M1芯片是蘋果公司專為Mac筆記本電腦打造的芯片。不到一年的時間，蘋果公司再次推出一款基于M1的新一代突破性芯片，稱為M1 Pro和M1 Max，并用在新推出的MacBook Pro筆記本電腦中。

根據(jù)蘋果公司的介紹，M1 Pro和M1 Max的中央處理器運行速度比M1提升了70%。兩款芯片均基于臺積電（TSMC）的5nm工藝，其中，M1 Pro封裝了337億個晶體管，是M1的2倍多，內(nèi)含10核CPU（包括8個高性能內(nèi)核和2個高效內(nèi)核）、16核GPU以及其他功能。M1 Max與M1 Pro具有相同的10核CPU，并添加了32核GPU，M1 Max晶體管數(shù)量更是高達570億個。

圖1：M1的性能是市場上同期產(chǎn)品的2倍，而功耗卻低很多（圖源：Apple官網(wǎng)）

細心的朋友可能已經(jīng)注意到，無論是一年前推出的M1還是現(xiàn)在的M1 Pro和M1 Max，均基于TSMC的5nm工藝。我們可以理解：這三款芯片所具有的高性能，首先得益于蘋果公司本身超強的設(shè)計能力，其次就必須要感謝TSMC先進的5nm工藝制程了。

其實，早在2020年中期，TSMC就開始使用N5（5納米）工藝技術(shù)進行芯片大批量制造（HVM）的公司，而蘋果公司就是TSMC在該技術(shù)節(jié)點的alpha客戶。

接下來，TSMC將開始使用其N5技術(shù)的性能增強版N5P制造芯片，該技術(shù)承諾，在相同的復(fù)雜度下，芯片性能將提高5%，而功耗降低10%。TSMC還保證，N5的早期采用者可以將其IP重新用于N5P芯片。屆時，相信蘋果公司的M1系列芯片的性能還會有很大的提升。由此可見，先進的半導(dǎo)體制造工藝制程在提升芯片的性能方面正在發(fā)揮越來越關(guān)鍵的作用。

01. 如何定義工藝制程節(jié)點？

大約從20世紀(jì)60年代到90年代末，工藝節(jié)點的名稱主要對應(yīng)制造工藝中晶體管的柵極長度（Gate Length），也就是說，此時的工藝節(jié)點數(shù)字基本代表了芯片中晶體管的尺寸。最常見的情況是用微米而不是納米（nm）來表示制程節(jié)點，例如0.18微米或0.13微米，而不是180nm或130nm。圖2是IEEE給出的具體對應(yīng)關(guān)系：

圖2：1992年至2009年期間，工藝節(jié)點與柵極長度的對應(yīng)關(guān)系（圖源：IEEE）

后來，也許是出于市場營銷的考慮，半導(dǎo)體工藝制程節(jié)點開始以數(shù)字命名，比如32nm、22nm、14nm、7nm、5nm等等，都是近些年大家耳熟能詳?shù)闹瞥坦?jié)點的名稱。

02. 工藝制程節(jié)點的演進

根據(jù)摩爾定律，芯片上可容納的晶體管數(shù)目約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。這期間，伴隨著集成電路（IC）設(shè)計水平的提高，半導(dǎo)體制造工藝也得到了快速發(fā)展。

在半導(dǎo)體制造演進過程中，45nm堪稱具有劃時代意義的一個工藝制程節(jié)點，它的問世使得CPU的性能有了跳躍式的提升。時至今日，45nm工藝依然在IC制造業(yè)中扮演著重要角色。

當(dāng)工藝制程進入到45nm以下級別時，隨著晶體管尺寸的不斷縮小，一項必備的新技術(shù)——HKMG（high-k絕緣層+金屬柵極）誕生了。在制作HKMG結(jié)構(gòu)晶體管的工藝上，業(yè)內(nèi)形成了兩大陣營，一個是以IBM為代表的Gate-first（先柵極）工藝陣營，另一個是以Intel為代表的Gate-last（后柵極）工藝陣營。Gate-first工藝的支持者主要是以IBM為首的芯片制造技術(shù)聯(lián)盟Fishkill Alliance成員，其中包括英飛凌（Infineon）、NEC、GlobalFoundries（GF）、三星（Samsung）、ST以及TOSHIBA等公司。從45nm制程開始，Intel便一直堅持在制作HKMG晶體管時采用Gate-last工藝，代工業(yè)的翹楚TSMC后來也加入到這一陣營，并決定在28nm HKMG制程產(chǎn)品中采用Gate-last工藝。

