IBM宣布制造出全球首款以2nm工藝打造的半導(dǎo)體芯片。該芯片與目前主流的7nm工藝相比，在同等電力消耗下，性能提升45％、能耗降低75％。

據(jù)悉，本次IBM所采用的使GAA技術(shù)，也就是環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)。根據(jù)IBM介紹，這是首次采用底介電隔離通道，可以使實(shí)現(xiàn)12nm的柵長(zhǎng)，可以減少電流泄漏，有助于減少芯片上的功耗，其內(nèi)部間隔是第二代干法設(shè)計(jì)，有助于納米片的開發(fā)。IBM芯片采用了三層GAA納米片，每片納米片寬40nm，高5nm，間距44nm，柵極長(zhǎng)度12nm。

量產(chǎn)時(shí)間方面，根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，N2制程將于2025年量產(chǎn)。按照這個(gè)進(jìn)度，英特爾或?qū)⒃?nm工藝上實(shí)現(xiàn)對(duì)于臺(tái)積電的趕超。此前，英特爾已宣布將會(huì)在2024年量產(chǎn)Intel 20A工藝，隨后，英特爾又宣布其Intel 18A工藝也將提前到2024年量產(chǎn)。另外，根據(jù)臺(tái)積電最新展示技術(shù)路線圖顯示，在今年下半年臺(tái)積電第一代3nm（N3）工藝量產(chǎn)之后，除了將推出低成本、低能耗的N3E之外，還將會(huì)推出高性能版本的N3P，以及性能和功耗均更具優(yōu)勢(shì)的N3X。

根據(jù)提供的數(shù)據(jù)來看，臺(tái)積電的5nm芯片每平方毫米約有1．73億個(gè)晶體管，三星的5nm芯片每平方毫米約有1．27億個(gè)晶體管，IBM 2nm晶體管密度達(dá)到了臺(tái)積電5nm的2倍，預(yù)計(jì)比臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度還要多。

其實(shí)，IBM在7nm和5nm領(lǐng)域都具備相當(dāng)優(yōu)勢(shì)的主導(dǎo)權(quán)，并均實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。不過IBM目前并沒有自主的晶圓廠，如果此款2nm工藝的芯片想要順利落地，也需要三星、Intel等代工廠的幫助。

本文整合自：OFweek、芯智訊

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