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重構(gòu)會撼拓撲量子表面態(tài)這是真的嗎

中科院半導體所 ? 來源:量子材料QuantumMaterials ? 作者:Ising ? 2022-10-31 10:16 ? 次閱讀
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很多物理人可能傾向于認為,二維凝聚態(tài)物理的承載主體應該是范德華 van der Waals (vdW) 層狀體系。通過手撕石墨烯或其它 vdW 材料,已能夠得到層厚可控的單層、少層和多層二維材料。二維物理人的研究對象一下子寬廣起來,二維凝聚態(tài)物理開始大量開枝散葉、蒸蒸日上。

事實上,好的二維物理體系絕非 vdW 這一支,最知名的體系至少還有另外兩類:(1) 半導體或絕緣體組成的異質(zhì)結(jié),形成界面二維電子氣 (two - dimensionalelectron gas, 2DEG);(2) 拓撲量子材料的表面層 (topoligical surface state,拓撲表面態(tài))。過去若干年,這兩個分支取得的進展,預示著界面二維電子氣和拓撲表面態(tài)也可以擁有大批生眾,甚至我們能夠觸摸到的體系數(shù)目遠比可以手撕的二維 vdW 體系多!

其實,無論是 2DEG,還是拓撲表面態(tài),從物理本質(zhì)上看,都可比肩vdW 單層體系,甚至更有本征二維體系的特征。這兩者,還可能是更精致的二維體系,有與 vdW 體系不一樣的效應,以備物理人探索和裝飾。所謂低維,無非是有空間尺度和邊界約束兩大類物理元素參與其中,并相互耦合、競爭。從這一角度看,vdW 體系、拓撲表面態(tài)、二維電子氣 2DEG 似乎各有特色、各展乾坤,其架構(gòu)大致以圖 1 來展示。

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圖 1. 二維量子材料的三大類:vdW 二維化合物材料 (上)、異質(zhì)結(jié)界面二維電子氣 2DEG 應用于自旋電子學 (中)、拓撲絕緣體 TI 和外爾半金屬 WSM 這兩類拓撲量子材料及其表面態(tài)特征 (下)。

未來的二維凝聚態(tài)物理至少應該包括這三個篇章,不妨再啰嗦幾行字。

(1) vdW 體系:這類體系,因為面內(nèi)成鍵飽和、晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,其面外兩側(cè)與真空為界,呈現(xiàn)自由邊界特征,可戲稱為“全自由二維材料”。這一特征獨一無二,因此能夠被物理人單獨拎出來里外仔細端詳、了無遮攔。

不過,從好的物理角度看,vdW 也存在一些可議之處。首先,真正能夠?qū)崿F(xiàn)面內(nèi)飽和成鍵的單原子層 (嚴格意義上的 monolayer) 體系不多,目前主要可能就是單層石墨烯。對其它雙原子、多原子化合物,所謂單層,其實是指 mono unit - layer。此時,層內(nèi)物理依然有一定的厚度方向自由度和某些體塊特征,畢竟有面外方向的原子建構(gòu)存在于其中。

也是因為這一原因,多元化合物 vdW 的層間范德華力,可以有多種來源;它們共同作用,使得這些體系的層間耦合可能較強、漲落也較大。以量子材料關(guān)注的能量尺度看,這些 vdW 力,可能足夠影響到量子多體相互作用的效應。因此,多元 vdW 化合物,能不能算是完美的二維體系?這應該是值得斟酌的“小”問題,當然單層石墨烯除外。

(2) 二維電子氣 2DEG:最早的二維電子氣,出現(xiàn)于經(jīng)典半導體異質(zhì)結(jié)的界面處,其界面兩側(cè)是兩種不同的半導體塊體相。因此,這里的所謂二維材料,其實與 vdW 有所不同,其面外兩側(cè)被其它體相全約束,不再是自由自在的邊界。如果只是考慮兩側(cè)有無邊界約束這一限制,則這類二維材料可戲稱為“全約束二維材料“!