45nm之后，28nm是半導(dǎo)體工藝制程發(fā)展過程中又一個極其關(guān)鍵的節(jié)點。在28nm這個工藝節(jié)點上，芯片的性能與成本之間幾乎達到了完美的平衡。在制造工藝上，28nm工藝承襲了上述兩大技術(shù)路線，即TSMC使用28nm的Gate-last工藝，而三星和GF使用的是Gate-first工藝。

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，最不缺乏的就是創(chuàng)新，接下來出場的FinFET堪稱行業(yè)中一個里程碑式技術(shù)。FinFET首次把芯片中晶體管的結(jié)構(gòu)從2D變?yōu)?D，即把2D構(gòu)造的MOSFET變成了3D的FinFET。FinFET因此成為將晶體管柵極長度縮小到20nm以下的關(guān)鍵技術(shù)。

圖3：3D FinFET結(jié)構(gòu)示意圖（圖源：網(wǎng)絡(luò)）

FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor（鰭式場效應(yīng)晶體管），是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管，據(jù)稱它的命名是因為晶體管的形狀類似魚鰭而得來。該技術(shù)的發(fā)明者胡正明教授及其團隊于1998年成功制造出業(yè)界第一個n型FinFET，其柵極長度只有17nm，溝道寬度20nm，鰭的高度50nm。Intel在22nm工藝節(jié)點開始采用FinFET技術(shù)，很多公司則選擇在14/16nm節(jié)點上使用。

智能手機、HPC、物聯(lián)網(wǎng)和汽車相關(guān)應(yīng)用對性能、尺寸和功耗的追求，不斷激勵著半導(dǎo)體制造行業(yè)技術(shù)人員的創(chuàng)新活力。一方面，先進的工藝制程代表著半導(dǎo)體制造業(yè)不斷創(chuàng)新的能力和技術(shù)水準(zhǔn)。另一方面，采用先進的工藝制程能夠大幅提升代工企業(yè)的營收也是一個不爭的事實，也許這才是企業(yè)不斷謀求創(chuàng)新的源動力。

根據(jù)TSMC最新公布的2021年第三季度財報，該公司第三季度收入為148.8億美元，同比增長22.6%，比上一季度增長12.0%。本季度毛利率為51.3%，營業(yè)利潤率為41.2%，凈利潤率為37.7%。第三季度，5nm的出貨量占晶圓總收入的18%，7nm占34%，也就是說7nm及更先進的技術(shù)占到總收入的52%。據(jù)TSMC副總裁兼首席財務(wù)官黃文德（Wendell Huang）透露，進入2021年第四季度，預(yù)計行業(yè)對領(lǐng)先的5nm技術(shù)的需求將更加強勁。

03. 邁向3nm及以上的制程

從3nm節(jié)點開始，業(yè)界希望能從今天的FinFET晶體管過渡到全柵場效應(yīng)晶體管（GAAFET）。目前的情況是，TSMC和三星在3nm制程節(jié)點上走了兩個不同的技術(shù)路線：三星將部署GAAFET，而TSMC可能在下一代繼續(xù)使用FinFET。

前文已經(jīng)有很多內(nèi)容描述半導(dǎo)體制造工藝的演進路線，我們?yōu)槭裁催€要把3nm工藝節(jié)點拿出來單獨說一說呢？因為在這之后的節(jié)點上，芯片制造商可能需要購買新設(shè)備了，比如人盡皆知的極紫外（EUV）光刻機，以及新的沉積、蝕刻和檢驗/計量技術(shù)和設(shè)備等。

不用說，此時的設(shè)計和制造成本都可能是一筆天文數(shù)字。據(jù)IBS稱，3nm芯片的設(shè)計成本約為6.5億美元，而5nm芯片的設(shè)計成本為4.363億美元，7nm芯片的設(shè)計成本為2.223億美元。因此，拋開這些節(jié)點去談?wù)撘粋€芯片的價格還為時過早。可以想見，屆時的芯片價格將會達到一個新的高點。

