(lǐng)域切入，既可以獲得市場的互動和及時(shí)反饋，也能夠獲取足夠基數(shù)的可靠性數(shù)據(jù)。核心創(chuàng)始人、IEEE Fellow吳毅鋒博士在氮化鎵領(lǐng)域有26年的技術(shù)積累，作為成功的連續(xù)創(chuàng)業(yè)者，歷任Cree公司器件科學(xué)家、Transphorm公司高級副總裁，曾帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)開發(fā)并量產(chǎn)出全球首批600V以上商用GaN功率器件，將可靠性提升至業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。

在他的帶領(lǐng)下，去年鎵未來研發(fā)并量產(chǎn)了適用于30W-120W電源適配器的氮化鎵開關(guān)器件產(chǎn)品，主要應(yīng)用于手機(jī)/筆記本快充中，在手訂單達(dá)數(shù)百萬顆，客戶由電商、ODM廠商、方案設(shè)計(jì)商向品牌客戶拓展。公司今年繼續(xù)推出適用于140W、200W、330W等低功率應(yīng)用場景的高性能氮化鎵功率器件產(chǎn)品及電源整體解決方案。

鎵未來的征程是更高功率、更高耐壓的星辰大海

低功率產(chǎn)品是鎵未來布局的起點(diǎn)，但中大功率（500W以上）其實(shí)是其優(yōu)勢和重點(diǎn)所在。

這一布局符合技術(shù)進(jìn)步和市場發(fā)展趨勢：氮化鎵功率器件的應(yīng)用場景正從已處于紅海競爭中的低功率消費(fèi)電子向中大功率儲能、家電、電動工具等消費(fèi)電子拓展，并逐步向ICT（通訊基站、服務(wù)器/區(qū)塊鏈）、工控、新能源、光伏、電力等工業(yè)場景延伸，經(jīng)濟(jì)效益和市場潛力不容小覷；另外，對于提升能源使用效率、實(shí)現(xiàn)碳中和碳達(dá)峰，氮化鎵功率器件還具備極高的社會價(jià)值。

吳毅鋒博士舉例，氮化鎵技術(shù)可以讓單個(gè)5G基站或數(shù)據(jù)中心的單臺服務(wù)器，年節(jié)省用電約200-1,000度。此外，功率轉(zhuǎn)換的體積、重量可以降低20%-50%，變壓器、電容等耗材也相應(yīng)減少。

鎵未來采用級聯(lián)結(jié)構(gòu)型設(shè)計(jì)方案，在常開型GaN器件的源端串接一個(gè)常關(guān)型的低壓MOSFET，實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件。通過器件集成的優(yōu)化設(shè)計(jì)與先進(jìn)封裝，克服了傳統(tǒng)級聯(lián)結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了高速而穩(wěn)定的特性。采用GaN天然的常開特性可以避免制作常關(guān)型GaN器件工藝引入的缺陷，加上先進(jìn)的設(shè)計(jì)和成熟制作技術(shù)，鎵未來的產(chǎn)品動態(tài)特性優(yōu)秀，可靠性高。由于其柵極是常規(guī)的Si MOSFET，柵極抗噪聲、抗沖擊能力強(qiáng)，兼容Si基功率開關(guān)電路的柵極驅(qū)動。而且可以封裝成插件形式，適合大功率應(yīng)用場景，應(yīng)用功率范圍可覆蓋30W-4,000W。

市場上主流結(jié)構(gòu)還有直驅(qū)型、以p-GaN柵極為代表的常關(guān)型，技術(shù)路線各有優(yōu)勢，也各有自己需要克服的技術(shù)難點(diǎn)。不約而同，走這兩種技術(shù)路線的品牌商也在嘗試由低功率向中大功率布局，但1,000W以上仍然是一個(gè)很難突破的門檻。

鎵未來目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了800W至 3,600W服務(wù)器電源和算力電源樣機(jī)開發(fā)和測試，相應(yīng)的氮化鎵產(chǎn)品已陸續(xù)量產(chǎn)。據(jù)了解，鎵未來是國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)2,000W-4,000W高效電源達(dá)到96%鈦金能效標(biāo)準(zhǔn)的 650V 氮化鎵功率器件量產(chǎn)制造商。

無橋圖騰柱PFC可大幅度降低整流損耗，是氮化鎵功率器件在高效電源應(yīng)用的一大特色，但通常需要成本較高的數(shù)字信號處理器(DSP)。今年4月，鎵未來與合作伙伴共同開發(fā)，再次率先實(shí)現(xiàn)了業(yè)界第一款采用控制IC的700W智能混合信號無橋圖騰柱PFC +LLC量產(chǎn)電源解決方案，不需要DSP。其滿載效率高達(dá)96.72%，符合80PLUS鈦金能效。這一技術(shù)將進(jìn)一步加速氮化鎵的應(yīng)用步伐。

（700W圖騰柱PFC + LLC電源方案）

除了在650V領(lǐng)域一直保持創(chuàng)新外，鎵未來成立之初就與國家電網(wǎng)相關(guān)企業(yè)合作開發(fā)適用于智能電表電源模塊及國家電網(wǎng)工業(yè)電源模塊的900V級別高可靠性氮化鎵開關(guān)器件，并計(jì)劃2022年開始逐步導(dǎo)入產(chǎn)品。當(dāng)前中國電網(wǎng)中存量的電源模塊有幾億臺，應(yīng)用場景市場規(guī)模相當(dāng)可觀。而鎵未來目前是國內(nèi)第一家能夠量產(chǎn)通過JEDEC可靠性驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)的900V級別氮化鎵功率器件的供貨商。

布局新一代中大功率技術(shù)平臺，三年內(nèi)成長為行業(yè)頭部企業(yè)