對此類 2DEG 的研究,發(fā)現(xiàn)了整數(shù)和分數(shù)量子霍爾效應,是量子凝聚態(tài)物理的重要歷史角色。到目前為止,所揭示出的內(nèi)涵可是正經(jīng)八百的二維物理。特別是到本世紀初,于大帶隙絕緣體異質(zhì)結(jié)界面處也觀測到 2DEG,展示了包括超導和自旋相關(guān)的量子物理效應,時至今日依然充滿迷霧和偶有驚喜。這類體系,兩側(cè)塊體是大帶隙絕緣體,使得能夠?qū)崿F(xiàn) 2DEG 組合的數(shù)目一下子多了起來,給人以此類 2DEG 家族無限興旺發(fā)達的印象。

(3) 拓撲量子表面態(tài):與上面“全自由二維材料”和“全約束二維材料”不同,拓撲量子材料,其體內(nèi)是具有拓撲非平庸能帶的拓撲態(tài),而表面外側(cè)是拓撲平庸的真空態(tài),因此其表面層必定是一層不同于體態(tài)、亦不同于真空的二維材料。例如,拓撲絕緣體的自旋鎖定 (半)金屬表面態(tài),其表層導電性極好。即便是磁性拓撲絕緣體,其表面依然存在自旋鎖定的邊緣 corner / edge 金屬態(tài)。

再例如,外爾半金屬,體態(tài)具有一對狄拉克型半金屬特征,表面態(tài)具有獨特的費米弧,賦予外爾半金屬不一樣的量子態(tài) (如圖 1 下部所示)。這些拓撲材料的表面態(tài),對磁性和雜質(zhì)等有不同的響應特征,也值得關(guān)注。

最近的數(shù)據(jù)搜索工作揭示,拓撲量子材料家族龐大,這類特別的表面態(tài)二維材料同樣數(shù)目繁多。這一表面態(tài),既區(qū)別于 vdW 二維材料,其面外一側(cè)與真空毗鄰、形成自由邊界;也區(qū)別于異質(zhì)結(jié)二維電子氣,其面外另一側(cè)與同質(zhì)絕緣體完美毗鄰、形成約束邊界/界面。這種表面兩側(cè)不對稱的二維材料,在凝聚態(tài)中應該找不到更“完美”的其它了,是完全根植于同質(zhì)體塊的“二維材料”。更有意思的是,我們似乎還不清楚這一表面態(tài)二維材料到底有多厚、是不是量子凝聚態(tài)意義上最薄的二維體系?同樣,不妨將這類材料稱為“半約束二維材料”。

行文至此,小編牽強附會,將三類二維材料歸于不同“約束”框架之下,從而有了一個不同視角去審視。不過,這每一類,實際上都各有千秋,行為也很不同。不知道未來二維材料的教科書如何對此進行分類歸檔。本文不妨將問題集中到“半約束二維材料”上,其中有一些令人著迷的特征,例如:

(1) 大多數(shù)拓撲量子材料,其體態(tài)多是窄帶隙絕緣體或半金屬。又因為體態(tài)的三維特征,體態(tài)對電輸運的貢獻可能遠比表面態(tài)貢獻大。有限溫度下,此類拓撲材料輸運行為占主導的可能是來自體態(tài)的貢獻。如此,討論那“傾國傾城”的拓撲表面態(tài),也多是欣賞一束理想之花而已,尚無足夠的現(xiàn)實性實踐。

過去這些年,拓撲量子人費盡心機,試圖將體內(nèi)貢獻與表面態(tài)貢獻區(qū)分一二,以充分利用這二維表面態(tài)獨到的、無與倫比的物性??雌饋恚M展并非如人意。

(2) 依據(jù)拓撲非平庸的基本性質(zhì),這類“半約束二維材料”的基本物理大概不會被輕易摧毀,但也并非就是不可撼動的。事實上,物理人很容易聯(lián)想到固體表面的經(jīng)典效應:表面重構(gòu) (surfacereconstruction)。這一效應大概的圖像,源于表面原子配位環(huán)境與體內(nèi)不同,因此表層原子占位會發(fā)生空間畸變,形成一些重新排布的新形貌。這一重構(gòu)效應,在一些強共價鍵結(jié)合的晶體中很常見,如 Si 和 GaAs 等表面處,見圖 2 所示。

巧合的是,這里討論的拓撲量子材料,共價鍵成分并非可以忽略不計。因此,表面重構(gòu)導致的表面層原子重排必定存在,也會影響表面能帶結(jié)構(gòu),至少會使動量空間中表面態(tài)的狄拉克交叉點位置發(fā)生上下偏移,從而改變此類二維材料的物理性質(zhì),如輸運行為。