接下來隆重登場的就是3nm及以上芯片制造必不可少的新型極紫外光刻機，這是一個技術(shù)難度高且價格極其昂貴的產(chǎn)品。即便如此，EUV光刻機還供不應(yīng)求，是不是有些匪夷所思？之所以出現(xiàn)這樣的狀況是有原因的。

多年來，芯片制造商在晶圓廠主要使用基于光學(xué)的193nm光刻機，在多層圖案技術(shù)的幫助下，芯片制造商可將193nm光刻技術(shù)擴展到10nm甚至7nm。但在5nm和3nm節(jié)點時，當(dāng)前的光刻技術(shù)基本沒辦法再用了，芯片制造商需要借助新型的EUV光刻技術(shù)，稱為高數(shù)值孔徑EUV（高NA EUV）。這也是EUV光刻機能夠大顯身手之處。EUV一直是一項難以開發(fā)的技術(shù)，今天，ASML最新的EUV光刻機使用13.5nm波長和0.33Na透鏡，能夠以每小時170片晶圓的吞吐量實現(xiàn)13nm分辨率。

Globale Market Insight數(shù)據(jù)報告顯示，2020年，半導(dǎo)體制造設(shè)備市場規(guī)模超過500億美元，預(yù)計2021年至2027年的復(fù)合年增長率將超過8%。集成設(shè)備制造商（IDM）因不斷增加的投資而成為市場的主力，他們在2020年占據(jù)了超過45%的收入份額。而前端半導(dǎo)體制造設(shè)備占據(jù)了超過60%的收入份額；到2027年，其增長率將達到9%左右。其中，EUV光刻技術(shù)的進步是推動半導(dǎo)體制造設(shè)備市場擴張的主力。從ASML公布的第三季度業(yè)績中可以看到，該公司在第三季度的凈銷售額達到52億歐元，凈收入為17億歐元。ASML預(yù)計2021年第四季度凈銷售額將在49億歐元至52億歐元之間。

圖4：全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場分布情況（圖源：Global Market Insight）

04. 展望未來

半導(dǎo)體制造并非易事，行業(yè)內(nèi)的每家公司都深知這一點，即使是三星和Intel這樣的大公司也感受到了其中的艱辛。根據(jù)韓國商務(wù)部的報告，三星的5nm節(jié)點再次陷入困境，良率不足50%。通常，對于要進入大批量制造（HVM）的節(jié)點，良率需要在95%左右。如果達不到這個水平，則該節(jié)點的利潤就不會高。三星在Hwaseong建立的5nm V1產(chǎn)線使用了EUV光刻機，在工程師的持續(xù)努力下，預(yù)計產(chǎn)量將有所提高。

今年5月份，IBM公布了其突破性的2nm芯片技術(shù)，作為Intel的親密合作伙伴，預(yù)計這項技術(shù)將在幾年內(nèi)，也可能在本世紀(jì)后半葉用于芯片的制造。TSMC近期釋放的消息顯示，公司5nm生產(chǎn)能力今年將翻一番，4nm正在提前運行，并已于去年11月完成了第一座3nm工廠的建設(shè)。

今年年初，TSMC將其2021年資本支出預(yù)算大幅提升至250億至280億美元，隨后將其進一步提升至300億美元左右，作為TSMC在制造能力和研發(fā)上花費1000億美元三年計劃的一部分，其中的80%將用于擴大先進技術(shù)的產(chǎn)能，如3nm、4nm/5nm和6nm/7nm。不久前，TSMC及其合作伙伴宣布在1nm工藝研究上取得了突破，該研究為1nm及以下的電子制造工藝提供了一條途徑，有助于突破當(dāng)前半導(dǎo)體技術(shù)和材料的限制。

故事講到這里，你可能已經(jīng)意識到，半導(dǎo)體制造業(yè)絕對是一個燒錢又燒腦的行當(dāng)。那么，為何它還能夠一路向前持續(xù)發(fā)展呢？說白了，還不是因為我們這些消費者對高性能、小尺寸、低功耗電子設(shè)備的無窮無盡的追求么。在工作和生活中，你是否也曾遇到過一些有關(guān)半導(dǎo)體制造的讓人匪夷所思的事，包括技術(shù)、包括花錢......歡迎給我們留言吐槽！

審核編輯 黃昊宇