91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第二代有人用了!臺積電最新3nm工藝首顆芯片流片

廠商快訊 ? 來源:快科技 ? 作者:萬南 ? 2022-10-27 10:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

日前,Alphawave公司宣布,其成為臺積電N3E工藝首批流片的客戶。相關(guān)產(chǎn)品會在本周晚些時候的臺積電OIP論壇上公布詳情。

據(jù)悉,這是一款DSP PHY串行控制芯片,IP核是ZeusCORE100,涵蓋支持了800G以太網(wǎng)、OIF 112G-CEI, PCIe 6.0和CXL3.0等多項前沿標準,致力于服務(wù)下一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器。

第一代沒人用!臺積電第二代3nm工藝首顆芯片流片

回到工藝本身,N3E實際上是臺積電的第二代3nm,性能相比5nm提升18%,功耗降低34%,密度增加70%,大規(guī)模量產(chǎn)時間預(yù)計在明年二季度到三季度。

臺積電的第一代3nm因為沒有客戶已經(jīng)實質(zhì)上被放棄,N3E無論在良率、參數(shù)指標上都更加優(yōu)秀。

當然,除了大家不熟悉的Alphawave,N3E未來還大概率會用于蘋果的A17芯片等產(chǎn)品上。

據(jù)悉,臺積電在3nm上準備了至少5種工藝,之后還有N3P、N3X和N3S。

第一代沒人用!臺積電第二代3nm工藝首顆芯片流片

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 臺積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5803

    瀏覽量

    176397
  • 3nm
    3nm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    237

    瀏覽量

    15032
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    擬投資170億,在日本建設(shè)3nm芯片工廠

    據(jù)報道,全球最大的半導體代工制造商(TSMC)已最終確定在日本熊本縣量產(chǎn)3nm線寬的尖端半導體芯片的計劃。預(yù)計該項目投資額將達到170
    的頭像 發(fā)表于 02-06 18:20 ?215次閱讀

    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一溝槽SiCMOSFET技術(shù)打造,通過提升性能、增強設(shè)計靈活性及魯棒性
    的頭像 發(fā)表于 01-12 17:03 ?329次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品,新增75m?型號

    TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測試與調(diào)試解決方案

    TeledyneLeCoy(Teledyne子公司)宣布第二代QualiPHY 2自動化合規(guī)測試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層(PHY)合規(guī)性測試。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:04 ?1593次閱讀

    天璣9400+芯片助力REDMI K Pad性能火力全開

    REDMI K Pad 搭載天璣 9400+ 旗艦芯,該芯片采用 3nm 制程、第二代全大
    的頭像 發(fā)表于 11-21 11:31 ?1143次閱讀

    三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)

    三星公布了即將推出的2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技
    的頭像 發(fā)表于 11-19 15:34 ?1239次閱讀

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回焊封裝

    新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回焊封裝采用TO-247PLUS-4回焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件,是電動汽車充電、儲能
    的頭像 發(fā)表于 11-17 17:02 ?1357次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b>CoolSiC? MOSFET G2 1400V,TO-247PLUS-4回<b class='flag-5'>流</b>焊封裝

    君正T41芯片助力覓睿第二代AOV產(chǎn)品亮相

    在AOV技術(shù)發(fā)展版圖中,覓睿與君正緊密攜手,共同繪就了創(chuàng)新畫卷。2024年,君正推出行業(yè)AOV芯片T41,覓睿率先將其技術(shù)落地,成為該領(lǐng)域的開拓者。如今,隨著君正T32VN規(guī)格的發(fā)布,覓?;诖搜邪l(fā)的
    的頭像 發(fā)表于 07-30 13:48 ?1528次閱讀

    REDMI K Pad搭載MediaTek天璣9400+芯片

    REDMI K Pad 搭載天璣 9400+ 旗艦芯,該芯片采用 3nm 工藝制程及
    的頭像 發(fā)表于 07-03 17:49 ?1672次閱讀

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴展,可為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?1872次閱讀

    蘋果A20芯片的深度解讀

    以下是基于最新行業(yè)爆料對蘋果A20芯片的深度解讀,綜合技術(shù)革新、性能提升及行業(yè)影響三大維度分析: 一、核心技術(shù)創(chuàng)新 ? ? 制程工藝突破 ? ? 全球款2nm
    的頭像 發(fā)表于 06-06 09:32 ?3767次閱讀

    2nm良率超 90%!蘋果等巨頭搶單

    當行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進展時,已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻!據(jù)《經(jīng)濟日報》報道
    的頭像 發(fā)表于 06-04 15:20 ?1310次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺

    第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?1403次閱讀

    雷軍:小米自研芯片采用二代3nm工藝 雷軍分享小米芯片之路感慨

    Ultra,小米款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露,小米玄戒O1,采用第二代3nm工藝制程,力爭躋身第一梯隊旗艦體驗。此次小米發(fā)布會的最大亮點之一肯定是小米自研手機SoC
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:52 ?1378次閱讀

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺,提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?1276次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬距離 采用TO-247-4HC高爬距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 12
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?1872次閱讀