目前市場上各種芯片都出現(xiàn)供應(yīng)緊張或停產(chǎn)，急需產(chǎn)品方案替代。替換方案時，首先要考慮性能相近的，其次是供應(yīng)沒那么緊張的芯片。要用TB5128FTG來替換THB6128（LV8728）的驅(qū)動方案，首先對比一下芯片的各自特性。

THB6128的特性：

●雙全橋MOSFET驅(qū)動，低導(dǎo)通電阻Ron＝0.55Ω

●最高耐壓40VDC，大電流2.2A（峰值）

●多種細(xì)分可選（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128）

●自動半流鎖定功能

●快衰、慢衰、混合式衰減三種衰減方式可選

●內(nèi)置溫度保護及過流保護

TB5128FTG的特性：

●低導(dǎo)通電阻（高壓側(cè)+低壓側(cè)=0.25Ω（典型值））雙全橋MOSFET驅(qū)動

●最高耐壓50VDC，大電流5.0A（峰值）（有關(guān)規(guī)格請參考絕對最大額定功率和工作范圍）

●允許全步、半步、四分之一步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步、1/28步運行。

●高效電機電流控制機構(gòu)（ADMD：高級動態(tài)混合衰減）

●內(nèi)置無電流檢測電阻電路控制結(jié)構(gòu)（ACDS：高級電流檢測系統(tǒng)）

●多故障檢測功能（熱關(guān)斷（TSD）、過流保護（ISD）、上電復(fù)位（POR故障檢測（TSD/ISD/OPD）信號輸出功能

●內(nèi)置VCC調(diào)節(jié)器供內(nèi)部電路使用

通過以上簡單對比，TB5128FTG除了沒有自動半流控制電路外，其它功能基本都有，甚至性能更好。比如耐壓更高，電流更大，內(nèi)阻更低等等。方案替換基本不成問題。至于自動半流鎖相電路，如果與MCU控制整合在同一塊板上的，可以直接用MCU的IO口來實現(xiàn)半流鎖相；若是單獨的驅(qū)動板，可以外加74HC123芯片來實現(xiàn)自動半流鎖相控制。

方案替換時，有些細(xì)節(jié)要稍微注意一下。畢竟不是同一廠家的芯片，應(yīng)用上還是有些差異。注意處理好就行。以下是TB5128FTG功能基本與THB6128相同，應(yīng)用上有差異的引腳：

RESET（復(fù)位），高電平時進(jìn)入復(fù)位，低電平時芯片正常工作

MDT0、MDT1（衰減設(shè)置），通過兩個引腳的高、低電平來選擇四種不同的衰減模式

OSCM斬波頻率相關(guān)設(shè)置，是通過電阻和電容來生成主頻率，然后分頻率成對應(yīng)的斬波頻率

VCC內(nèi)部5V穩(wěn)壓引出，外接濾波電容（0.1uF～1uF），若外部有5V穩(wěn)壓電源，不建議直接連接。

CPOUT對應(yīng)THB6128的VREG2，TB5128FTG還多了一個電容，分別連接CP+、CP-

以下是TB5128FTG才有的引腳，替換THB6128驅(qū)動方案時，部分引腳狀態(tài)可以直接固定。

TORQE相當(dāng)于選擇輸出的電流是設(shè)置值的100％還是50％，可以用來作為半流鎖相控制

EDG_SEL選擇CLK步進(jìn)脈沖的有效觸發(fā)邊沿，低電平時，和THB6128一樣，CLK是上升沿觸發(fā)。

GAIN_SEL選擇增益的比例。低電平時和THB6128一樣是5倍。IO=VREF/5/RS（采樣電阻阻值）

IF_SEL選擇芯片的控制模式。低電平時和THB6128一樣是CLK控制模式。

RS_SEL選擇芯片的電流采樣模式。高電平時和THB6128一樣是外接采樣電阻來采樣芯片的電流。