描述
NP3403VR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕
技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵
在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作
2.5 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)
或在PWM應(yīng)用中。
一般特征
?VDS = -30v, id = -3a
RDS(上)(Typ) = 70Ω@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 82Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 106Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
? PWM 應(yīng)用 程序
? Load 開關(guān)
包
? SOT-23

訂購信息

絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

注:
a.表面安裝在FR4板上,t≤10秒
B.脈沖測(cè)試:脈寬≤300μs,占空比≤2%
C.設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)
熱特性

審核編輯 黃昊宇
-
單片機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
6077文章
45515瀏覽量
671659 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9749瀏覽量
233995
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
SGMNL12330:30V單通道N溝道MOSFET的性能剖析與應(yīng)用指南
SGMPM21330:30V P溝道MOSFET的特性與應(yīng)用
選型手冊(cè):VS3508AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3698AD-K 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3510AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3510AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3622DP2 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3640DE 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3540AC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3510AE P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3508AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS3510AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)
NP3403VR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
評(píng)論