充分發(fā)揮研發(fā)能力，放大核心優(yōu)勢，鎵未來瞄準(zhǔn)技術(shù)壁壘更高、附加值更高的中大功率領(lǐng)域，并且從吸納人才、穩(wěn)定成熟工藝的供應(yīng)鏈、降低成本三方面布局新一代中大功率技術(shù)平臺，力爭三年內(nèi)成為覆蓋全應(yīng)用場景的行業(yè)頭部企業(yè)。

氮化鎵在效率上具有絕對優(yōu)勢，且屬于我國重點(diǎn)扶持領(lǐng)域，發(fā)展不可謂不迅速，但制約其發(fā)展的因素也同樣不可忽視——除了我國相關(guān)高層次人才緊缺，還有晶圓制造環(huán)節(jié)缺失長期積累下來的工藝技術(shù)，以及成本較高的瓶頸制約。

我國半導(dǎo)體人才長期存在緊缺問題，根據(jù)工信部數(shù)據(jù)，我國半導(dǎo)體從業(yè)人才缺口長期達(dá)30萬。化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)周期本身比較長，至少需要3-5年時(shí)間，能夠從事氮化鎵研發(fā)的人才更加緊缺。而從國際上吸引人才，就成為了最現(xiàn)實(shí)的選項(xiàng)，同時(shí)也考驗(yàn)項(xiàng)目研發(fā)帶頭人的核心技術(shù)實(shí)力。

吳毅鋒博士無疑是鎵未來核心研發(fā)實(shí)力的體現(xiàn)，看到國內(nèi)未來產(chǎn)業(yè)前景的他毅然購買單程機(jī)票回國創(chuàng)業(yè)。這位世界級氮化鎵專家的創(chuàng)業(yè)決心迅速吸引了Cree/TI/AOS/華為/INTEL/Littelfuse/新加坡GF等國內(nèi)外知名企業(yè)的中堅(jiān)人才慕名加入，從而實(shí)現(xiàn)了鎵未來在芯片研發(fā)、封裝測試、生產(chǎn)導(dǎo)入、可靠性驗(yàn)證、質(zhì)量控制和應(yīng)用系統(tǒng)方案等各環(huán)節(jié)人才配置上的完整和優(yōu)異。

在晶圓制造環(huán)節(jié)，鎵未來依托良率可達(dá)95%以上的海外晶圓廠，保證了國際競爭層面生產(chǎn)工藝和成本的領(lǐng)先，并將具備國產(chǎn)化替代條件的配件和生產(chǎn)環(huán)節(jié)進(jìn)行國產(chǎn)化轉(zhuǎn)移。 經(jīng)過一年的研發(fā)，鎵未來的產(chǎn)品已逐步實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化配件芯片與封裝測試，不單擴(kuò)足了產(chǎn)能，且成本可降低20%-40%。

目前，鎵未來已啟動下一代中大功率器件平臺的研發(fā)，計(jì)劃實(shí)現(xiàn)國內(nèi)中大功率氮化鎵功率器件產(chǎn)品性價(jià)比新的突破。

“我們實(shí)際具備做出6,000W以上的大功率芯片并量產(chǎn)的技術(shù)實(shí)力，已經(jīng)開始布局新一代中大功率技術(shù)平臺，預(yù)計(jì)兩三年內(nèi)新技術(shù)平臺產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這不僅在中國是領(lǐng)先的，在世界上也是領(lǐng)先的?！眳且沅h博士說。

同時(shí)，吳毅鋒博士認(rèn)為：“每一次產(chǎn)品的迭代不僅僅是性能得到提高，成本同樣也很重要。目前氮化鎵功率器件成本是SiMOSFET器件的1.8-2倍，鎵未來計(jì)劃在三年內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)成本的大幅降低。這是打破氮化鎵應(yīng)用瓶頸的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，鎵未來正在從研發(fā)設(shè)計(jì)、供應(yīng)鏈建設(shè)兩個(gè)主要方面進(jìn)行努力?！?br />
鎵未來對于自身發(fā)展和研發(fā)格局的定位，不局限于已經(jīng)具有成熟產(chǎn)品和方案的低功率領(lǐng)域，也不局限于目前三代半有優(yōu)勢的領(lǐng)域，其著眼的是整個(gè)功率器件行業(yè)，對于替代傳統(tǒng)硅器件有著更高的目標(biāo)和展望。

董事長叢遠(yuǎn)華表示：“我們的芯片是綠色芯片的杰出代表，全球用電設(shè)備僅在功率轉(zhuǎn)換這塊用我們的產(chǎn)品就可以有效地節(jié)省電力和相關(guān)耗材，對于全球碳中和有非常巨大且深遠(yuǎn)的影響，也是第三代寬禁帶半導(dǎo)體成為‘十四五’規(guī)劃發(fā)力重心之一的重要原因?！?br />
關(guān)于鎵未來：珠海鎵未來科技有限公司成立于2020年10月，致力于高端氮化鎵功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，為客戶提供更高效率、更小體積、更低成本的硅基氮化鎵器件產(chǎn)品和整體解決方案。 鎵未來與Transphorm （納斯達(dá)克股票代碼： TGAN ）、GaNovation（JCP Capital和Transphorm合資公司）已建立了強(qiáng)大的合作伙伴關(guān)系，以實(shí)現(xiàn)氮化鎵功率電子在中國市場的快速擴(kuò)張。公司已有多款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，且在核心創(chuàng)始人吳毅鋒的率領(lǐng)下展開全球前沿的氮化鎵功率器件新一代技術(shù)平臺的研發(fā)。 鎵未來的技術(shù)聚焦于提高能源利用效率，助力碳達(dá)峰、碳中和遠(yuǎn)大目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)。鎵未來——鎵馭功率電子未來。