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圖 2. 固體表面晶體結(jié)構(gòu)重構(gòu)導致的變化。

(上部)https://www.slideserve.com/lita/surface-reconstruction-and-mesh-generation (下部) Si表面重構(gòu)示意圖:structures of theSi(100)-1× 1 virgin surface (左下:俯視圖和側(cè)視圖) and reconstructedSi(100)-2× 1 surface (右下:俯視圖和側(cè)視圖)。這里展示了 model of symmetricdimers 和 model of asymmetricdimers。M. V. Gomoyunova& I. I. Pronin, Photoelectron spectroscopy of atomic core levels on thesilicon surface: A review, Technical Physics 49, 1249 (2004),

這一似乎能夠“未卜先知”的物理效應,看起來并沒有得到充分關(guān)注。過往對拓撲量子材料的能帶計算和測量,可能較少考慮此類表面重構(gòu)的后果。特別是外爾半金屬態(tài),其體態(tài)和表面態(tài)都呈現(xiàn)半金屬輸運特征,從輸運角度去區(qū)分之會更為困難,更別說去盯住其中的費米弧之表現(xiàn)了。

最近,來自米國橡樹嶺國家實驗室的 Zheng Gai 博士 (蓋崢老師) 團隊,與 University of SouthCarolina 凝聚態(tài)物理知名華人學者金榮英教授團隊合作,似乎關(guān)注了這個問題,并對此開展了很有意思的甄別實驗。她們的研究對象是外爾半金屬層狀 AMnX2 化合物 (A 為堿土金屬離子或稀土離子、X = Bi / Sb),具體而言是化合物 BaMnSb2。它是三維外爾半金屬,表層如果為 Sb 層占據(jù)時,亦具有二維狄拉克半金屬表面態(tài)。

有意思的是,她們通過不同解理操作,能夠得到兩種不同表層晶面:一種是 Ba 離子層晶面 (T1),位于 Sb1 晶面層之上;一種是 Sb 離子層晶面 (T2),位于 Sb2 – Mn – Sb2 三明治夾層之上。某些結(jié)果如圖 3 所示,詳細了解可以關(guān)注原文細節(jié)。

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圖 3. BaMnSb2 體系中,Ba 離子層晶面和 Sb 離子層晶面作為樣品表面時 QPI 圖譜。

能夠挑選到這一體系,并實現(xiàn)兩種表面晶面的高質(zhì)量解理,是她們的幸運。隨后,她們運用掃描隧道顯微譜學 (scanning tunnelingmicroscopy/spectroscopy, STM) 和低能電子衍射譜技術(shù) (low energy electrondiffraction, LEED) 對這兩類表面的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)進行了系統(tǒng)探測,最主要的結(jié)果包括兩個層面:

(1) 兩種表面都會發(fā)生 2 × 1 的結(jié)構(gòu)重構(gòu)。至少從 STM 和 LEED 結(jié)果看,重構(gòu)使得表面形貌和電子結(jié)構(gòu)出現(xiàn)了不小的畸變。

(2) 雖然并非確定無疑的結(jié)果,但對觀測數(shù)據(jù)所進行的準粒子干涉譜分析 (quasiparticleinterference analysis, QPI) 揭示出,似乎只有 Ba 離子層晶面的表面態(tài)才有狄拉克半金屬色散錐 (Diraccone) 的蹤跡,錐也不在費米面處。而 Sb 離子層晶面的表面態(tài),在費米面附件沒有狄拉克半金屬態(tài)存在的蹤跡。

不過,蓋老師和金老師顯然是固體表面科學的高手。她們擅長 STM 和 LEED 這些經(jīng)典的表面電子結(jié)構(gòu)探測手段,并將之移植到“半自由二維材料”的基本物理效應觀測上,自然是駕輕就熟。本文的結(jié)果,別出心裁、也頗具獨特價值,提示我們:分析二維材料的觀測結(jié)果和理解其中物理,需要考慮表面重構(gòu)的因素。很顯然,這一因素,不是說可有可無的,因為它無處不在、對拓撲量子材料表面態(tài)可能有不可忽略的影響。





審核編輯:劉清

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原文標題:重構(gòu)會撼拓撲量子表面態(tài)?

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