NP2305VR 20V p通道增強模式MOSFET
描述
NP2305VR采用了先進的塹壕技術
提供卓越的RDS(ON)
?V
，低柵極電荷和
工作電壓低至1.8V。這
該器件適用于作為負載開關或PWM
應用程序。
一般特征
DS = -20 v, ID
R
= -4.2
DS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -4.5 v
R DS(上)(Typ) = 49米Ω@VGS
?高功率和電流處理能力
= -2.5 v
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
包
?SOT-23
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
熱特性
注:
a:TC = 25℃。b:表面安裝在1“x 1”FR4板上。
c:t = 5 s。d:穩(wěn)態(tài)條件下最大為175°c /W。
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
審核編輯 黃昊宇
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