大家應(yīng)該都知道，碳化硅是半導(dǎo)體材料發(fā)展到第三代的產(chǎn)物，是由于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體自身物理性能不足，以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求產(chǎn)生的化合物半導(dǎo)體。

碳化硅功率器件替代優(yōu)勢(shì)明顯，在高壓高功率領(lǐng)域性能強(qiáng)勁。相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體，具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，碳化硅器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而傳統(tǒng)硅器件的最高工作溫度局限在175℃。碳化硅器件的高溫工作能力降低了對(duì)系統(tǒng)熱預(yù)算的要求。

并且，碳化硅基MOS尺寸可以減少為同電壓硅基MOSFET的十分之一，能量損耗可以減少為同開(kāi)關(guān)頻率硅基IGBT的 30%。此外，碳化硅器件還具有較高的熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高飽和漂移速率、高熱穩(wěn)定性和化學(xué)惰性，其擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度比同類(lèi)傳統(tǒng)硅器件要高。同時(shí)在高頻、高壓、高溫等工作場(chǎng)景中，還具有易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優(yōu)勢(shì)。

讓碳化硅能穩(wěn)定發(fā)揮這些關(guān)鍵性特質(zhì)的重要因素，封裝步驟不可小覷。封裝是承載器件的載體，也是保證碳化硅芯片充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。以下是碳化硅功率器件封裝的幾個(gè)重要封裝測(cè)試項(xiàng)目：

端子強(qiáng)度

端子強(qiáng)度測(cè)試的目的是為了確定引出端的設(shè)計(jì)與連接方法是否能耐受在裝配、修理或搬運(yùn)過(guò)程中所遇到的機(jī)械應(yīng)力。

耐焊接熱

通過(guò)耐焊接熱測(cè)試可以確定元件能否經(jīng)受在焊接（烙焊、浸焊、波峰焊、回流焊）端頭過(guò)程中所產(chǎn)生的熱效應(yīng)。

可焊性

可焊性測(cè)試可以判斷封裝廠(chǎng)的電鍍工藝是否合格，浸錫表面超過(guò)95%則為合格。

推力，拉力，剪切力測(cè)試

推力，拉力，剪切力測(cè)試是指芯片焊接后再分離出來(lái)的難度，可以考察芯片焊接過(guò)程是否良好。

無(wú)鉛器件要求

適用于引線(xiàn)終端含錫的器件，鉛料目前仍然是豁免的，也就是說(shuō)器件仍可使用含鉛材料。

碳化硅功率器件的質(zhì)量對(duì)最終組成器件的性能有著舉足輕重的意義，但不論何時(shí)，封裝技術(shù)的發(fā)展需要同時(shí)兼顧充分發(fā)揮碳化硅芯片性能和實(shí)際應(yīng)用易用性與可靠性要求，以多樣化產(chǎn)品滿(mǎn)足了市場(chǎng)的廣泛需求，同時(shí)也不能忽略了標(biāo)準(zhǔn)化需求。

審核編輯：湯梓紅