與4G相比，毫無疑問，5G的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過其前身。它提供更高的峰值數(shù)據(jù)速度（高達(dá) 20Gbps）、超低延遲、更高的可靠性、巨大的網(wǎng)絡(luò)容量、更高的可用性和更統(tǒng)一的用戶體驗(yàn)。

但隨著5G的好處而來的是某些挫折。例如，研究公司Omdia的下一代基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)踐負(fù)責(zé)人Daryl Schoolar指出，5G的“更高頻段，如3.5 GHz或mmWave.。..。.不要穿透建筑物以及較低的頻段。

這些高頻無線電波導(dǎo)致的衍射能力差、容易損耗和覆蓋面積減小，這意味著5G小型蜂窩的數(shù)量將是4G時(shí)代的兩到三倍。事實(shí)上，Schoolar預(yù)計(jì)未來五年5G基站的復(fù)合年增長率將達(dá)到74.8%。

部署更多的小基站必然意味著需要更多的大容量內(nèi)存來管理網(wǎng)絡(luò)負(fù)載增加產(chǎn)生的大量臨時(shí)存儲數(shù)據(jù)以及 5G 應(yīng)用的實(shí)時(shí)計(jì)算要求，例如車聯(lián)網(wǎng) （V2X） 連接、機(jī)器人控制和增強(qiáng)/虛擬現(xiàn)實(shí);以及隨后臨時(shí)存儲的數(shù)據(jù)。

5G網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的小文件大小以及頻繁的寫入要求意味著5G基站內(nèi)存必須以具有競爭力的價(jià)格提供快速的速度和大量的編程/擦除（P / E）周期。憑借其更高的密度，3D NAND閃存正在成為這些部署的首選技術(shù)，Silicon Power Computers & Communications，Inc.的Anthony Spence解釋說。

Spence說：“通常情況下，我們有［網(wǎng)絡(luò)］客戶希望購買P/E周期在60K范圍內(nèi)的產(chǎn)品，就像傳統(tǒng)SLC提供的產(chǎn)品一樣?！叭欢?，隨著傳統(tǒng)2D閃存變得稀缺，價(jià)格開始上漲，客戶和供應(yīng)商都在適應(yīng)這種情況，這就是pSLC 3D NAND閃存的用武之地。

“pSLC能夠以更便宜的成本提供高水平的耐用性，接近SLC的耐用性，”他補(bǔ)充道。

偽單級單元 （pSLC） 閃存是一種多級單元 （MLC） 存儲器衍生產(chǎn)品，在 SLC 和 TLC 解決方案之間提供了中間地帶。該技術(shù)更快、更可靠，并提供比傳統(tǒng)MLC或TLC存儲器更高的P / E周期數(shù)，Silicon Power的pSLC 3D NAND器件提供30K寫入/擦除周期（超過3D TLC NAND的10倍）。同時(shí)，它的成本也比SLC閃存低得多，Silicon Power報(bào)價(jià)至少節(jié)省了86%的成本（圖1）。

圖1.SLC、MLC、TLC 和 pSLC 內(nèi)存特性的比較。

pSLC，其中“p”代表性能密度

從5G基站設(shè)計(jì)的角度來看，Spence解釋說，3D pSLC NAND閃存的性能密度提供了能夠在不犧牲面積的情況下增加容量的優(yōu)勢。

“5G基站比4G前輩有更高的要求，這意味著密度很重要，”他說。“NAND閃存能夠提供更高的存儲容量，因此，例如，如果您希望與16 GB SLC解決方案的60K P / E耐用性相當(dāng)，則可以使用32GB 30K pSLC。

“ECC-SODIMM或高端SORDIMM DRAM模塊等小尺寸使［網(wǎng)絡(luò)工程師］能夠滿足他們的性能需求，而無需犧牲太多空間。

Silicon Power 提供一系列采用 UDIMM、SODIMM、ECC-SODIMM 和其他外形尺寸的高速工業(yè)級 DDR4-2666 DRAM 模塊。

為了進(jìn)一步提高其3D pSLC NAND閃存解決方案的可靠性，Silicon Power提供了廣泛的溫度存儲器變體，以及定制選項(xiàng)，例如部署在制造和其他有毒環(huán)境中或附近的基站的抗硫性。

其內(nèi)存產(chǎn)品還得到該公司的SMART IoT工具箱的支持，該應(yīng)用程序允許網(wǎng)絡(luò)工程師遠(yuǎn)程監(jiān)控存儲設(shè)備的運(yùn)行狀況和狀態(tài)。這使他們能夠在組件發(fā)生故障之前進(jìn)行干預(yù)并保持網(wǎng)絡(luò)正常運(yùn)行時(shí)間。

5G 需要 DDR5 嗎？它可能等不及了。

下一代DDR5規(guī)范計(jì)劃在今年某個(gè)時(shí)候由JEDEC發(fā)布，但目前仍在進(jìn)行修訂。新標(biāo)準(zhǔn)有望將帶寬翻倍，同時(shí)降低整體功耗，這對5G基站開發(fā)人員來說無疑是一個(gè)福音。

但即使標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布臨近，工業(yè)界也需要數(shù)年時(shí)間才能完善技術(shù)，以滿足5G基站所需的可靠性、性能和價(jià)格范圍。正如Schoolar所指出的那樣，亞太地區(qū)預(yù)計(jì)將占5G市場的64%左右，該地區(qū)已經(jīng)在迅速推動中國制造2025等計(jì)劃，將5G定義為“戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)”。

那么DDR5是當(dāng)今5G基站開發(fā)人員的答案嗎？目前，答案是“還沒有”。

一個(gè)好的選擇似乎是選擇先進(jìn)的DDR4技術(shù)，3D pSLC NAND閃存的正確平衡。

審核編輯：郭婷